公开(公告)号：CN107026203B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201610983600.3

申请日：2016-11-09

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/04

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一n‑型层和第二n‑型层，顺次布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，布置在第二n‑型层处并且彼此分隔开；p型区域，围绕第一沟槽的侧表面和下表面；n+型区域，布置在p型区域和第二n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第二沟槽中；栅电极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅电极上；源电极，布置在氧化层和n+型区域上且布置在第一沟槽中；以及漏极，布置在n+型碳化硅基板的第二表面处。

公开(公告)号：CN110444605A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201811320109.8

申请日：2018-11-07

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚自动车株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置可以包括设置在衬底的第一表面处的n-型层；设置在n-型层顶部处的p-型区域和p+型区域；设置在p-型区域和p+型区域上的第一电极；以及设置在衬底的第二表面处的第二电极，其中，第一电极包括设置在p-型区域上的第一金属层和设置在第一金属层上的第二金属层，并且所述第一金属层与p-型区域连续接触。

公开(公告)号：CN108615730A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201710755153.0

申请日：2017-08-29

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  周洛龙

IPC: H01L27/07 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/872 ,  H01L51/105 ,  H01L27/0727 ,  H01L21/8213

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件可以包括：n-型层，其设置在n+型碳化硅衬底的第一表面处；p-型区域、p型区域、n+型区域和p+型区域，各设置在n-型层的上部；栅电极和源电极，各设置在n-型层上并彼此绝缘；以及漏电极，其设置在n+型碳化硅衬底的第二表面处，其中，源电极与p-型区域、n+型区域和p+型区域接触，并且源电极可以包括欧姆结区域和肖特基结区域，所述欧姆结区域设置在源电极与n+型区域的接触部分处以及源极区域与p+型区域的接触部分处，而所述肖特基结区域设置在源电极与p-型区域的接触部分处。

公开(公告)号：CN107579109A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201611031572.1

申请日：2016-11-22

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/047 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包含：n-型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n-型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n-型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN106876461A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610474194.8

申请日：2016-06-24

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66666

Abstract: 本申请公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，该半导体器件包括设置在n+型碳化硅基板的第一表面上的n‑型层，设置在所述n‑型层上且彼此隔开的第一沟槽和第二沟槽，包围所述第一沟槽的侧面和拐角的p型区域，设置在所述p型区域和所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述n‑型层上的n+型区域，设置在所述第二沟槽内的栅绝缘层，设置在所述栅绝缘层上的栅电极，设置在所述栅电极上的氧化层，设置在所述氧化层和所述n+型区域上且设置在所述第一沟槽内的源电极以及设置在所述n+型碳化硅基板的第二表面上的漏电极，其中所述源电极与所述n‑型层接触。