-
公开(公告)号：CN110323527A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910549745.6
申请日：2019-06-24
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种TE11双模介质全填充谐振结构及滤波器，通信微波技术领域。所述谐振结构，包括第一谐振器、第二谐振器和侧壁耦合介质窗，所述第一谐振器和第二谐振器均为方形切角全介质填充谐振器，且介电常数均为21.5±0.5，所述第一谐振器和第二谐振器并排设置，通过位于两个谐振器之间的所述侧壁耦合介质窗连接形成一体结构，所述一体结构外表面设有银镀层。该谐振结构使滤波器具有小型化、低插损和轻重量等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN119726022A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411876973.1
申请日：2024-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种可3D打印的Ka频段波导滤波器的设计方法，该Ka频段波导滤波器包括五边形谐振体，五边形谐振体包括一体相连通的矩形谐振体和三角形谐振体；矩形谐振体的一端一体连通有输入谐振器，矩形谐振体的另一端一体连通有所述的输出谐振器；三角形谐振体的侧壁上靠近顶角的位置开设有多个电镀孔；金属膜片将五边形谐振体分割为多个五边形谐振器。本发明提出的Ka频段波导滤波器，基于金属3D打印工艺，在三角形谐振体的侧壁上靠近顶角的位置开设有多个电镀孔，在保证电磁波不发生泄露及不影响滤波器整体电性能的基础上，使Ka频段波导滤波器在后期化学电镀时液体充分在Ka频段波导滤波器中流动，达到充分电镀的目的。
-
公开(公告)号：CN116994928A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310860669.7
申请日：2023-07-13
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种实现行波管微波整流工作模式的方法，属于大功率电真空器件研究技术领域；使行波管放大器在获得工作参数下工作；设定射频输入功率作为行波管放大器的输入；逐步降低阴极电压；监测射频输出功率的大小；并对射频输出功率进行判断；分别调整收集极上每一个电极的电压，并记录收集极上每一个电极的电流；计算整个收集极的动态回收功率P动态回收功率；计算整个收集极的静态回收功率P静态回收功率；对动态回收功率P动态回收功率和静态回收功率P静态回收功率进行比较；实现行波管放大器进入整流工作模式；本发明的结果可适用于任何慢波结构的行波管放大器，该方法的应用使得高频段、大功率、低成本空间整流成为可能，为空间大功率无线能量传输技术提供支撑。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115566383A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211188643.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种基于石英材料的双模介质滤波器，具有单模工作带宽很宽，横跨整个X频段，Q值高等特点，利用TE11模实现单腔双模，侧壁耦合介质单窗实现M23与M14的耦合。该介质谐振器的介电常数为3.8±0.1，正切损耗角为0.0002。设计圆柱形谐振器，该形状的谐振器谐振频率为11.82GHz、单模工作带宽大于4GHZ、Q值大于10000。设计的滤波器通带为11.78GHz～11.82GHz，通带内最大插损小于0.5dB，回波损耗大于17dB，体积为同指标金属滤波器的35％，具有高Q值、低插损、小型化和高隔离等优点，在通信、卫星和导航等领域有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN113684453A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110697294.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN111748769A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010495917.9
申请日：2020-06-03
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，属于真空电子学二次电子发射抑制技术领域，尤其涉及一种利用薄膜降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，所述的高能区是指入射到银表面电子的能量范围为250-3000ev。采用NPB材料为薄膜材料，有效降低了银表面高能区的二次电子发射系数。可在银表面大面积制备NPB薄膜，降低了薄膜制备成本。本发明提出的方法对银基底没有温度等特殊要求，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN111307850A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911378479.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种介质二次电子发射产额的测量方法，包括：将金属导电栅网覆盖在待测介质的表面；将入射电子照射到金属导电栅网范围内，测量得到入射电流和样品电流；根据入射电流和样品电流，解算得到测量得到的总体二次电子产额；获取金属导电栅网在待测介质的表面上的覆盖比例、金属导电栅网对下层待测介质表面出射电子的遮挡系数，以及金属导电栅网自身的二次电子产额；解算得到待测介质表面出射的二次电子产额；解算得到待测介质的本征二次电子产额。本发明无需高精度的中和手段，可通用于普通金属二次电子产额测试设备，测量结果准确且不受样品厚度限制，能较好适应于低能端。
-
公开(公告)号：CN108387597A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201711374694.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: G01N23/22
Abstract: 一种测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法，其中装置包括收集极、两只电流表和电子枪；收集极为两层且开口朝下的结构，结构顶部开有预留孔；样品的上表面置于收集极内部且位于预留孔的正下方，电子枪通过预留孔将入射电子打到样品上；一只电流表记为电流表A连接在样品与地之间；另一只电流表记为电流表B连接在收集极内表面与地之间，收集极的外表面接地。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.031 seconds)
