公开(公告)号：CN103872147B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201310661032.1

申请日：2013-12-09

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  李钟锡 ,  洪坰国 ,  郑永均

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法，该肖特基势垒二极管包括n‑型外延层，设置在n+型碳化硅基板的第一表面，多个n型支柱区域，设置在n+型碳化硅基板的第一表面的第一部分的n‑型外延层中，多个p+区域，设置在n‑型外延层的表面且与n型支柱区域分离，肖特基电极，设置在n‑型外延层和p+区域上，以及欧姆电极，设置在n+型碳化硅基板的第二表面。n型支柱区域的掺杂密度大于n‑型外延层的掺杂密度。

公开(公告)号：CN107579109A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201611031572.1

申请日：2016-11-22

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/047 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包含：n-型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n-型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n-型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN104465339B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201310757104.2

申请日：2013-12-27

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 郑永均 ,  千大焕 ,  洪坰国 ,  李钟锡 ,  朴正熙

IPC: H01L21/04

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n‑型外延层、p‑型外延层、以及n+区域；在n+区域形成缓冲层；在缓冲层的一部分上形成光敏薄膜图案；利用光敏薄膜图案作为掩模对缓冲层蚀刻以形成缓冲层图案，缓冲层图案布置在光敏薄膜图案下方并露出n+区域的一部分；在n+区域的露出部分和光敏薄膜图案上顺序地形成第一金属层和第二金属层；去除缓冲层图案、光敏薄膜图案、第一金属层的第二部分、以及第二金属层的第二部分；利用第一金属层的第一部分和第二金属层的第一部分作为掩模对n+区域的露出部分蚀刻以形成沟槽，其中沟槽穿过n+区域和p‑型外延层，形成在n‑型外延层上。

公开(公告)号：CN106876461A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610474194.8

申请日：2016-06-24

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66666

Abstract: 本申请公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括设置在n+型碳化硅基板的第一表面上的n‑型层，设置在所述n‑型层上且彼此隔开的第一沟槽和第二沟槽，包围所述第一沟槽的侧面和拐角的p型区域，设置在所述p型区域和所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述n‑型层上的n+型区域，设置在所述第二沟槽内的栅绝缘层，设置在所述栅绝缘层上的栅电极，设置在所述栅电极上的氧化层，设置在所述氧化层和所述n+型区域上且设置在所述第一沟槽内的源电极以及设置在所述n+型碳化硅基板的第二表面上的漏电极，其中所述源电极与所述n‑型层接触。

公开(公告)号：CN105632950A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510600204.3

申请日：2015-09-18

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 洪坰国 ,  卢炫祐 ,  郑永均 ,  千大焕 ,  李钟锡 ,  姜修槟

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K1/19 ,  B23K20/02 ,  B23K20/026 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K2103/08 ,  B23K2103/18 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/56 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83906

Abstract: 一种利用银膏进行粘结的方法，包括：将银膏涂覆在半导体器件或者基板上。该银膏包含银和铟。将半导体放置在基板上。对银膏进行加热以形成粘结层。半导体器件与基板通过粘结层彼此粘结。铟以40摩尔％或者更少的摩尔％被包含在银膏中。

公开(公告)号：CN105609432A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510530833.3

申请日：2015-08-26

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 洪坰国 ,  卢炫祐 ,  郑永均 ,  千大焕 ,  李钟锡 ,  姜修槟

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/83 ,  B23K20/026 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K35/025 ,  B23K35/264 ,  B23K35/3006 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/166 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13313 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H05K3/341 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/10166 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13388 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29139

Abstract: 本申请公开一种使用银浆料进行结合的方法，该方法包括使用银浆料涂覆半导体器件或基板。该银浆料包含多个银颗粒和多个铋颗粒。该方法还包括将半导体器件布置在基板上以及通过加热银浆料来形成结合层，其中半导体器件和基板通过结合层相互结合。

公开(公告)号：CN104752505A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410415577.9

申请日：2014-08-21

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  洪坰国 ,  李钟锡 ,  朴正熙 ,  郑永均

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7825

Abstract: 一种半导体器件，包括：布置在包括载流区和位于载流区两侧的终端区的n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n-型外延层；布置在第一n-型外延层上的p型外延层；布置在p型外延层上的第二n-型外延层；布置在载流区中的第一沟槽；布置在各个终端区中的第二沟槽；布置在第一沟槽中的栅极绝缘层；布置在栅极绝缘层上的栅电极；以及布置在第二沟槽中的终端绝缘层，其中终端绝缘层的一侧接触p型外延层和第二n-型外延层。

公开(公告)号：CN104752241A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410482929.2

申请日：2014-09-19

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 洪坰国 ,  郑永均 ,  李钟锡 ,  千大焕 ,  姜修槟

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K35/3006 ,  B22F1/0085 ,  B22F1/0096 ,  B22F3/00 ,  B22F2998/10 ,  B23K35/025 ,  C22C1/0466 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/025

Abstract: 本发明提供一种接合银浆的方法。该方法包括制备含有银粉末和铅粉末的银浆，以及加热银浆。然后接合银粉末。

公开(公告)号：CN103872130A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310438998.9

申请日：2013-09-24

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 李钟锡 ,  洪坰国 ,  千大焕 ,  郑永均

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的多个n型柱区和n-型外延层；布置在多个n型柱区和n-型外延层上的p型外延层和n+区；穿过n+区和p型外延层并布置在多个n型柱区和n-型外延层上的沟槽；布置在沟槽内的栅极绝缘膜；布置在栅极绝缘膜上的栅电极；布置在栅电极上的氧化膜；布置在p型外延层，n+区，和氧化膜上的源极电极；以及布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极电极，其中沟槽的每个角部接触对应的n型柱区。

公开(公告)号：CN107579109B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201611031572.1

申请日：2016-11-22

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包含：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n‑型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。