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公开(公告)号：CN113964222B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202111201762.4
申请日：2021-10-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种低漏电的晶体硅太阳能电池片、电池组件及其制备方法，属于太阳能电池领域；制备过程中，采用经过清洗和制绒的p型或n型硅片，在硅片正面的中线区域设置pn结阻挡层，在硅片正面的剩余区域设置pn结；所述硅片正面的中线区域与激光切割划片的区域对应。本发明中，pn结阻挡层将该区域内的p区和n区分隔开，从而避免了激光划片后裸露的pn结区引起的漏电，从而经过切割后可以获得更高转换效率的小片电池及更高输出功率的太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN116130635B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310154101.3
申请日：2023-02-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/36 , H01M10/0525 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/62
Abstract: 本发明公开了一种硅碳/共价有机框架复合材料的制备方法，包括：步骤一：将含醛基的原料A与有机溶剂A混合得到溶液A；将含胺基的原料B与有机溶剂B混合得到溶液B；含醛基的原料A选自苯‑1,3,5‑三甲醛和/或2,4,6‑三甲酰基均苯三酚；含胺基的原料B选自三(4‑氨基苯基)胺和/或对苯二胺；步骤二：将溶液A与硅碳复合材料共混搅拌，再将溶液B加入共混搅拌得到混合溶液，最后加入催化剂进行充分反应，经后处理得到硅碳/共价有机框架复合材料；硅碳复合材料中硅的沉积含量为5～15wt％。本发明制备得到的产品可以有效缓解硅碳复合材料循环过程中硅颗粒的粉化，显著提高负极的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN116761477A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310516041.5
申请日：2023-05-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种诱导钙钛矿薄膜取向成核的方法和应用，属于光伏材料技术领域，本发明首先制备特定组分的钙钛矿前驱体溶液，再将钙钛矿前驱体溶液沉积到基底上，分阶段加热制备得到钙钛矿薄膜。通过将含烷基脒结构的化合物作为钙钛矿前驱体溶液中的添加剂，降低了晶体成核过程中的(100)面晶面能，减缓了成核过程，进而制得具有(100)面取向的钙钛矿薄膜，进一步的，对应的钙钛矿薄膜能够用于制备具有高光电转换效率的光电器件。本发明操作简单，效果显著，可重复性高，适用于大规模商业化生产。
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公开(公告)号：CN116555899A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310534059.8
申请日：2023-05-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请公开了一种单晶生长装置，单晶生长装置包括坩埚、感应加热器、至少一个感应加热体以及石墨桶；石墨桶设置在坩埚内部，感应加热器设置在坩埚外周侧，感应加热器用于对坩埚以及石墨桶内的原料进行加热，感应加热器包括感应线圈以及为感应线圈供电的电源；至少一个感应加热体设置在石墨桶内部，感应加热体用于辅助感应加热器对石墨桶内的原料进行加热，感应加热体为导体，感应加热体的加热源为感应加热器。石墨桶可以起到热传递以及热均衡的作用。本申请提供的单晶生长装置通过感应加热体对内部原料进行加热，使第一放料空间以及第二放料空间的温度保持近似相同，以获取更均匀的加热以及升华效果。
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公开(公告)号：CN114167138B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111528881.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法、系统及存储介质，通过向碳化硅晶圆施加一个固定电压，来形成碳化硅晶圆的EL光谱强度分布图像，再建立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电阻分布方程，然后通过联立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、平均电子浓度方程，计算得到碳化硅晶圆平均电子浓度与EL光谱强度的函数关系，来生成载流子浓度分布图像；最后生成精确、完整的碳化硅晶圆的电阻分布图像。相比传统方法，本发明一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法比电阻仪的速度快一个数量级以上，且图像连续完整等优点，适用于大规模工业化生产中的碳化硅晶圆表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116334753A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310291611.5
申请日：2023-03-23
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种在高L‑Pits硅单晶衬底上制备低密度缺陷外延层的方法，属于硅外延片生长技术领域。所述方法包括：(1)将高L‑Pits硅单晶衬底置于外延炉中，升温至1200～1250℃，通入HCl气体去除硅单晶衬底近表面L‑Pits聚集物；(2)降温至800～1100℃，继续通入HCl气体清洁硅单晶衬底表面，得到预处理衬底；(3)调节温度至外延生长工艺温度生长外延层，制得低密度缺陷外延片。本发明通过对高L‑Pits硅单晶衬底表面进行高低温预处理，实现硅衬底表面L‑Pits缺陷减少或消除。利用本发明制备方法获得的硅外延片具有低密度的表面微缺陷，表面颗粒极少分布，达到硅外延片质量提升的目的。
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公开(公告)号：CN116119645A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211680624.3
申请日：2022-12-27
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B32/05 , C01B33/029 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01M4/587 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种改性多孔硬碳材料的制备方法及其产品和在锂离子电池中的应用，制备方法包括：步骤一：将环氧树脂与磷酸混合搅拌，经交联固化后得到硬碳前驱体；步骤二：将所述交联固化后的硬碳前驱体在惰性气氛下进行热解，再经球磨处理得到多孔硬碳；步骤三：将所述多孔硬碳置于硅基气态前驱体中进行化学气相沉积，在硬碳表面包覆硅层；步骤四：将包覆硅层的硬碳置于碳基气态前驱体中进行化学气相沉积，得到改性多孔硬碳材料。本发明公开的制备方法以硬碳前驱体为初始原料，通过对其进行特殊改性处理，从而达到提高锂离子电池硬碳负极可逆容量和首效的同时拥有好的循环稳定性能和倍率性能。
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公开(公告)号：CN114093765B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210051840.5
申请日：2022-01-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/324 , H01L21/26 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。
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公开(公告)号：CN114540771B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210209236.0
申请日：2022-03-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开涉及一种纯无机铅卤钙钛矿的X射线探测器及其制备方法和应用，制备方法包括将涂有SnO2中间层的导电衬底置于双温区管式炉的低温区，将前驱体粉末置于双温区管式炉高温区作为蒸发源；石英管抽真空后，将所述低温区和高温区分别升温至100～300℃和550～660℃，通入载气，保温20～40min，在SnO2中间层上形成钙钛矿膜，得到所述纯无机铅卤钙钛矿吸收层。该吸收层中钙钛矿层形貌良好，平整性高，稳定性好，制备的器件X射线灵敏度高，同时具有较好的稳定性和很低的暗电流，适用于X射线探测及成像应用。
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公开(公告)号：CN115424099A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211383066.4
申请日：2022-11-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06V10/778 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/26 , G06T7/00 , G06T7/73 , G06T3/40 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种用于识别碳化硅位错的模型训练方法、识别方法及装置，通过获取背景干净且不同位错无重叠的第一碳化硅位错图片样本进行标注，再通过神经网络模型进行训练得到第1代检测模型；获取背景干净且存在位错重叠交错的多张第二碳化硅位错图片样本，通过第1代检测模型进行检测后进行标注，再通过神经网络模型对标注后的多张第一碳化硅位错图片样本和第二碳化硅位错图片样本进行训练，得到第2代检测模型；获取背景不干净的多张第三碳化硅位错图片样本，根据上述步骤得到第3代检测模型。采用本发明在保证识别准确率的条件下，大大节省了时间和人工成本，并节约了30%以上的晶片加工成本，进而降低了检测成本。
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