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公开(公告)号：CN108063134A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711250882.7
申请日：2017-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/02 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种基于SOI工艺的NMOS器件及其构成的静电保护电路，其中，该NMOS器件的P阱形成为低压P阱，该器件的栅极形成为高压栅极；所述NMOS器件为多指并联结构；所述NMOS器件的源漏区未掺杂NLDD和PHALO。当本发明的NMOS器件用于静电保护时，若输入高压，则可以达到普通低压NMOS一样的ESD保护性能，同时其栅极又不会因为一直工作在高压下而发生失效。
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公开(公告)号：CN1564323A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN200410017239.6
申请日：2004-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及了一种双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途。其特征在于：具有双埋层结构，下埋层为连续的绝缘埋层，上埋层为不连续的图形化绝缘埋层。在存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.05～0.4μm，而在不存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.6～20μm，制备方法是以注氧隔离技术制备的具有连续埋层的SOI材料为衬底，硅气相外延生长获得较厚的单晶硅层，再采用图形化SIMOX工艺得到不连续的上埋层结构，或再结合反应离子刻蚀技术以及硅选择性外延工艺将上埋层结构的连续状况转变为不连续的。所制备的材料为SOI光电子器件的单片集成提供了衬底材料。
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公开(公告)号：CN1184697C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN03115424.7
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提出了一种准绝缘体上的硅(SOI)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的新结构及实现方法。其特征在于源漏区下方埋氧是连续的；而沟道区下方的埋氧是非连续的。采用注氧隔离技术来实现的艺过程是：(1)在半导体衬底中注入低于最优剂量的离子；(2)在器件沟道区光刻生成掩模；(3)在源漏区第二次注入离子，使源漏区注入的总剂量达到最优剂量；高温退火后在源漏区下方形成连续埋氧，沟道区下方形成非连续的埋氧；(4)常规CMOS技术完成器件制作。由于沟道下方的埋氧是非连续的，沟道和硅衬底之间电耦合，从而克服了SOI MOSFET器件的浮体效应和自热效应二大固有缺点。
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公开(公告)号：CN1431701A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03115426.3
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法。其特征在于将图形化绝缘体上的硅(SOI)材料的制备工艺和半导体器件的浅沟槽隔离(STI)工艺结合起来；在形成STI的过程中完成图形化SOI材料的制备。主要工艺步骤包括依次包括在半导体衬底中光刻出将形成的SOI区域及其四周的沟槽；离子注入；高温退火；填充沟槽，CMP抛光，腐蚀Si3N4掩模等。本发明的方法消除了常规图形化SOI材料中体硅与掩埋绝缘层之间过渡区的应力，改善了图形化SOI材料的质量；同时减少了器件STI隔离的工艺步骤。
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公开(公告)号：CN1431679A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03115427.1
申请日：2003-02-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明公开了一种注氧隔离(SIMOX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备SOI衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个步骤：(a)确定量子线区域并在其四周光刻出沟槽；(b)离子注入；(c)高温退火。本发明在减少工艺步骤、降低成本的同时提高了硅量子线的质量。所制备的硅量子线适合于制造单电子晶体管(SET)等固体纳米器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1424754A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02160742.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/84
Abstract: 本发明公开了一种制备高质量图形化SOI材料的方法，依次包括在半导体衬底上生成掩模、离子注入和高温退火，其特征在于(1)离子注入前在硅片上形成掩模以在体硅区域完全阻挡离子的注入；(2)离子注入时的能量范围是50～200 keV，相应的剂量范围是2.0×1017～7.0×1017cm－2，注入剂量和能量之间的优化关系的公式是D(1017cm－2)＝(0.035±0.005)×E(keV)；(3)离子注入后的高温退火的温度为1200～1375℃，退火的时间为1～24个小时，退火的气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，其中氧气的体积含量为0.5％～20％。采用本发明提供的方法所制备的图形化SOI材料具有平整度高，缺陷密度低，过渡区小等优点，适合于制造集成体硅和SOI电路的系统芯片。
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公开(公告)号：CN118868895A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410875520.0
申请日：2024-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/687 , H03K17/14
Abstract: 本发明涉及一种时钟自举的参考电压传输开关电路，包括：第一电流源、第二电流源和开关管MSW；参考电压产生电路，与所述第一电流源相连，用于产生固定的输入参考电压；自举电压产生电路，与所述第二电流源相连，用于产生时钟信号的自举电压；在所述时钟信号为第一电平时，所述自举电压与所述输入参考电压相等；在所述时钟信号为第二电平时，所述自举电压与所述输入参考电压的差值为所述时钟信号的幅值，所述时钟信号的幅值大于所述开关管MSW的阈值开启电压；所述开关管MSW的栅端与所述自举电压产生电路的输出端相连，源端与所述参考电压产生电路的输出端相连，漏端作为整个电路的输出端。本发明能够保证开关电路线性度和精度，且不需要电容的充放电过程。
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公开(公告)号：CN118130518A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410160578.7
申请日：2024-02-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/2202 , G01N23/04 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种薄膜材料的平面TEM样品制备方法，本发明利用信息标记定位方法，实现界面精准定位，进而能够在原子级分辨率下，从薄膜平面方向有效地区分出单层薄区(≤5nm)和双层薄区，从大面积观测角度获取原子排列、元素分布、晶粒粒径等信息。同时，制样机时平均节约1小时以上，制样效率提升一倍，平面样品的制样成功率提升75％。
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公开(公告)号：CN117969574A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410160579.1
申请日：2024-02-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N23/2202 , G01N23/04 , G01N1/28
Abstract: 本发明涉及一种二维材料的平面制样方法，本发明通过对机械手/样品/铜网三者进行一定的角度变换，就可以避免现有技术中需要更换样品底座或破真空手动垂直铜网两种方法来实现薄膜材料的平面制样，同时也可以按照正常步骤实现样品截面TEM的制备。
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公开(公告)号：CN117014009A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310905362.4
申请日：2023-07-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SAR ADC单粒子翻转检测系统，包括：电荷再分配型逐次逼近式模数转换器和检测电路，所述检测电路包括不少于一个检测单元，用来在所述逐次逼近式模数转换器完成对输入信号的采样量化后再进行一次电荷分配和电压比较，来检测所述逐次逼近式模数转换器的残差电压是否正常收敛，进而判断是否发生单粒子翻转；所述检测电路的第一端口与所述比较器的输入端口连接，所述检测电路的第二端口与所述逻辑控制电路的输出端口连接。本发明以简单的电路逻辑、较小的面积损失对系统是否发生单粒子翻转进行检测。
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