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公开(公告)号：CN113702354A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111025756.8
申请日：2021-09-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明属于纳米技术领域，提供一种基于阵列式微结构的柔性SERS基底及其制备方法用以解决现有柔性SERS基底采样时基底表面的贵金属微结构易被损坏的问题。本发明基底包括：柔性薄膜基材、孔洞微结构、贵金属薄膜层以及贵金属纳米颗粒，孔洞微结构呈阵列式分布于柔性薄膜基材表面，贵金属薄膜层覆盖于阵列式孔洞微结构表面，贵金属纳米颗粒填充于阵列式孔洞微结构内。本发明基于金属化的阵列式孔洞微结构与贵金属纳米颗粒共同增强待测物分子的拉曼信号，使得基底具有均一性好、高灵敏度的优点；同时，擦拭采样时金属化的阵列式孔洞微结构会对内部的贵金属纳米颗粒起到保护的作用，使其不易被擦除损坏，即本发明基底的稳定性好。
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公开(公告)号：CN111740485A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010643929.1
申请日：2020-07-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于无源峰值检测的脉冲型微能源电源管理电路，涉及微能源能量管理领域，其技术方案要点是：包括依次连接的整流电路、降压电路以及储能模块，所述整流电路、降压电路之间设有基于无源峰值检测的开关电路，所述基于无源峰值检测的开关电路包括无源峰值检测电路和电子开关；所述无源峰值检测电路，用于对所述整流电路输出的单向脉冲信号进行脉冲检测，并在所述单向脉冲信号达到峰值时向所述电子开关发出开关控制信号；所述电子开关，串联于所述整流电路与降压电路之间，用于根据所述开关控制信号闭合后将整流电路与降压电路导通以实现能量最大化转移，在实现电路自驱动的基础上提高电路的通用性及其能量转换效率。
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公开(公告)号：CN110186599A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910406353.4
申请日：2019-05-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01L1/20
Abstract: 本发明提供一种可图形化调节性能的超线性阻变氧化还原石墨烯应力传感器的制备方法，属于柔性应力传感器领域。本发明先在衬底上制备氧化石墨烯薄膜，然后将氧化石墨烯薄膜在激光作用下受热还原，制备不同图形的RGO薄膜，用于改进提高氧化还原石墨烯(RGO)应力传感器的灵敏度，通过改变RGO在形成过程中的图形结构来调节RGO应力传感器的检测范围，从而使得基于形状改性的RGO薄膜形成的柔性应力传感器适用于人体特定部位的应力监测。
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公开(公告)号：CN109935654A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910216960.4
申请日：2019-03-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , C23C14/16 , C23C14/34
Abstract: 本发明属于光电传感器领域，提供一种硅基二硫化钼异质结光电传感器及其制备方法，用以克服现有基于多层二硫化钼/硅异质结光电探测器制备工艺复杂的缺点。本发明中，多层二硫化钼直接设置于硅衬底上表面、无需精确转移，采用光刻胶直接作为绝缘层、有效避免SiO2层的使用，而顶电极通过光刻胶上开设窗口直接设置于多层二氧化钼的正上方、大大降低了顶电极制备难度，即结构简单、制备工艺难度小；同时，本发明传感器在可见光和近红外区域表现良好的光电相应，且响应时间可达到150～200us，即灵敏度更高。
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公开(公告)号：CN108489646A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810217033.X
申请日：2018-03-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于柔性压力传感器领域，具体涉及一种柔性可穿戴力学传感器及其制备方法。本发明将用于超级电容器和电池研究的碳纳米管/石墨烯复合薄膜材料用于应力传感器。利用碳纳米管/石墨烯复合薄膜材料中的石墨烯碎片形成孤立的岛状导电区域，而碳纳米管则为连接各块岛状石墨烯的桥，两者形成的岛桥结构，形成电极间的导电通道。这一结构特性使得整个器件的电阻模型就会发生很大的变化，表现出良好的阻变特性。本发明的柔性可穿戴力学传感器应变系数高达190，即灵敏度更高，同时具有很高的可测范围，最大可达150％的拉伸范围，器件的重复性强，工艺过程简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107488267A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710584009.5
申请日：2017-07-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于柔性压力传感器领域，提供一种基于小球改性的高阻变氧化还原石墨烯材料及其制备方法；所述材料由氧化石墨烯掺杂聚乙烯纳米小球形成，其中，所述聚乙烯纳米小球的尺寸为直径90nm～2000nm，掺杂浓度为：质量比，1.56～12.5％。本发明将聚乙烯纳米小球(PS小球)掺进RGO薄膜中，聚乙烯纳米小球作为绝缘体引入，从而改变RGO碎片堆叠的结构，在同等的应变条件下，掺杂后的RGO的电阻变化将会变大，显示出很好的阻变特性；基于本发明RGO薄膜形成的传感器也就拥有更高的灵敏度(7～250)，远远大于常规RGO传感器；同时还能够通过调节掺杂PS小球的尺寸及浓度实现应变检测范围的调节。
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公开(公告)号：CN119619286B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510151637.9
申请日：2025-02-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N29/02 , G01N29/036 , G01N29/22 , G01N21/65
Abstract: 本发明涉及微机电技术领域及气体检测技术领域，具体为用于气体组分分析的压电谐振式MEMS光谱芯片，包括硅衬底，硅衬底为镂空的平板，其上形成有第一支撑梁和第二支撑梁，第一支撑梁和第二支撑梁交叉排布呈十字型，其中第一支撑梁上设有两个TPoS谐振器，两个TPoS谐振器关于十字型的交叉点对称，均包括自下而上依次设置的掺杂硅层、压电薄膜、以及顶部电极，顶部电极上设有自组装金纳米颗粒阵列，且该阵列中的金纳米颗粒为经官能团修饰的自组颗粒。本发明通过设置两个谐振与自组装金纳米颗粒阵列实现了对待检测气体的质量定量分析、以及对待检检测气体组分的精准分析。
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公开(公告)号：CN119836057A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510028724.5
申请日：2025-01-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，尤其涉及一种用于MIR波段的增强型波导集成光电探测器，该光电探测器中，波导结构层主要是由中心的悬浮波导和两侧的亚波长光栅构成，悬浮波导和亚波长光栅的下方通过刻蚀等方式去除了埋氧层，形成空气间隙；波导中的光通过倏逝场与上方的二维材料层发生相互作用；与传统的工作在NIR波段的二维材料异质集成硅波导光电探测器相比，本申请的增强型波导集成光电探测器在MIR波段具有较高的响应，同时顶部的金纳米球阵列能够进一步将光场局限在二维材料层，增强光与物质的相互作用，从而提升光电探测器的性能，而且对波导传输损耗的影响很小，甚至可以忽略不计。
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公开(公告)号：CN119677187A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411760484.X
申请日：2024-12-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10F30/222 , H10F77/12 , H10F77/14
Abstract: 本发明属于光电领域，具体为一种基于谐振腔结构的对偏振光敏感的可调谐光电探测器。其创新点在于通过谐振腔结构实现了对于同一波长不同偏振角的光的吸收率的差异。主要的实现方案包括：通过刻蚀二氧化硅(SiO2)、镀金(Au)和二维材料(MoS2、PdSe2)的转移得到谐振腔结构，实现探测器对偏振光的敏感；通过改变谐振腔阵列的周期和谐振腔的尺寸大小来调控探测器的吸收波段和在吸收峰处的吸收率。
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公开(公告)号：CN114038927B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111451036.8
申请日：2021-12-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0328 , H01L31/0236 , H01L31/101
Abstract: 本发明属于光电通信技术领域，具体涉及一种高响应的铁电集成石墨烯等离子体太赫兹探测器。解决了传统硅基器件平行石墨烯纳米带之间的电磁波传导困难的问题，主要方案包括以钛酸锶为基底，以镧锶锰氧为底电极，利用外延法在底电极上生长一层铁酸铋BFO，利用压电力显微镜或水印法获得两条平行的矩形局域极化电畴，然后在铁酸铋BFO上覆盖一层本征石墨烯，通过对底电极施加不同栅压，从而调整覆盖在矩形局域极化电畴上的石墨烯化学势，进而调整太赫兹探测器的吸收波段。
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