公开(公告)号：CN112437890B

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202080004042.6

申请日：2020-02-24

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  边真锡 ,  金昌五 ,  张影来

IPC: G02B1/11

Abstract: 本公开涉及抗反射膜、包括所述抗反射膜的偏光板和显示装置，所述抗反射膜能够同时实现高的耐刮擦性和防污特性，并且提高显示装置的屏幕清晰度。

公开(公告)号：CN112219142B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201980035545.7

申请日：2019-10-17

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 边真锡 ,  金素英 ,  徐姃贤 ,  金东炫 ,  高京门 ,  张影来

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/30 ,  G02F1/1335 ,  G02B1/10 ,  G02B1/14 ,  G02B1/111 ,  B29D11/00 ,  B32B27/08 ,  B32B27/36

Abstract: 本发明涉及抗反射膜、包括其的偏光板和显示装置，所述抗反射膜具有低反射率偏差和透光率偏差，可以同时实现高耐刮擦性和防污特性，并且可以提高显示装置的屏幕清晰度。

公开(公告)号：CN114514445A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202180005502.1

申请日：2021-03-16

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 边真锡 ,  高京门 ,  张影来

IPC: G02B1/113 ,  G02B1/115 ,  G02B1/14 ,  G02B5/30 ,  G09F9/33 ,  H01L27/32

Abstract: 本公开内容涉及抗反射膜，以及包括所述抗反射膜的偏光板、显示装置和有机发光二极管显示装置，所述抗反射膜包括：硬涂层；和低折射率层，其中在所述低折射率层中存在包含中空无机纳米颗粒和实心无机纳米颗粒二者并且具有1.5nm至22nm的厚度的颗粒混合层，以及其中所述抗反射膜的CIE Lab颜色空间中的b*值的绝对值为4或更小。

公开(公告)号：CN109075242B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201780018528.3

申请日：2017-12-22

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  金玟冏 ,  朴哲熙 ,  朴致成 ,  郑明珍 ,  闵裕镐

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/18 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  H01L31/0272 ,  C01G51/00

Abstract: 本发明提供了一种新化合物半导体和用于制备其的方法，所述新化合物半导体具有提高的热电优值以及优异的导电性，并且因此可以应用于多种用途，例如太阳能电池、热电转换装置的热电转换材料等。

公开(公告)号：CN110178233A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201780083182.5

申请日：2017-12-20

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  朴哲熙 ,  金玟冏 ,  朴致成 ,  郑明珍 ,  闵裕镐

IPC: H01L35/12 ,  H01L35/18 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  H01L31/0272 ,  C01G51/00

Abstract: 本发明提供了由化学式1：SxCo4Sb12-y-zQySnz表示的新的化合物半导体。在化学式1中：Q包括O、Se和Te中的至少一者；x、y和z意指各元素的摩尔比，并且0＜x≤l、0＜y＜12、0＜z＜12、0＜y+z＜12且y≥3x。此外，本发明涉及新的化合物半导体材料及其制备方法，所述新的化合物半导体材料具有优异的电导率以及增强的热电性能指数，从而能够用于各种用途，例如热电转换装置、太阳能电池等的热电转换材料。

公开(公告)号：CN105308766B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201480018809.5

申请日：2014-10-06

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 权五贞 ,  金兑训 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  郑粲烨

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/14

CPC classification number: C01B19/002 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/0272 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 公开了一种能够用于例如热电材料的用途的新化合物半导体材料及其应用。根据本发明的所述化合物半导体可以通过以下化学式1来表示。 Bi1‑xMxCu1‑wTwOa‑yQ1yTebSez。在化学式1中，M是选自Ba、Sr、Ca、Mg、Cs、K、Na、Cd、Hg、Sn、Pb、Mn、Ga、In、Tl、As和Sb中的一种或更多种元素，Q1是选自S、Se、As和Sb中的一种或更多种元素，T是选自过渡金属元素中的一种或更多种元素，0≤x＜1，0＜w＜1，0.2＜a＜1.5，0≤y＜1.5，0≤b＜1.5和0≤z＜1.5。

公开(公告)号：CN105556688A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201480051076.5

申请日：2014-10-17

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  金兑训 ,  朴哲熙

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/16 ,  B22F3/105 ,  B22F2003/1051 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C22C9/00

Abstract: 本发明公开了一种具有优异热电性能的热电材料。根据本发明的热电材料包括含Cu和Se的基质、含Cu颗粒和含Ag结构。

公开(公告)号：CN104904026A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201480003850.5

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  金兑训 ,  朴哲熙 ,  李载骑

IPC: H01L35/14

CPC classification number: H01L35/16 ,  C01B19/007 ,  C01G3/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/74 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/03

Abstract: 公开了一种制造跨宽温度范围具有高热电转换性能的热电材料的方法。根据本发明，制造热电材料的方法包括如下步骤：通过以与如下化学式1对应的方式称量Cu和Se并将其混合来形成混合物；和通过对所述混合物进行热处理来形成合成材料。 CuxSe，其中在化学式1中2＜x≤2.6。

公开(公告)号：CN119013798A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380033858.5

申请日：2023-08-22

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 徐姃贤 ,  高京门 ,  李丞镐 ,  金瑜珍 ,  郑顺和

IPC: H01M4/13 ,  H01M4/62 ,  H01M4/139 ,  H01M4/02

Abstract: 本发明涉及锂可再充电电池用电极和包括其的锂可再充电电池，所述锂可再充电电池用电极包括电极基底和形成在所述电极基底上的多孔层，所述多孔层包含粘结剂树脂和无机细颗粒，所述粘结剂树脂包含具有预定结构的(共聚)聚合物。

公开(公告)号：CN114514444A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202180005501.7

申请日：2021-03-16

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 边真锡 ,  高京门 ,  张影来

IPC: G02B1/113 ,  G02B1/115 ,  G02B1/14 ,  G02B5/30 ,  G09F9/33 ,  H01L27/32

Abstract: 本公开内容涉及抗反射膜，以及包括所述抗反射膜的偏光板、显示装置和有机发光二极管显示装置，所述抗反射膜包括：硬涂层；和低折射率层，其中在所述低折射率层中存在包含中空无机纳米颗粒和实心无机纳米颗粒二者并且具有1.5nm至22nm的厚度的颗粒混合层，以及其中所述抗反射膜在400nm波长下的反射率与在550nm波长下的反射率之比为1.3至2.7。