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公开(公告)号：CN104764988A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510148246.8
申请日：2015-03-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的失效测试电路和失效测试方法，该失效测试电路包括：第一开关，其与被测器件串联，并与被测器件共同构成第一导电支路；第二开关，其与第一导电支路并联；控制器，其与第一开关和第二开关连接，用于根据检测到的被测器件的状态信号闭合第一开关并断开第二开关，或断开第一开关并闭合第二开关。当被测功率器件失效时，该测试电路和方法能够及时地开启旁路以对电流进行疏导，从而避免被测器件在失效之后进一步遭受大电流的冲击。
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公开(公告)号：CN104505339A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410848051.X
申请日：2014-12-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/312 , H01L21/331 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种IGBT深沟槽光刻工艺，属于微电子领域。本发明为解决深沟槽底部图形刻蚀不充分等问题，提供一种IGBT深沟槽光刻工艺，依次包括以下步骤：(1)在衬底表面和深沟槽内涂上有机材料，有机材料不溶于显影液，且能被刻蚀；(2)除去衬底表面的有机材料，使剩余的有机材料填充在深沟槽内；(3)在衬底表面和有机材料表面涂上光刻胶；(4)使光刻胶曝光；(5)用显影液除去位于深沟槽上方的光刻胶；(6)对深沟槽内的有机材料及深沟槽底部的晶圆进行刻蚀；(7)除去衬底表面的光刻胶，完成IGBT深沟槽的光刻。本发明的有益效果是，通过在IGBT深沟槽内预填充一种有机材料可以实现深沟槽底部充分、规则的刻蚀。
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公开(公告)号：CN104183634A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410473229.7
申请日：2014-09-16
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种沟槽栅IGBT芯片，包括若干个相互并联的元胞，每个元胞包括第I沟槽栅和第II沟槽栅，所述沟槽栅之间由第一导电类型区域隔离，所述第II沟槽位于所述第I沟槽的一侧，在所述第I沟槽栅的另一侧设置有发射极和第二导电类型的源极区，所述沟槽栅IGBT芯片还包括：形成于所述第一导电类型区域内的第III沟槽栅，所述第III沟槽栅的栅长所在的直线与所述第II沟槽栅的栅长所在的直线相交。相较于现有技术，制备本发明提供的沟槽栅IGBT芯片，不会增加制备的工艺难度和成本。此外，由于增加的第III沟槽栅，增加了沟槽栅IGBT芯片的沟槽密度，有利于提高IGBT芯片的耐压、功耗和安全工作区性能。
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公开(公告)号：CN103956349A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410213313.5
申请日：2014-05-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/321
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体芯片的铜金属化结构及其制作方法，该铜金属化结构包括：依次位于衬底第一区域上方的第一阻挡层、第一籽铜层和第一铜金属化层，依次位于衬底第二区域上方的第二阻挡层、第二籽铜层，第二铜金属化层；该铜金属化结构还包括：第一增强层和第二增强层；其中，所述第一增强层位于所述第一籽铜层和所述第一铜金属化层之间，或者，所述第一增强层位于所述第一阻挡层和所述第一籽铜层之间，或者，所述第一增强层位于所述第一铜金属化层的上方；所述第二增强层位于所述第二籽铜层和所述第二铜金属化层之间，或者，所述第二增强层位于所述第二阻挡层和所述第二籽铜层之间，或者，所述第二增强层位于所述第二铜金属化层的上方。
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公开(公告)号：CN102244066B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110224016.7
申请日：2011-08-05
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01047 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体模块，所述功率半导体模块从下至上依次包括金属板、功率半导体芯片和电极引出片；所述金属板用于承载功率半导体芯片，并为功率半导体芯片提供电流通路；所述电极引出片为复合母排或多层印制电路板，电极引出片上设有连接端子，用于与功率半导体芯片连接以实现功率半导体芯片的互连。本发明提供的功率半导体模块，为压接式封装结构，芯片直接设置于金属板上，然后通过电极引出片直接压在功率半导体芯片表面，实现芯片间互连，简化封装工艺，同时模块的可靠性得到保证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103367164A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310259631.0
申请日：2013-06-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供了一种栅极电极及其制备方法，该栅极电极包括形成在多晶硅层的第一区域上方的金属硅化物层，该金属硅化物层至少包括两个子区域。该金属硅化物层在功能上作为栅极电极的栅极电阻，该金属硅化物层的每个子区域相当于栅极电阻的一个分电阻，本发明将至少两个子区域并联起来从而实现了在主栅极区和栅极条之间形成由多个分电阻并联形成栅极电阻的目的。该栅极电极能够克服单个电阻串联在栅焊盘区和栅汇流条所带来的缺点：栅极电阻损坏，整个芯片就可能损坏的风险。同时，该栅极电极能够改善芯片间的均流特性和开关控制特性。
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公开(公告)号：CN103337515A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310259611.3
申请日：2013-06-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体芯片栅极区，所述栅极区包括位于芯片元胞区内的主栅极区、包围所述主栅极区的第一栅极条，位于所述主栅极区和所述第一栅极条之间的栅电阻区，其中，所述栅电阻内设置有至少两个并联的子电阻，所述子电阻的一端与所述主栅极区连接，所述子电阻的另一端与所述第一栅极条连接。该栅极区结构避免了因一个栅电阻损坏，整个芯片不能正常工作或者损坏的风险。而且采用多个电阻并联的结构可以极大地降低由于栅电阻的误差所带来的电阻阻值巨大变化，保证了芯片间的开关速度的均匀性及芯片间的均流特性。
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公开(公告)号：CN103325838A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310259232.4
申请日：2013-06-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体芯片及其制备方法，该功率半导体芯片是由N个元胞单元并联形成的。其中，至少一个所述元胞单元上包括位于元胞单元外围的金属硅化物层，该金属硅化物层至少位于元胞单元的多晶硅层的外围区域的上方，该金属硅化物层功能上可以作为栅电阻，该栅电阻将芯片元胞单元的结构包围起来，实现了栅电阻的元胞级并联，提高了元胞级的开关控制能力，改善了芯片的均流特性。
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公开(公告)号：CN101770960B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910247044.3
申请日：2009-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种灌注保护胶的装置，包括灌胶模具，还包括一端敞口的筒状密闭容器，该筒状密闭容器包括保护胶注入口、使该筒状密闭容器产生负压的负压装置、用于向保护胶施压以输出保护胶的加压装置和用于向所述灌胶模具输出保护胶的输出管路。本发明的保护胶灌注装置由于采用筒状密闭容器对保护胶抽真空，因负压作用，保护胶中的气泡受保护胶挤压而排出，可以使固化后的保护胶形成致密的结构，使得保护胶层具有更好的绝缘效果，从而提高芯片的表面击穿电压。
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公开(公告)号：CN102082524A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201110053781.7
申请日：2011-03-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02M7/48 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及一种智能功率装置，包括封装成一体的功率半导体芯片、驱动电路、控制电路和电流传感器，该功率半导体芯片为四个桥臂结构；驱动电路与功率半导体芯片的栅极、集电极和发射极相连；控制电路与驱动电路连接，以控制功率半导体芯片的开通与关断；电流传感器获取检测功率半导体芯片的输出电流，将输出电流值发送到控制电路，控制电路依据输出电流值控制功率半导体芯片的功率输出。本发明集成多个功能元件，集成度较高，可节约设备空间。
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