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公开(公告)号：CN110691762A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201880036114.8
申请日：2018-05-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 提供一种耐热循环特性优异的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其特征在于，在陶瓷基板的至少一个主面介由接合钎料接合有金属板，以金属成分计，相对于Ag93.0～99.4质量份、Cu0.1～5.0质量份、Sn0.5～2.0质量份的合计100质量份，上述接合钎料含有0.5～4.0质量份的选自钛、锆、铪、铌中的至少1种活性金属，陶瓷基板与金属板之间的接合钎料层组织中的富Cu相的平均尺寸为3.5μm以下，个数密度为0.015个/μm2以上。一种陶瓷电路基板的制造方法，其包含：在接合温度855～900℃、保持时间10～60分钟的条件下进行接合。
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公开(公告)号：CN110537256A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201880026676.4
申请日：2018-04-24
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 提供耐热循环特性优异的陶瓷电路基板及功率组件。一种陶瓷电路基板，借助含有Ag、Cu以及活性金属的焊料使得陶瓷基板与铜板接合而成，其中，接合空隙率为1.0％以下，作为焊料成分的Ag的扩散距离为5μm～20μm。一种陶瓷电路基板的制造方法，其特征在于，趋向接合温度的升温过程中的400℃～700℃的温度范围内的加热时间为5分钟～30分钟，以720℃～800℃的接合温度保持5分钟～30分钟而进行接合。
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公开(公告)号：CN115298151B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180022026.4
申请日：2021-03-30
Applicant: 电化株式会社
IPC: C04B41/83 , C04B38/00 , C04B35/5835 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供复合体的制造方法，其具有：氮化工序，将碳化硼粉末在氮气氛下进行烧成而得到包含碳氮化硼的烧成物；烧结工序，进行包含烧成物和烧结助剂的配合物的成型及加热，从而得到包含氮化硼粒子和气孔的氮化硼烧结体；和含浸工序，使树脂组合物含浸于氮化硼烧结体，所述复合体具有氮化硼烧结体、和填充于该氮化硼烧结体的气孔的至少一部分中的树脂。
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公开(公告)号：CN116353153A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310371038.9
申请日：2019-11-22
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明涉及陶瓷‑铜复合体、陶瓷‑铜复合体的制造方法、陶瓷电路基板及功率模块。平板状陶瓷‑铜复合体，其具备陶瓷层、铜层、和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层。其中，将该陶瓷‑铜复合体沿着垂直于其主面的面切断且将此时的切断面中的长边方向的长度为1700μm的区域设为区域P时，至少一部分存在于区域P1中的铜晶体的平均晶体粒径D1为30μm以上100μm以下，所述区域P1为区域P中的、从陶瓷层与钎料层的界面起在铜层侧的50μm以内的区域。
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公开(公告)号：CN113646149B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202080021035.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 电化株式会社
IPC: B28D5/00 , B23K26/364 , C04B41/91 , H05K1/02 , H05K3/00
Abstract: 首先，利用激光，在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成划线(110)。接着，沿着划线(110)将氮化物陶瓷基材(100)分割。划线(110)包含多个凹部(112)。多个凹部(112)在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成为一列。多个凹部(112)各自的深度(d)为多个凹部(112)各自的开口宽度(w)的0.70倍以上、1.10倍以下。多个凹部(112)各自的开口宽度(w)为多个凹部(112)的中心间距离(p)的1.00倍以上、1.10倍以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116234770A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180065728.0
申请日：2021-09-27
Applicant: 电化株式会社
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明提供氮化硼烧结体，在用扫描型电子显微镜放大至500倍而观察到的、包含100个以上的粒子的截面图像中，氮化硼的一次粒子聚集而形成的粒径为30μm以上的块状粒子的个数平均为3个以下。提供碳氮化硼粉末的制造方法，其具有：将包含碳化硼的原料粉末在含氮的气氛下烧成而得到含有碳氮化硼的烧成物的氮化工序；将烧成物粉碎，得到比表面积为12m2/g以上的碳氮化硼粉末的粉碎工序；和进行包含碳氮化硼粉末和烧结助剂的配混物的成型及加热，得到氮化硼烧结体的烧成工序。
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公开(公告)号：CN115298151A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022026.4
申请日：2021-03-30
Applicant: 电化株式会社
IPC: C04B41/83 , C04B38/00 , C04B35/5835 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供复合体的制造方法，其具有：氮化工序，将碳化硼粉末在氮气氛下进行烧成而得到包含碳氮化硼的烧成物；烧结工序，进行包含烧成物和烧结助剂的配合物的成型及加热，从而得到包含氮化硼粒子和气孔的氮化硼烧结体；和含浸工序，使树脂组合物含浸于氮化硼烧结体，所述复合体具有氮化硼烧结体、和填充于该氮化硼烧结体的气孔的至少一部分中的树脂。
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公开(公告)号：CN109075136A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026320.6
申请日：2017-04-25
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明的课题在于得到一种功率模块用陶瓷电路基板，其在陶瓷电路基板中不使生产率降低，不使因绝缘树脂位置偏离而导致部分放电特性恶化及绝缘特性降低的情况发生，涂布有：防止焊料流动、芯片偏离的绝缘树脂以及防止部分放电、绝缘性降低的绝缘树脂。通过对于陶瓷电路基板，将防止焊料流动、芯片偏离的绝缘树脂以及防止部分放电、绝缘性降低的绝缘树脂分别涂布在金属电路的主面上以及金属电路的外周部或金属电路间，从而得到功率模块用陶瓷电路基板。
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公开(公告)号：CN110537256B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201880026676.4
申请日：2018-04-24
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/48
Abstract: 提供耐热循环特性优异的陶瓷电路基板及功率组件。一种陶瓷电路基板，借助含有Ag、Cu以及活性金属的焊料使得陶瓷基板与铜板接合而成，其中，接合空隙率为1.0％以下，作为焊料成分的Ag的扩散距离为5μm～20μm。一种陶瓷电路基板的制造方法，其特征在于，趋向接合温度的升温过程中的400℃～700℃的温度范围内的加热时间为5分钟～30分钟，以720℃～800℃的接合温度保持5分钟～30分钟而进行接合。
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