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    多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法
    22.
    发明授权
    多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103702938B

    公开(公告)日：2016-03-02

    申请号：CN201280035894.7

    申请日：2012-09-20

    申请人： 信越化学工业株式会社

    发明人： 黑泽靖志 ,  祢津茂义 ,  星野成大

    IPC分类号： C01B33/035

    CPC分类号： H01L21/02595 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  H01L21/02532

    摘要： 为了得到具有翘曲少、横截面形状的圆度高的良好形状的多晶硅棒，使设置在反应炉中的原料气体供给喷嘴(9)与金属电极(电极对)(10)的配置关系为适当关系。圆盘状底板(5)的面积为S0。在该圆盘状底板(5)的中央具有中心的假想的同心圆C(半径c)具有面积S＝S0/2。另外，同心圆A及同心圆B分别是与同心圆C具有相同的中心的半径a及半径b(a＜b＜c)的假想同心圆。在本发明中，电极对(10)配置在上述假想的同心圆C的内侧且假想的同心圆B的外侧，气体供给喷嘴(9)均配置在上述假想的同心圆A的内侧。另外，同心圆B的半径b与同心圆A的半径a之差为20cm以上且50cm以下。

    用于将电力供应给CVD反应器的设备和方法
    24.
    发明授权
    用于将电力供应给CVD反应器的设备和方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN102918179B

    公开(公告)日：2015-02-04

    申请号：CN201180024287.6

    申请日：2011-05-17

    申请人： 思泰科有限公司

    发明人： 威尔佛莱德·福玛

    IPC分类号： C23C16/44

    CPC分类号： C23C16/24 ,  C01B33/035 ,  C23C16/4418

    摘要： 用于将电力供应给CVD反应器的设备和方法。所述设备具有：串联连接，其中硅棒可作为电阻插入；第一电源单元；第二电源单元；第三电源单元及控制单元，控制单元经由第一、第二或第三电源单元将电压施加到硅棒。第一电源单元有多个第一变压器，其输出端各与一个硅棒连接且具有第一开路电压和第一短路电流。第二电源单元有多个第二变压器，其输出端连接到与第一变压器数量相同的硅棒，与一或多个第一变压器并联；第二变压器具有低于第一开路电压的第二开路电压和高于第一短路电流的第二短路电流。第三电源单元具有与硅棒连接、与第一和第二变压器并联的输出端，且能提供电压范围低于第二变压器的开路电压的电流，此电流高于第二变压器的短路电流。

    用于硅生长棒的容纳锥形件
    25.
    发明授权
    用于硅生长棒的容纳锥形件 失效

    公开(公告)号：CN102428028B

    公开(公告)日：2014-04-23

    申请号：CN201080021766.8

    申请日：2010-03-17

    申请人： KGT石墨科技有限公司

    发明人： 托尔斯滕·科恩迈尔

    IPC分类号： C01B33/035 ,  C23C16/44 ,  C30B25/12

    CPC分类号： C01B33/035 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/458

    摘要： 本发明涉及一种在用于积聚多晶硅的反应器中用于硅生长棒的容纳锥形件。本发明的任务在于提供一种用于硅生长棒的容纳锥形件，其中保证了所插入的硅生长棒的良好的接触并且实现了热量散发的明显减少。本发明以如下方式实现，即，容纳锥形件由旋转对称的基体(2)组成，基体具有可居中地在最高位置处插入到基体中的单件式的、用于容纳硅生长棒(1)的夹紧元件(3)，其中，基体(2)呈锅盖状地为容纳联接销(4)而留有凹口，并且其中，基体的边缘(5)能够插入到在反应器底部中的电流馈引件中，其中，各部件：硅生长棒(1)、夹紧元件(3)、基体(2)和电流馈引件的容纳件以及联接销(4)能够以形状锁合和力锁合的方式彼此插接。

    多晶硅沉积装置
    26.
    发明授权
    多晶硅沉积装置 失效

    公开(公告)号：CN102132380B

    公开(公告)日：2013-09-25

    申请号：CN200980100446.9

    申请日：2009-11-25

    申请人： 半导体材料有限公司

    发明人： 柳浩正 ,  朴成殷

    IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/24

    CPC分类号： C23C16/24 ,  C01B33/035 ,  C23C14/0641 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/45578

    摘要： 根据本发明的多晶硅沉积装置包括：电极单元，包括设置在反应器的底部、且以预定距离隔开设置的第1电极和第2电极，反应器形成有加入原料气的气体加入口、向外部排出气体的气体排出口以及加入发热物质的发热物质加入口；硅芯棒单元，从电极单元的第1电极输入电流，使电流流通至电极单元的第2电极，使自身发热；硅芯棒加热单元，包括发热体，发热体与硅芯棒隔开预定间隔而围绕硅芯棒，并通过反应器的发热物质加入口加入发热物质；气体供应管，设置在发热体与硅芯棒之间，将通过反应器的气体加入口加入的原料气向硅芯棒供应；以及气体喷射单元，包括多个喷嘴，该多个喷嘴以使原料气向硅芯棒流动的方式形成在气体供应管的表面。

    用于多晶硅沉积的系统和方法
    28.
    发明公开
    用于多晶硅沉积的系统和方法 无效

    公开(公告)号：CN102985363A

    公开(公告)日：2013-03-20

    申请号：CN201180018050.7

    申请日：2011-03-18

    申请人： GTAT有限公司

    发明人： 秦文军

    IPC分类号： C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  B01J19/26 ,  C30B29/06

    CPC分类号： C23C16/45506 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/52

    摘要： 本发明公开了一种用于从含有至少一种硅前体化合物的气体来制造多晶硅的方法。该方法可以在化学气相沉积系统中从含有多晶硅前体化合物的气体实现，包括：在化学气相沉积反应室中建立气体的第一流型，促进至少一种前体化合物的至少一部分从具有第一流型的气体反应成多晶硅，在反应室中建立气体的第二流型，以及促进至少一种前体化合物的至少一部分从具有第二流型的气体反应成多晶硅。该化学气相沉积系统可以包括气体源，气体源包含含有至少一种前体化合物的气体；至少部分地由底板和钟罩限定的反应室；设置在底板和钟罩之一中的第一喷嘴组，第一喷嘴组通过第一歧管和第一流量调节器与气体源流体连接；第二喷嘴组，第二喷嘴组包括设置在底板和钟罩之一中的多个喷嘴，多个喷嘴通过第二歧管和第二流量调节器与气体源流体连接。

    用于硅生长棒的容纳锥形件
    30.
    发明公开
    用于硅生长棒的容纳锥形件 失效

    公开(公告)号：CN102428028A

    公开(公告)日：2012-04-25

    申请号：CN201080021766.8

    申请日：2010-03-17

    申请人： KGT石墨科技有限公司

    发明人： 托尔斯滕·科恩迈尔

    IPC分类号： C01B33/035 ,  C23C16/44 ,  C30B25/12

    CPC分类号： C01B33/035 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/458

    摘要： 本发明涉及一种在用于积聚多晶硅的反应器中用于硅生长棒的容纳锥形件。本发明的任务在于提供一种用于硅生长棒的容纳锥形件，其中保证了所插入的硅生长棒的良好的接触并且实现了热量散发的明显减少。本发明以如下方式实现，即，容纳锥形件由旋转对称的基体(2)组成，基体具有可居中地在最高位置处插入到基体中的单件式的、用于容纳硅生长棒(1)的夹紧元件(3)，其中，基体(2)呈锅盖状地为容纳联接销(4)而留有凹口，并且其中，基体的边缘(5)能够插入到在反应器底部中的电流馈引件中，其中，各部件：硅生长棒(1)、夹紧元件(3)、基体(2)和电流馈引件的容纳件以及联接销(4)能够以形状锁合和力锁合的方式彼此插接。