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公开(公告)号：CN107359133A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710626742.9
申请日：2017-07-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/329 , B21F1/00 , B21F5/00 , B21F11/00 , B21F23/00
CPC classification number: H01L21/67092 , B21F1/00 , B21F5/00 , B21F11/00 , B21F23/00 , H01L21/67703 , H01L21/68 , H01L29/6609
Abstract: 本发明公开了一种二极管送料、打扁、切筋整形一体机，包括沿着导轨从前到后依次设置的自动送料部分、打扁部分和切筋整形部分；所述自动送料部分包括导料槽送料拨杆、拨杆驱动电机和拨料传动机构；所述打扁部分包括沿着导轨从前到后设置的一次打扁部分和二次打扁部分；所述切筋整形部分包括切筋整形模具、切筋驱动电机和切筋传动机构。将打扁、切筋整形集成到一台设备上完成，只需要一个人把未打扁的产品放到设备的导料槽后，无需人员看守，设备自动进料、打扁、切筋整形，最后成型好的产品自动落到收料盒中。节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN107275224A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710628043.8
申请日：2017-07-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/4896 , H01L21/67703
Abstract: 本发明公开了一种二极管切筋整形机构，包括切筋整形模具、切筋驱动电机和切筋传动机构，所述切筋整形模具包括上整形刀、上切筋刀、上压料杆、下切筋刀座、下切筋刀、下浮动块、下浮动块弹簧，上切筋刀位于对应侧的下切筋刀的外侧，从而将N个二极管单元多余的引脚切断，剩余引脚由上整形刀和上切筋刀进行第一个折弯点的折弯，之后上整形刀和上切筋刀一起向上运动，上压料杆由配备的驱动部分带动向下运动并结合下浮动块对N个二极管单元的剩余引脚进行第二个折弯点的折弯，最后上压料杆向上运动，下浮动块由下浮动块弹簧顶出并结合上压料杆、上整形刀共同对N个二极管单元进行挤压整形。节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105203033A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510644305.0
申请日：2015-10-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于图像的MEMS面内位移测量方法，该方法包括以下步骤：S1，获取两幅图像；S2，在样本图像中选取样本子区f(x,y)，在目标图像中选取目标子区g(x,y)；S3，为提高处理的精度，对两幅子区图像进行分形插值处理；S4，将样本子区图像进行傅立叶变换；S5，将步骤S4中变换后的图像进行滤波，得到涡旋图像；S6，计算涡旋点偏心率参数和相位参数；S7，寻找最佳匹配，获得位移值。本发明解决了传统数字散斑中采用光学方法获取散斑图像需要激光光源同时对微小物体的散斑布放存在困难的问题，也解决了在进行相关运算计算量大，算法耗时较长，测量分辨率满足不了MEMS面内位移亚像素级测量要求的缺陷，能够提高测量精度和效率。
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公开(公告)号：CN102222615A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110189705.9
申请日：2011-07-07
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种肖特基芯片的生产工艺，包括以下步骤：提供一原始外延硅片；对原始外延硅片进行氧化，形成氧化层；一次光刻；P环扩散；二次光刻沟槽；一次腐蚀；三次光刻，去除沟间隔的氧化层；二次腐蚀；正面溅射金属Pt、Ni；蒸发正面接触金属Ti、Ni、Ag；光刻金属；背面减薄；蒸发背面接触金属Ti、Ni、Ag，得成品。本发明还公开了一种肖特基芯片的生产工艺所用的腐蚀液，其组份为：HF、HAC、H2O2、HNO3。采用本发明加工肖特基芯片，可实现深度为1.0微米、精度为±0.15微米的光滑沟槽，并使硅的表面积约扩大20%以上，所以同样的芯片面积，采用本发明工作效率提高接近20%，为肖特基芯片的批量生产打下了坚实基础。
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公开(公告)号：CN107275224B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201710628043.8
申请日：2017-07-27
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种二极管切筋整形机构，包括切筋整形模具、切筋驱动电机和切筋传动机构，所述切筋整形模具包括上整形刀、上切筋刀、上压料杆、下切筋刀座、下切筋刀、下浮动块、下浮动块弹簧，上切筋刀位于对应侧的下切筋刀的外侧，从而将N个二极管单元多余的引脚切断，剩余引脚由上整形刀和上切筋刀进行第一个折弯点的折弯，之后上整形刀和上切筋刀一起向上运动，上压料杆由配备的驱动部分带动向下运动并结合下浮动块对N个二极管单元的剩余引脚进行第二个折弯点的折弯，最后上压料杆向上运动，下浮动块由下浮动块弹簧顶出并结合上压料杆、上整形刀共同对N个二极管单元进行挤压整形。节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112885804A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110250762.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/367 , H02S40/34 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。
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公开(公告)号：CN108573857B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810399395.5
申请日：2018-04-28
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种GPP芯片制备方法，包括如下步骤：1)将扩散好的PN结硅片上涂上光刻胶；2)采用HF:HNO3:HAc混合的腐蚀液进行腐蚀沟槽；3)采用LPCVD生长方式在沟槽内进行掺氧掺氮；4)刮涂玻璃粉，烧结玻璃；5)在步骤4)烧结后采用PECVD生长软Si3N4；6)进行二次光刻并镀Ni，然后镀N‑Si合金，镀完Ni‑Si合金后再次镀Ni；7)测试；8)背面激光划片。本发明在玻璃表面用PECVD生长软氮化硅(Si3N4)，从而形成低漏电流、高压、耐潮湿性好、低应力的高可靠性1A～50A以及300～1800V的GPP芯片，具有适应范围广、低成本、稳定性好以及高可靠等优点。
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公开(公告)号：CN108206640B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201711461280.6
申请日：2017-12-28
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种同步整流模块、整流方法及其制造方法，同步整流模块包括MOS管、控制芯片和电容；制造方法包括以下步骤：S1，使用软焊料工艺对MOS管进行粘片；S2，使用点胶工艺对控制芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；S3，使用铝带焊接工艺对MOS管进行连接，使用铜线焊接工艺对控制芯片和电容进行连接；S4，使用低应力、耐高温塑封料进行塑封，然后烘烤固化；S5，烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成同步整流模块的制造。本发明能够有效的降低器件功率损耗。
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公开(公告)号：CN106711234A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710028828.1
申请日：2017-01-16
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种高频吸收二极管芯片及其生产方法，该芯片包括衬底，衬底的上表面形成有外延层，外延层上设有基区窗口，基区窗口包括压点区以及位于压点区外围的分压区，外延层将压点区与分压区隔开，基区窗口上形成有第一离子扩散层，第一离子扩散层上设有发射区窗口，发射区窗口上形成有第二离子扩散层，压点区内的第一离子扩散层、第二离子扩散层的上表面设有钝化层，分压区内的第一离子扩散层上表面形成有氧化层，氧化层、钝化层均延伸至外延层的上表面。采用本发明的芯片特别适宜于RCD电路中尖峰吸收，同时，该工艺形成的芯片在125℃下的高温漏电流比传统扩散型二极管芯片小50%以上，缺陷率低，而且本工艺简单，易于实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN105762076A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610110506.7
申请日：2016-02-29
Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司
IPC: H01L21/329
CPC classification number: H01L29/66143
Abstract: 本发明公开了一种扩散型高压大电流肖特基芯片生产的工艺，依次包括选取原始N型硅片、表面磷沉积、高浓度N+磷扩散、切割分离、化学机械抛光、硅片分类、一次氧化、一次光刻、硼扩散、二次光刻、肖特基势垒金属溅射、肖特基势垒形成、正面接触金属蒸发、正面金属光刻、背面处理、蒸发背面接触金属得到成品，用本发明的生产工艺加工的扩散型JBS肖特基芯片特别适宜于制造大电流工艺芯片，其成本至少比外延工艺低三分之一；同时，扩散型工艺形成的JBS肖特基芯片125℃下的高温漏电流比外延工艺小30%以上,缺陷率明显低于外延工艺；而且本工艺简单，易于实现批量化。
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