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公开(公告)号：CN101972753B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010231659.X
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: B08B3/08
Abstract: 本发明公开了一种镁铝合金化学机械抛光后表面清洗方法，旨在提供一种能够降低镁铝合金材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高晶片表面质量的清洗方法。取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入非离子表面活性剂和FA/O螯合剂；采用电阻为18MΩ以上的超纯水稀释阻蚀剂；将稀释后的阻蚀剂边搅拌边加入到上述液体中，搅拌均匀后得到水溶性表面清洗液，使用得到的水溶性表面清洗液迅速对碱性化学机械抛光后的镁铝合金材料采用大流量低压力条件下进行抛光清洗；用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、大流量条件下冲洗。
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公开(公告)号：CN101972753A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010231659.X
申请日：2010-07-21
Applicant: 河北工业大学
IPC: B08B3/08
Abstract: 本发明公开了一种镁铝合金化学机械抛光后表面清洗方法，旨在提供一种能够降低镁铝合金材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高晶片表面质量的清洗方法。取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入非离子表面活性剂和FA/O螯合剂；采用电阻为18MΩ以上的超纯水稀释阻蚀剂；将稀释后的阻蚀剂边搅拌边加入到上述液体中，搅拌均匀后得到水溶性表面清洗液，使用得到的水溶性表面清洗液迅速对碱性化学机械抛光后的镁铝合金材料采用大流量低压力条件下进行抛光清洗；用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、大流量条件下冲洗。
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公开(公告)号：CN100348275C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200510013523.0
申请日：2005-05-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明的钛基生物医学材料的表面微孔钛的制备方法，涉及骨组织的修复与替换用的钛基生物医学材料，步骤包括(1)钛试样表面的预处理；(2)钛酸钾晶须的制备；(3)采用包埋烧结法制备表面微孔钛。本发明方法工艺简单，对设备的要求低，制备的表面微孔钛孔径均匀，经表面生物活化后，能够实现生物活性层与钛基体间的高度结合，解决钛基骨组织修复及替换材料在植入过程中出现的因涂层脱落而造成种植失败的问题。
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公开(公告)号：CN1304064C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200510013527.9
申请日：2005-05-19
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明表面有TiO2涂层的钛合金生物医学复合材料及其制备方法涉及金属材料的镀覆，其中TiO2涂层是纳米TiO2涂层，纳米TiO2涂层的晶粒直径在50～70nm之间，制备方法的具体工艺过程如下：(1)钛合金样品表面预处理；(2)醇盐水解法制备纳米级锐钛矿型二氧化钛超细粉；(3)采用包埋烧结法在钛合金基体表面制备纳米级二氧化钛涂层。本发明表面有纳米TiO2涂层的钛合金生物医学复合材料不但更好地解决了生物涂层与钛合金基体的界面结合问题，还进一步提高了钛合金表面的耐磨耐蚀性和血液相容性；本发明的制备方法同时克服了由于使用昂贵的设备、制备条件苛刻而造成产品制造成本高的缺点，可实现纳米TiO2涂层的产业化生产。
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公开(公告)号：CN1686643A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510013527.9
申请日：2005-05-19
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明表面有TiO2涂层的钛合金生物医学复合材料及其制备方法涉及金属材料的镀覆，其中TiO2涂层是纳米TiO2涂层，纳米TiO2涂层的晶粒直径在50～70nm之间，制备方法的具体工艺过程如下：(1)钛合金样品表面预处理；(2)醇盐水解法制备纳米级锐钛矿型二氧化钛超细粉；(3)采用包埋烧结法在钛合金基体表面制备纳米级二氧化钛涂层。本发明表面有纳米TiO2涂层的钛合金生物医学复合材料不但更好地解决了生物涂层与钛合金基体的界面结合问题，还进一步提高了钛合金表面的耐磨耐蚀性和血液相容性；本发明的制备方法同时克服了由于使用昂贵的设备、制备条件苛刻而造成产品制造成本高的缺点，可实现纳米TiO2涂层的产业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118879420A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410909851.1
申请日：2024-07-09
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种抑制铜/钴电偶腐蚀的铜互连CMP后碱性清洗液。所述清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01％～5％的络合剂、0.01％～10％的复配表面活性剂、余量为去离子水；pH值范围为10～12，所述的组分比例之和为100％。其中，复配表面活性剂的组成为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂，二者的质量比5:1～1:2。本发明能够实现有效抑制铜/钴电偶腐蚀、提高清洗液润湿性和清洗效率等多种效果，清洗后表面亲水无腐蚀，节省资源，绿色环保。
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公开(公告)号：CN113969107B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111211279.4
申请日：2021-10-18
Applicant: 江苏山水半导体科技有限公司 , 河北工业大学
Abstract: 本发明属于化学机械抛光领域，尤其涉及一种用于大尺寸硅边抛的化学机械抛光液及其制备方法和应用，所述抛光液包括如下重量份组分：硅溶胶650份；金属螯合剂2‑4份；钾盐速率促进剂5‑20份；碱性速率促进剂60‑90份；表面活性剂1‑10份；杀菌剂3‑5份％；pH调节剂5‑10份；去离子水213‑386份。本发明的抛光液通过加入钾离子可以有效提高大尺寸硅边缘的抛光速率、降低大尺寸硅边缘的表面粗糙度，能够满足微电子行业的精度要求。
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公开(公告)号：CN112340739A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011220164.7
申请日：2020-11-05
Applicant: 河北工业大学 , 天津晶岭微电子材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅溶胶在微电子领域的应用，而提供一种新型硅溶胶在微电子领域的应用。本发明的硅溶胶在微电子领域的应用，所述硅溶胶由湖北金伟新材料有限公司生产，所述硅溶胶中的原料为澳砂，所述硅溶胶在封闭式全自动条件下生产；在千级无尘条件下灌装及包装；采用0.2微米过滤系统过滤。本发明通过对湖北金伟新材料有限公司所生产的硅溶胶的改进，使其生产的硅溶胶的各方面性能满足微电子领域的使用需要，为国内硅溶胶广泛应用于微电子领域开辟了新途径。本发明精选原材料质量，所使用原材料为进口澳砂，从源头降低产品金属离子含量。
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公开(公告)号：CN110813891A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911116905.4
申请日：2019-11-15
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种用于铜CMP后清洗磨料颗粒的清洗液及清洗方法。该清洗液的组成包括活性剂、螯合剂、pH调节剂和去离子水；所述各组成所占清洗液的质量百分比为：活性剂0.01-0.5％，螯合剂0.01-0.05％，余量为去离子水；清洗液的pH值为9-12；所述活性剂为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂，二者质量比为阴离子表面活性剂和非离子表面活性剂＝1：1-3；所述的阴离子表面活性剂具体为ADS；所述的非离子表面活性剂具体为AEO。本发明为实现铜CMP后复合活性剂的刷片机的高效率清洗、低成本清洗奠定了基础。
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公开(公告)号：CN104449398B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410682284.7
申请日：2014-11-25
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明公开了一种适用于钴阻挡层的碱性化学机械抛光液。本发明抛光液包括研磨颗粒、络合剂、氧化剂、表面活性剂、腐蚀抑制剂、抑菌剂和水；络合剂含量为重量百分比0.01～10％；研磨颗粒含量为重量百分比1～40％；所述的氧化剂为过氧化氢，含量为重量百分比0.1～10％；表面活性剂含量为重量百分比0.01～5％；腐蚀抑制剂含量为重量百分比0.1～5％；抑菌剂含量为重量百分比0.001～1％，用水补充含量至100％。此抛光液适用于钴阻挡层的抛光，抛光液呈碱性，解决了钴在含有氧化剂的酸性抛光液中易于溶解的问题，同时提高了钴的抛光速率，降低了表面粗糙度。
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