公开(公告)号：CN101866979B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910254037.6

申请日：2009-12-15

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 李正禹 ,  朴成基 ,  沈敬珍 ,  金泰润 ,  朴元绪

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/202 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/075 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种制造太阳能电池的方法，其包括如下步骤：通过在室温下沉积透明导电氧化物，在衬底上形成透明导电层；通过使用第一激光器将激光束照射到该透明导电层上，使该透明导电层结晶；选择性地腐蚀该结晶的透明导电层，以在该透明导电层的表面形成凸起和凹陷的图案；通过对具有该凸起和凹陷的图案的该透明导电层进行构图，形成各单元电池中的各透明电极；在各透明电极上形成p-n结半导体层并对该p-n结半导体层进行构图；以及通过形成金属材料层并对该金属材料层进行构图，在该构图后的p-n结半导体层上形成各背电极，各背电极对应于各单元电池。

公开(公告)号：CN102341916A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010205.8

申请日：2010-02-19

申请人： 株式会社钟化

发明人： 吉河训太 ,  市川满 ,  山本宪治

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/078 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及将电连接薄膜硅光电转换单元和化合物半导体系光电转换单元而成的单位电池串联连接形成的薄膜太阳能电池组件。各单位电池从光入射侧看，至少依序具有透明电极2、非晶硅系光电转换单元3、中间透明电极层4、光电转换单元5、化合物半导体系光电转换单元6和金属电极7。在各单位电池内，光电转换单元5和化合物半导体系光电转换单元6串联连接而形成串联元件10，串联元件10介由透明电极2和中间透明电极层4与第1光电转换单元3并联连接。

公开(公告)号：CN102197493A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142652.6

申请日：2009-10-02

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 宫原弘臣 ,  山口贤刚

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种进行高品质的晶体硅层的制膜并制造高性能的光电转换装置的方法及用于进行高品质的晶体硅层的制膜的制膜装置。该光电转换装置的制造方法利用等离子体CVD法在基板上形成包含i层的晶体硅类光电转换层，所述i层的形成工序具有初始层制膜阶段和块体i层制膜阶段，在所述初始层制膜阶段，所述初始层制膜阶段下的硅烷类气体流量比所述块体i层制膜阶段下的硅烷类气体流量低，将所述初始层制膜阶段的制膜时间设为所述i层的全部制膜时间的0.5％以上20％以下，将所述初始层制膜阶段下的SiH*发光强度设为所述块体i层制膜阶段中的稳定后的SiH*发光强度的80％以下，以上述条件进行所述初始层的制膜。

公开(公告)号：CN102089884A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980126260.0

申请日：2009-05-22

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 山林弘也 ,  时冈秀忠 ,  山向干雄

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明能够得到一种薄膜太阳能电池，通过在透明绝缘基板(1)上形成在基板面内相互分离的多个第一透明导电膜(2)，在第一透明导电膜(2)上形成第二透明导电膜，将第二透明导电膜蚀刻为粒状来形成分散在第一透明导电膜(2)上的第一粒状体(4b)，在第一透明导电膜(2)上以及分散的第一粒状体(4b)上形成发电层(5)，在发电层(5)上形成背面电极层(6)，从而实现具有表面粗糙度小的微细表面凹凸并且面内的电阻大致均匀的透明电极。

公开(公告)号：CN102047436A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980112462.X

申请日：2009-03-20

申请人： 欧瑞康贸易特鲁贝屈股份有限公司 ,  费兹卡尼厄斯达AVCR公司

发明人： 米兰·瓦涅切克 ,  约翰·密尔 ,  俄瑞·奇克罗

IPC分类号： H01L31/0236

CPC分类号： H01L31/03529 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

摘要： 一种光伏电池(10)是被提供，其包括基材载板(11)、第一透明导电层(12)位于基材载板(11)上且包括多个分离的透明导电突出区域(13)或多个分离凹部。硅层(14)包括电荷分离接面，并覆盖住第一透明导电层(12)以及此多个分离的透明导电突出区域(13)或多个分离凹部，第二透明导电层(15)是位于硅层(14)上。

公开(公告)号：CN101262029B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810083479.4

申请日：2008-03-07

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/068 ,  H01L31/052

CPC分类号： H01L31/056 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。

公开(公告)号：CN101971293A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980106909.2

申请日：2009-02-27

申请人： 纽约市哥伦比亚大学理事会

发明人： J·S·艾姆 ,  P·C·范·德·威尔特 ,  尤金·钟

IPC分类号： H01L21/268

CPC分类号： H01L21/02667 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种制造结晶膜的方法，其包括在衬底上提供包括具有选定结晶表面取向的种晶粒的膜；使用脉冲光源辐射膜以在提供混合的液相/固相的条件下提供膜的脉冲熔融以及在提供具有选定表面取向的织构多晶层的条件下允许混合的固相/液相固化。可以采用一种或多种辐射处理。该膜适于使用在太阳能电池中。

公开(公告)号：CN101889351A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200880119525.X

申请日：2008-12-05

申请人： 株式会社钟化

发明人： 后藤雅博 ,  吉田航 ,  佐佐木敏明

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明以高生产性和低成本提供高转换特性的层叠型薄膜光电转换装置。本发明的集成型薄膜光电转换装置包括在透光性基板上依次层叠的透明导电层、激光吸收层、背面电极层、半导体光电转换层和透明电极层。激光吸收层被第1种分割线沟分割成多个区域，光电转换层被贯穿激光吸收层、背面电极层和光电转换层的第3种分割线沟分割成多个光电转换区域，透明电极层被贯穿激光吸收层、背面电极层、光电转换层和透明电极层的第4种分割线沟分割成多个透明电极区域，在彼此相邻的光电转换单元之间，一个单元的背面电极区域通过第1种分割线沟、透明导电层和第3种分割线沟，与另一个单元的背面电极区域电连接。在实施方式1中，背面电极层被贯穿透明导电层、激光吸收层和背面电极层的第2种分割线沟分割成多个背面电极区域。

公开(公告)号：CN1830095B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200480022086.2

申请日：2004-07-23

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 柴山胜己

IPC分类号： H01L31/10 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/19107 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供一种背面入射型光检测部件及其制造方法，能够充分缩小安装，并且能够抑制被检测光的散乱。背面入射型光电二极管(1)包括：N型半导体基板(10)、P+型不纯物半导体区域(11)、凹部(12)与窗板(13)。在N型半导体基板(10)上面(S1)侧的表层中，形成P+型不纯物半导体区域(11)。在面向N型半导体基板(10)背面(S2)的P+型不纯物半导体区域(11)的区域中，形成成为被检测光的入射部的凹部(12)。此外，在凹部(12)的外缘部(14)接合于窗板(13)。该窗板(13)接合于凹部(12)的外缘部(14)。该窗板(13)覆盖凹部12，并密封N型半导体基板(10)的背面(S2)。

公开(公告)号：CN101803037A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106409.4

申请日：2008-09-12

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 山崎和彦 ,  林年治 ,  荒井将英 ,  小川怜子 ,  高田佳明

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/056 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52

摘要： 该超直型太阳能电池用或亚直型太阳能电池用复合膜具有透明导电膜和导电性反射膜，所述透明导电膜通过利用湿式涂布法涂布包含导电性氧化物微粒的透明导电膜用组合物或分散液而形成，所述导电性反射膜通过利用湿式涂布法涂布包含金属纳米粒子的导电性反射膜用组合物而形成，出现在所述导电性反射膜的光电转换层侧或所述透明导电膜侧的接触面上的气孔的平均直径为100nm以下，所述气孔所处的平均深度为100nm以下，所述气孔的数密度为30个/μm2以下。