公开(公告)号：CN114085616A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111135758.2

申请日：2021-09-27

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 张保国 ,  李烨 ,  王万堂

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种基于二氧化硅纳米磨料的钽酸锂材料化学机械抛光液及其制备方法。抛光液包括下述组分：纳米级二氧化硅溶胶固体浓度为5‑40%；一价阳离子无机盐或者一价阳离子有机盐的浓度为0.014‑0.35mol/L，余量为水。本申请将基于二氧化硅纳米磨料的钽酸锂材料化学机械抛光液中加入一价阳离子无机盐或者一价阳离子有机盐从而使一价阳离子与钽酸锂表面的锂离子发生交换作用，使得表面层特性与钽酸锂体材料产生差异，有利于材料表面借助机械摩擦作用被去除。

公开(公告)号：CN109370439A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811228874.7

申请日：2018-10-22

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 杨盛华 ,  张保国 ,  肖悦 ,  于璇 ,  考政晓 ,  王万堂 ,  刘旭阳 ,  韦伟 ,  王辰伟 ,  刘玉岭

IPC: C09G1/02 ,  C23F3/04

Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于抑制铜钴阻挡层电偶腐蚀及钴表面点蚀的抛光浆料，包括下述重量份组分：研磨颗粒1-20份、钴表面保护剂0.001-5份、唑类化合物0.001-5份、络合剂0.1-6份和氧化剂0.01-3份；抛光浆料pH值为7.0-11.0。本发明的抛光浆料可以降低钴与铜的腐蚀电位差和铜钴电偶腐蚀电流密度，从而抑制化学机械抛光过程中钴作为阳极而发生电偶腐蚀。同时确保铜的腐蚀电位不会明显低于钴而在其一侧发生电偶腐蚀。此外，该浆料还可以有效抑制钴表面点蚀的产生和发展，提高器件的可靠性与良品率。