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公开(公告)号：CN119592230A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411919267.0
申请日：2024-12-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明为一种适用于Cu布线Co阻挡层集成电路化学机械抛光的抛光液。该抛光液组成包括如下：硅溶胶、氧化剂、络合剂、缓蚀剂和去离子水；抛光液的pH为8.0‑10.0。该抛光液选用对环境无害的氨基酸类试剂为络合剂，采用咪唑啉、咪唑烷基脲等试剂为抑制剂，以H2O2为氧化剂，硅溶胶作为磨料，将化学溶解作用与机械作用结合到一起，来实现晶圆表面的全局平坦化。本发明实现对Cu/Co阻挡层的高效CMP，使用本发明的抛光液对晶圆表面进行抛光处理后，Cu/Co去除速率选择比接近1：1，并且能够实现表面粗糙度均达到纳米级的效果，从而满足集成电路制造对CMP工艺的严格要求，制备工艺简单，适用于工业生产。
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