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公开(公告)号：CN112099311A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011001312.6
申请日：2020-09-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AAO表面生长一层金属层，再依次去除PMMA层和AAO层，利用玻璃衬底将纳米结构金属层从酸性溶液取出，将金属‑玻璃衬底上生长一层透明的覆盖层，最后得到由纳米结构金属‑玻璃衬底组成的亚微米级光刻掩膜版。采用该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法将AAO纳米结构图形尺寸完全复制到金属层上，再将金属层固定到玻璃衬底上制备得到亚微米级光刻掩膜版，具有操作简单、成本低、精度高、保存方便等优点。
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公开(公告)号：CN112098339A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010712874.5
申请日：2020-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/25
Abstract: 本发明提供了一种可同时实现多参量(温度、磁场强度和折射率)检测用的D型光子晶体光纤(PCF)表面等离子体共振(SPR)的传感器。所述D型PCF在纤芯两侧的两个空气孔分别引入磁流体和温敏介质形成通道1和通道2。本发明在D形PCF的侧抛平面、通道1和通道2的内壁分别涂覆金属膜；利用SPR效应，形成折射率传感通道；利用磁流体的磁光效应，形成磁场传感通道；同时利用温敏介质的温敏效应，形成温度传感通道，从而设计实现温度、磁场强度和折射率的多参量同时检测的传感器。本发明的优点是：克服传统光纤传感器单一测量的不足，实现了多参量同时检测；另外，D型结构减少了传感器与纤芯的距离，使传感器迅速检测待测液变化，实现高灵敏度传感。
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公开(公告)号：CN110098120A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910342453.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/308 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及一种大面积转移制备纳米结构的方法，以Al作为基底，采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板，并对单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂，再采用排水法和干法刻蚀制备工艺制备得到双通AAO纳米多孔薄膜，最后在目标基片表面获得纳米结构。本发明是一种大面积转移制备纳米结构的方法，能够实现将超薄AAO阵列纳米结构大面积转移至目标基片，并高精度、低成本、无损伤高均匀性地在目标基片制备出与AAO具有相同特征尺寸的高规整度纳米结构。
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公开(公告)号：CN109941961A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910232023.8
申请日：2019-03-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及功能性薄膜技术领域，尤其涉及一种具有微纳米结构的多功能薄膜制备方法，包括以下步骤：制备滚筒压印模板；对滚筒压印模板进行防粘处理；采用滚筒压印模板对聚合物薄膜进行压印，干燥后得到具有微纳米结构的多功能薄膜。本发明的一种具有微纳米结构的多功能薄膜制备方法，简单、高效、成本较低，能够大面积地制备多功能薄膜，且制备得到的多功能薄膜具有较好的疏水自清洁性、增透性和广角性能，适合推广使用。
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公开(公告)号：CN120018769A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510168290.9
申请日：2025-02-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种氧化镓忆阻器及其制备方法，采用磁控溅射设备制备底电极和顶电极，采用激光脉冲沉积设备制备氧化镓阻变层。其中，底电极用于施加信号，氧化镓作为阻变层，对底电极和顶电极施加外加电场，在电流作用下阻变层可以转变为两种不同的阻值，通过氧化还原反应在阻变层内部形成导电细丝，进而使器件阻值发生变化，可模拟部分神经突触性能。本申请的制备方法简单，易于操作，且所制备的氧化镓忆阻器具有无电铸、可模拟神经突触性能等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119253294A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410874207.5
申请日：2024-07-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种基于叉指结构石墨烯宽带可调太赫兹吸波器。该吸波器由三层结构构成，自下而上分别是金属层、聚酰亚胺电介质层及叉指结构石墨烯层。通过优化扫描选出了具有最优尺寸的叉指结构，金属电极用于对石墨烯费米能级及弛豫时间统一调控，通过调节费米能级(0.6～1eV)，弛豫时间(0.1～0.3ps)，可以实现在宽带内(2.2～5.1THz)的动态调控。除此之外，该发明还具有易于制备、可与集成电路工艺相结合等优点。因此，该发明在太赫兹领域中，如成像、隐身和开关操作设备等方面，它都具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118659136A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410792738.X
申请日：2024-06-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种Ni和Ge多层纳米环阵列结构的近红外吸波器，吸波器是由Ni和Ge多层纳米环阵列组成，这些纳米环周期性地排列在金衬底上，环与金属衬底之间有一层SiO2电介质。所提出的吸收器实现了对近红外光近乎完美的吸收，这归因于来自顶部纳米环的多种谐振模式的集成，包括电极性和磁极性。纳米环的组成、几何形状和排列显著影响该器件的吸收性能，具有较小的公差。通过不断优化结构，可以得到对300–2400nm波长的电磁波近乎完美吸收的吸波器，该吸波器在整个波段的平均吸收率超过95％。该吸波器浸没在水中部分，可以充当太阳能蒸发器，可能应用于太阳能产生、消毒和海水处理，从而生产淡水。未浸没在水中的部分，也可能充当太阳能发电装置。
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公开(公告)号：CN118377073A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410467490.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于MIM谐振结构的超宽带高吸收率太阳能吸收器，该吸收器结构以金属钨(W)为衬底，衬底上的多层堆叠圆盘分别由金属钛(Ti)、非晶体态的Ge2Sb2Te5(A‑GST)或砷化镓(GaAs)组成，形成了三层MIM连续层隙等离子体强谐振器。本发明在0.3～2.5μm的波长范围内，平均吸收率为97.48％，太阳能光谱加权吸收效率为98.02％；在0.3～4μm的整个工作波段内，平均吸收率为96.95％，太阳能光谱加权吸收效率为97.54％。吸收率大于95％的带宽为2.37μm，吸收率大于90％的带宽为3.57μm。因此实现了超宽带、高效的太阳能吸收。结构自身的对称性使其具备优良的偏振无关特性，在0.3～2.5μm的波长范围内，该结构还对入射角变化表现出稳定的响应。因此，该技术在太阳能收集与转换、光伏器件以及热发射器件等领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN116923288B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310760857.2
申请日：2023-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B60R16/023 , B60Q9/00 , G08C17/02
Abstract: 本申请适用于汽车辅助驾驶领域，提供了一种行车鬼探头智能探测系统、及方法，所述行车鬼探头智能探测系统包括：超声波模块、显示模块、无线传输模块、报警模块；所述系统可工作在模式1和模式2，当系统工作在模式2时，所述超声波模块不工作，所述无线传输模块接收其他车辆发送的信息，并传输至所述报警模块，用于安全判定。安装有上述系统的车辆，可接收其他车辆发送的探测信息并进行安全判定，从而在本车辆的超声波模块不工作时，同样能够探测到车辆盲区内的路况，并及时报警，极大的降低了驾驶员由于观察力有限而造成的突发危险和鬼探头事故几率。
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公开(公告)号：CN116626797A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310620412.4
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开一种宽带高效线到圆偏振转换器，该转换器由底部金板、中间介电质层和顶部圆‑椭圆组合金板三层结构组成。本发明可以实现在0.4THz附近和0.5到1.15THz频率范围内的线到圆宽带偏振转换，并且反射系数大小约为0.7。仿真结果表明线到圆偏振转换效率大于0.95。从而实现了宽带、高效的线到圆偏振转换。这为高性能的宽带偏振转换器设计提供了一定的理论和数据支撑。该发明结构新颖、性能优越，有望在未来高性能、多功能的偏振器件设计方面得到广泛运用。
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