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公开(公告)号：CN119592230A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411919267.0
申请日：2024-12-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明为一种适用于Cu布线Co阻挡层集成电路化学机械抛光的抛光液。该抛光液组成包括如下：硅溶胶、氧化剂、络合剂、缓蚀剂和去离子水；抛光液的pH为8.0‑10.0。该抛光液选用对环境无害的氨基酸类试剂为络合剂，采用咪唑啉、咪唑烷基脲等试剂为抑制剂，以H2O2为氧化剂，硅溶胶作为磨料，将化学溶解作用与机械作用结合到一起，来实现晶圆表面的全局平坦化。本发明实现对Cu/Co阻挡层的高效CMP，使用本发明的抛光液对晶圆表面进行抛光处理后，Cu/Co去除速率选择比接近1：1，并且能够实现表面粗糙度均达到纳米级的效果，从而满足集成电路制造对CMP工艺的严格要求，制备工艺简单，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN115703944B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202110909765.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种复合抑制剂在CMP中的应用，旨在提供一种能够有效抑制Cu的去除速率，增强抛光液对碟形坑和蚀坑的修正能力，有利于增强器件可靠性的复合抑制剂在CMP中的应用。所用抛光液中的抑制剂由TTA、BTA或CBT与KOH按照质量比为1‑3:1的比例配置而成。所用抛光液按质量百分比的组成为：硅溶胶5‑20％，氧化剂1‑15％，络合剂0.1‑5％，复合抑制剂0.25‑0.5％，表面活性剂为0.001‑5％，pH值调节剂适量，余量为去离子水。本发明的抛光液通过各种组分的合理配比，在保障抛光效果的情况下，能有效抑制铜的去除速率，对碟形坑和蚀坑修正能力强，增强了抛光的稳定性，提升了芯片的良率。同时，降低了抛光液的配置难度。
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公开(公告)号：CN112355884A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011220177.4
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法，旨在提供一种能控制不同材料的去除速率，从而实现对蝶形坑和蚀坑控制的方法。将抛光液加入抛光机中，在工作压力为1‑2PSI、抛盘转速为80‑100转/分、抛头转速为78‑98转/分、抛光液流量为200‑300ml/min的条件下抛光；所述抛光液由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，功能型组分0.001‑10％，表面活性剂0.001‑10％，去离子水余量；功能型组分由A剂、B剂及C剂组成，A剂为FA/O螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一种，B剂为硫酸铜、甘氨酸铜、柠檬酸铜及柠檬酸螯合铜中的任一种；C剂为硝酸钾、柠檬酸钾、酒石酸钾中的一种或者任意混合。该方法能提高芯片成品率和良率。
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公开(公告)号：CN112175756A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011219974.0
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液，旨在而提供一种成分简单，能够有效去除多层铜互连阻挡层CMP后表面残留物的清洗液。按质量百分比计由下述组分组成：螯合剂0.1‑5％，表面活性剂0.1‑15％，消泡剂1％，pH调节剂，去离子水余量；所述清洗液的pH值为7‑7.5；所述表面活性剂由阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂及阴离子表面活性剂复配而成。本发明的清洗液选用阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂复配，通过空间位阻作用，能有效去除多层铜互连阻挡层CMP后表面的大颗粒数及表面残留，从而提高器件的可靠性、电能性等性能，有利于提高器件的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111020610A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911209700.0
申请日：2019-12-01
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23G1/20
Abstract: 本发明为一种用于Cu互连CMP后腐蚀抑制剂的清洗液及配制方法。该清洗液的组成包括螯合剂、络合剂、表面活性剂以及去离子水；清洗液的pH值为10~13；其中，各组分的质量百分配比为：螯合剂：0.0005~0.2wt%、络合剂：0.0005~0.1wt%、表面活性剂：0.001~0.5wt%，余量为去离子水。所述的清洗液还包括pH调节剂中的一种或多种。本发明低毒性，无有害物质的挥发，安全环保，可适用于大规模工业生产线，清洗效果优异。
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公开(公告)号：CN109370439A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811228874.7
申请日：2018-10-22
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于抑制铜钴阻挡层电偶腐蚀及钴表面点蚀的抛光浆料，包括下述重量份组分：研磨颗粒1-20份、钴表面保护剂0.001-5份、唑类化合物0.001-5份、络合剂0.1-6份和氧化剂0.01-3份；抛光浆料pH值为7.0-11.0。本发明的抛光浆料可以降低钴与铜的腐蚀电位差和铜钴电偶腐蚀电流密度，从而抑制化学机械抛光过程中钴作为阳极而发生电偶腐蚀。同时确保铜的腐蚀电位不会明显低于钴而在其一侧发生电偶腐蚀。此外，该浆料还可以有效抑制钴表面点蚀的产生和发展，提高器件的可靠性与良品率。
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公开(公告)号：CN106244028A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610577468.6
申请日：2016-07-19
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，具体涉及一种碱性抛光液在抑制铜钽阻挡层电偶腐蚀的应用，所述的碱性抛光液以多羟基多氨基化合物作为螯合剂以及pH调节剂；所述的多羟基多氨基化合物在所述的碱性抛光液中的质量百分比为0.1％-2％，所述的碱性抛光液的pH值为9-10.5；所述的多羟基多氨基化合物为羟乙基乙二胺、四羟乙基乙二胺、三乙醇胺的一种或者几种进行混合。本发明采用在碱性抛光液中添加特殊的含有羟基及氨基的化合物作为螯合剂，该螯合剂使铜在抛光液中的电位降低，并在钽表面形成一层钝化层，使钽在抛光液中的电位较小程度的降低，从而达到降低两者之间电位差的目的，同时腐蚀电流降低，腐蚀速率得到控制。
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公开(公告)号：CN106118492A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610542485.6
申请日：2016-07-11
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种用于阻挡层钌的碱性抛光液及其制备方法，所述抛光液由下述组分组成，按重量百分比计硅溶胶1—5％，乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)0.5‑5％，过氧化氢0.5‑4％，非离子界表面活性剂0.1‑10％，去离子水余量；所述碱性抛光液的pH值为9—13；所述抛光液可以使Ru和Cu达到较高的抛光速率，抛光过程中化学作用增强明显，可控性高，可以使Ru和Cu达到良好的速率选择比；在抛光过程中Ru和Cu的电偶腐蚀低，可以有效抑制降低电偶腐蚀；抛光之后表面光滑平坦，全局平坦性高，粗糙度小；污染小，提高器件的可靠性，高pH值条件下仍旧稳定,且后清洗简单。
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公开(公告)号：CN106118491A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610541674.1
申请日：2016-07-11
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种用于铜布线阻挡层钴的碱性抛光液及其制备方法，所述抛光液由下述组分组成，按重量百分比计所述碱性抛光液的pH值为7.5—10.5；通过将非离子界表面活性剂、多羟多胺螯合剂和硅溶胶依次于去离子水中逐级混合方式获得；所述碱性抛光液，对设备无腐蚀，稳定性好易清洗，弱碱性环境下易生成可溶性的化合物，从而易脱离表面，有效减低环境污染。
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