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公开(公告)号：CN108475722B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201680079260.X
申请日：2016-12-21
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件或体声波器件的衬底(1)，该衬底(1)包括支撑衬底(11)和所述支撑衬底上的压电层(10)，其特征在于，支撑衬底(11)在加强衬底(110)上具有半导体层(111)，该加强衬底(110)的热膨胀系数比硅的热膨胀系数更接近压电层(10)的材料的热膨胀系数，半导体层(111)被设置在压电层(10)与加强衬底(110)之间。
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公开(公告)号：CN105679648B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201511034378.4
申请日：2015-11-12
Applicant: 索泰克公司
Inventor： M·波卡特
IPC: H01L21/02
Abstract: 用于转移层的处理。本发明涉及一种用于使用临时衬底(5)将有源层(2)转移至最终衬底(4)的处理，所述有源层(2)包括具有特定表面形貌的第一侧(1)，所述处理包括以下步骤：将所述有源层(2)的所述第一侧(1)结合到所述临时衬底(5)的一侧的第一步骤；将所述有源层(2)的第二侧(6)结合到所述最终衬底(4)的第二步骤；以及，将所述有源层(2)和所述临时衬底(5)分开的第三步骤，所述处理的特征在于，所述临时衬底(5)的所述一侧具有与所述有源层(2)的所述第一侧(1)的所述表面形貌互补的表面形貌，使得在结合的所述第一步骤中，所述临时衬底(5)的所述表面形貌封装所述有源层(2)的所述第一侧(1)的所述表面形貌。
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公开(公告)号：CN106252280B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201610391128.4
申请日：2016-06-03
Applicant: 索泰克公司
Abstract: 用于机械地分离层的方法。用于双层转移的机械分离的方法。本发明涉及一种用于机械地分离层的方法，特别是在双层转移工艺中。本发明更具体地涉及一种用于机械地分离层的方法，所述方法包括以下步骤：设置包括处理衬底的层(204)以及具有前主侧(209)和与所述前主侧(209)相反的后主侧(211)的有源层(202)的半导体复合体(206)，其中，处理衬底的层(204)被附接至有源层(202)的前主侧(209)；然后将载体衬底的层(207)设置至所述有源层(202)的后主侧(211)上；以及然后，启动处理衬底的层(204)的机械分离，其中，处理衬底的层(204)和载体衬底的层(207)被设置有基本上对称的机械结构。
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公开(公告)号：CN109219896A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780034366.2
申请日：2017-05-30
Applicant: 索泰克公司
Inventor： M·波卡特
IPC: H01L41/08 , H01L41/312 , H03H9/02
Abstract: 本发明涉及一种用于表面声波器件的混合结构(100)，该混合结构(100)包括压电材料的有用层(10)，该有用层(10)具有第一自由面(1)和设置在支撑衬底(20)上的第二面(2)，该支撑衬底(20)具有比所述有用层(10)的热膨胀系数低的热膨胀系数。所述混合结构(100)的特征在于所述有用层(10)包括纳米腔(31)的区域(30)。
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公开(公告)号：CN104737273B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201380054314.3
申请日：2013-10-11
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/18
CPC classification number: H01L21/187 , B32B37/0007 , B32B37/1009 , B32B2037/0092 , B32B2307/20 , B32B2457/14
Abstract: 本发明涉及一种通过分子粘附来键合的方法，所述方法包括以下步骤：将第一板和第二板(202、206)定位在气密的容器(210)内；将所述容器(210)设置到低于或等于400hPa的第一压力(P1)；通过引入干气(214)将所述容器中的所述压力调整为高于所述第一压力(P1)的第二压力(P2)；以及使所述第一板和所述第二板(202、206)接触；然后在将所述容器(210)保持在所述第二压力(P2)的同时，发起键合波在所述两个板(202、206)之间的传播。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104737273A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054314.3
申请日：2013-10-11
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/18
CPC classification number: H01L21/187 , B32B37/0007 , B32B37/1009 , B32B2037/0092 , B32B2307/20 , B32B2457/14
Abstract: 本发明涉及一种通过分子粘附来键合的方法，所述方法包括以下步骤：将第一板和第二板(202、206)定位在气密的容器(210)内；将所述容器(210)设置到低于或等于400hPa的第一压力(P1)；通过引入干气(214)将所述容器中的所述压力调整为高于所述第一压力(P1)的第二压力(P2)；以及使所述第一板和所述第二板(202、206)接触；然后在将所述容器(210)保持在所述第二压力(P2)的同时，发起键合波在所述两个板(202、206)之间的传播。
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公开(公告)号：CN113597668B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202080021426.9
申请日：2020-03-26
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体结构的方法，其包括以下步骤：设置供体衬底，其包括限定待转移层的弱化区；设置受体衬底；通过发起从界面的外围的第一区域开始的结合波并且使该波朝向所述界面的外围的与第一区域相对的第二区域传播，将供体衬底结合至受体衬底上，待转移层位于结合界面的那一侧上，结合波的传播速度在中心部分中比在外围部分中低；以及沿着弱化区分离供体衬底以便将待转移层转移到受体衬底上，该方法的特征在于，结合在受控条件下实现以增加结合波在结合界面的外围部分与中心部分之间的传播速度的差。
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公开(公告)号：CN115777139A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202180048518.0
申请日：2021-06-23
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种将薄层(5)转移到支承衬底(1)上的方法，该方法包括使用制备方法来制备支承衬底(1)，该制备方法包括提供在主面上具有电荷俘获层(2)的基础衬底(3)并且在电荷俘获层(2)上形成厚度大于200nm的介电层(4)。一旦介电层(4)形成，同时执行介电层的沉积和离子溅射。该转移方法还包括通过分子键合将施主衬底接合到载体衬底(1)的介电层(4)，而不通过抛光来准备介电层(4)的自由面，施主衬底具有限定薄层(5)的脆化平面。最后，该方法包括在脆化平面处分离施主衬底，以便释放薄层(5)并将其转移到支承衬底(1)。
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公开(公告)号：CN112997290A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202080006094.7
申请日：2020-01-08
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/321
Abstract: 本发明涉及一种制造用于射频应用的绝缘体上半导体结构的接收方衬底(30)的方法，方法包括以下步骤：‑提供半导体衬底，所述半导体衬底包括由单晶材料制成的基底衬底(1)和设置在所述基底衬底(1)上的由多晶硅制成的电荷俘获层(2)，‑对所述电荷俘获层(2)进行氧化以形成设置在所述电荷俘获层上的氧化物层(3)，该方法主要特征在于所述电荷俘获层(2)的所述氧化至少部分地在低于或等于875℃的温度通过以下方式进行：‑在750℃至1000℃之间的第一温度(T1)开始所述氧化，‑将温度降低至低于所述第一温度(T1)并且在750℃至875℃之间的第二温度(T2)，‑在所述第二温度(T2)继续氧化。
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公开(公告)号：CN110199375A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880007067.4
申请日：2018-01-11
Applicant: 索泰克公司
IPC: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体结构的支撑件(1)，所述支撑件(1)包括：基础衬底(3)；第一二氧化硅绝缘层(2a)，所述第一二氧化硅绝缘层(2a)被设置在所述基础衬底(3)上并且厚度大于20nm；以及电荷俘获层(2)，所述电荷俘获层(2)具有高于1000ohm.cm的电阻率以及大于5微米的厚度，并且被设置在所述第一绝缘层(2a)上。
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