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公开(公告)号：CN106711234A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710028828.1
申请日：2017-01-16
申请人： 重庆平伟实业股份有限公司
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明提供一种高频吸收二极管芯片及其生产方法，该芯片包括衬底，衬底的上表面形成有外延层，外延层上设有基区窗口，基区窗口包括压点区以及位于压点区外围的分压区，外延层将压点区与分压区隔开，基区窗口上形成有第一离子扩散层，第一离子扩散层上设有发射区窗口，发射区窗口上形成有第二离子扩散层，压点区内的第一离子扩散层、第二离子扩散层的上表面设有钝化层，分压区内的第一离子扩散层上表面形成有氧化层，氧化层、钝化层均延伸至外延层的上表面。采用本发明的芯片特别适宜于RCD电路中尖峰吸收，同时，该工艺形成的芯片在125℃下的高温漏电流比传统扩散型二极管芯片小50%以上，缺陷率低，而且本工艺简单，易于实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN106711234B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710028828.1
申请日：2017-01-16
申请人： 重庆平伟实业股份有限公司
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明提供一种高频吸收二极管芯片及其生产方法，该芯片包括衬底，衬底的上表面形成有外延层，外延层上设有基区窗口，基区窗口包括压点区以及位于压点区外围的分压区，外延层将压点区与分压区隔开，基区窗口上形成有第一离子扩散层，第一离子扩散层上设有发射区窗口，发射区窗口上形成有第二离子扩散层，压点区内的第一离子扩散层、第二离子扩散层的上表面设有钝化层，分压区内的第一离子扩散层上表面形成有氧化层，氧化层、钝化层均延伸至外延层的上表面。采用本发明的芯片特别适宜于RCD电路中尖峰吸收，同时，该工艺形成的芯片在125℃下的高温漏电流比传统扩散型二极管芯片小50%以上，缺陷率低，而且本工艺简单，易于实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN205271085U
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201521098987.1
申请日：2015-12-25
申请人： 重庆平伟实业股份有限公司
IPC分类号： B23K3/06
摘要： 本实用新型公开了一种用于二极管焊接工艺的刷胶装置，包括骨架和钢网，所述骨架为中空的矩形框，所述钢网为矩形板，并与骨架中空部分相匹配，所述钢网布置于矩形框内，四边通过粘结剂连接在骨架上，且钢网底部与骨架底面齐平；所述钢网上设置有若干下料片印刷孔，且在钢网上还设置有顶针孔；此外，所述钢网上还设置有若干引脚印刷孔，一个引脚印刷孔对应一个下料片印刷孔，且对应的下料片印刷孔和引脚印刷孔相邻并并排布置，所述下料片印刷孔截面积大于引脚印刷孔截面积。结构简单、操作方便快捷，下锡膏时受外界气温、气压等影响较小，印刷质量稳定；此外，使用本装置所下锡膏量均匀，误差在5％以内，焊接效果较好，能更好的保证产品质量。
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公开(公告)号：CN205211747U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521099514.3
申请日：2015-12-25
申请人： 重庆平伟实业股份有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/01
摘要： 本实用新型公开了一种多层玻钝硅芯片轴向封装超高压二极管，包括玻钝硅芯片(1)、两铜引线(2)和环氧塑封体(3)，玻钝硅芯片(1)至少为两个，且玻钝硅芯片(1)的小窗口面(1a)均朝向同一侧设置，相邻玻钝硅芯片(1)之间设置有铜粒(4)，且铜粒(4)与玻钝硅芯片(1)通过焊料(5)焊接固定，所有玻钝硅芯片(1)组合成多层玻钝硅芯片组，所述多层玻钝硅芯片组的两端分别通过焊料(5)与对应侧的铜引线(2)的内端头焊接，整个超高压二极管除铜引线(2)的外端头外，其余部分均在环氧塑封体(3)内。承受反向耐压的能力更强，能满足超高压的使用要求；在两个玻钝硅芯片之间增加铜粒进行焊接，以提高焊接牢固性。
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公开(公告)号：CN206250187U
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201621419328.8
申请日：2016-12-22
申请人： 重庆平伟实业股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/40245
摘要： 本实用新型公开了一种大电流内扣式贴片整流桥，包括塑封体，以及封装于塑封体内的跳线、芯片和下料片，跳线的上水平段底部设置有凸点，第一下料片、第二下料片包括一个芯片焊接部和一个跳线下水平段焊接部，第三下料片包括两个芯片焊接部，第四下料片包括两个跳线下水平段焊接部，芯片共四个且小窗口面朝上，芯片一一对应地焊接在跳线的上水平段与下料片的芯片焊接部之间，跳线的下水平段与下料片的跳线下水平段焊接部一一对应焊接，从而构成共阴极焊接；所有下料片位于塑封体外的引脚部分向内弯折到塑封体下方，从而构成内扣式结构。满足大电流封装、提高生产效率与产品质量。
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公开(公告)号：CN205211761U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521096544.9
申请日：2015-12-24
申请人： 重庆平伟实业股份有限公司
IPC分类号： H01L29/861 , H01L23/31 , H01L23/488
摘要： 本实用新型公开了一种薄型贴片封装二极管，包括塑封体，以及封装于塑封体内的上料片、芯片和下料片，所述上料片弯折成Z形，所述芯片通过锡焊固定在上料片的上水平段与下料片之间，上料片的上水平段上设置有朝向芯片的凸点，所述上料片的下水平段、下料片、塑封体的底面齐平，所述上料片的下水平段露在塑封体外的部位为第一引脚，下料片露在塑封体外的部位为第二引脚，所述上料片的上水平段上设置有防焊锡溢流孔，且通过防焊锡溢流孔至少能看到部分芯片。在上料片的上水平段上增设防焊锡溢流孔，在焊接过程中焊锡过多时，焊锡能首先去填充防焊锡溢流孔，而不至于超过芯片，有效避免了焊锡将上料片、芯片和下料片从侧面包起来所造成的短路。
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公开(公告)号：CN205211746U
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201521098747.1
申请日：2015-12-25
申请人： 重庆平伟实业股份有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/488
CPC分类号： H01L2224/33
摘要： 本实用新型公开了一种薄型贴片封装双向GPP超高压二极管，包括塑封体，以及封装于塑封体内的上料片、下料片和双向GPP芯片，所述上料片弯折成反“Z”字形，在上料片的上水平段设置有向下的凸点，所述下料片上设置有向上的凸点，所述双向GPP芯片共两个，上下布置且两个双向GPP芯片之间设置有铜粒，所述铜粒通过焊料焊接于两双向GPP芯片之间，位于上方的双向GPP芯片的上表面与上料片的凸点、位于下方的双向GPP芯片的下表面与下料片的凸点之间也通过焊料焊接。承受反向耐压的能力更强，能满足超高压的使用要求；在两个双向GPP芯片之间增加铜粒进行焊接，以提高焊接牢固性。
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