公开(公告)号：CN108028204B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201680054542.4

申请日：2016-09-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 阴泳信 ,  小山和博 ,  樋口安史 ,  土屋义规 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置具有导电性的基板(1)、沟道形成层、第一电极(4)、以及第二电极(5)。沟道形成层形成在基板上，至少具备一个具有构成漂移区域的第一GaN系半导体层(2)以及与第一GaN系半导体层相比带隙能量更大的第二GaN系半导体层(3)的异质结构造。包含第一GaN系半导体层的极化所带来的电荷在内，第一GaN系半导体层及第二GaN系半导体层所含的电荷的总固定电荷量被设为0.5×1013～1.5×1013cm‑2的范围内。由此，在半导体装置中，实现击穿电压的提高及导通电阻的降低。

公开(公告)号：CN108028204A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054542.4

申请日：2016-09-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 阴泳信 ,  小山和博 ,  樋口安史 ,  土屋义规 ,  星真一

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 半导体装置具有导电性的基板(1)、沟道形成层、第一电极(4)、以及第二电极(5)。沟道形成层形成在基板上，至少具备一个具有构成漂移区域的第一GaN系半导体层(2)以及与第一GaN系半导体层相比带隙能量更大的第二GaN系半导体层(3)的异质结构造。包含第一GaN系半导体层的极化所带来的电荷在内，第一GaN系半导体层及第二GaN系半导体层所含的电荷的总固定电荷量被设为0.5×1013～1.5×1013cm‑2的范围内。由此，在半导体装置中，实现击穿电压的提高及导通电阻的降低。

公开(公告)号：CN107836035A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680041130.7

申请日：2016-06-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樋口安史 ,  星真一 ,  小山和博

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L27/098 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 氮化物半导体装置具备横型的开关器件，所述横型的开关器件具有基板(1)、沟道形成层、源极区域(9)及漏极区域(10)、和栅极区域(6)。源极区域及漏极区域在基板的平面方向的一个方向上相互离开而配置。栅极区域配置在源极区域与漏极区域之间，由p型半导体层构成。栅极区域在基板的平面方向上在与源极区域及漏极区域的排列方向垂直的方向上被分割为多个。由此，能够确保高阻止耐压并且实现更低导通电阻化。

公开(公告)号：CN102403346B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201110266729.X

申请日：2011-09-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 住友正清 ,  樋口安史 ,  深津重光

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348

Abstract: 一种半导体器件，包括漂移层(3)、漂移层(3)上的基极层(4)和沟槽栅极结构(8)。每个沟槽栅极结构包括穿透基极层(4)到达漂移层(3)的沟槽(5)、沟槽(5)的壁表面上的栅极绝缘层(6)以及栅极绝缘层(6)上的栅电极(7)。所述沟槽栅极结构(8)的底部部分位于所述漂移层(3)中并在预定方向上扩展，使得在所述方向中，相邻沟槽栅极结构(8)的所述底部部分之间的距离(L1)小于相邻沟槽栅极结构(8)的开口部分之间的距离(L2)。底部部分中的栅极绝缘层(6)的厚度大于开口部分中的栅极绝缘层(6)的厚度。

公开(公告)号：CN102403346A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110266729.X

申请日：2011-09-07

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 住友正清 ,  樋口安史 ,  深津重光

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348

Abstract: 一种半导体器件，包括漂移层(3)、漂移层(3)上的基极层(4)和沟槽栅极结构(8)。每个沟槽栅极结构包括穿透基极层(4)到达漂移层(3)的沟槽(5)、沟槽(5)的壁表面上的栅极绝缘层(6)以及栅极绝缘层(6)上的栅电极(7)。所述沟槽栅极结构(8)的底部部分位于所述漂移层(3)中并在预定方向上扩展，使得在所述方向中，相邻沟槽栅极结构(8)的所述底部部分之间的距离(L1)小于相邻沟槽栅极结构(8)的开口部分之间的距离(L2)。底部部分中的栅极绝缘层(6)的厚度大于开口部分中的栅极绝缘层(6)的厚度。

公开(公告)号：CN104160512B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201380012757.6

申请日：2013-03-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 荒川和树 ,  住友正清 ,  松井正树 ,  樋口安史 ,  小山和博

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 在半导体装置中，沟槽(5)具有：第1沟槽(5a)，在基极层(4)的表面具有开口部；第2沟槽(5b)，与第1沟槽(5a)连通，对置的侧壁的间隔比第1沟槽(5a)的对置的侧壁的间隔长，并且底部位于漂移层(3)。与第1沟槽(5a)结合的第2沟槽(5b)的结合部(5c)的壁面带有圆度。据此，能够抑制在第1沟槽(5a)与第2沟槽(5b)之间的结合部(5c)的附近发生较大的电场集中。此外，当电子被从沟道区域向漂移层(3)供给时，能够抑制电子的流动方向在结合部(5c)的附近急剧地变化。因此，能够实现导通电阻的降低。

公开(公告)号：CN103828060B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201280047137.1

申请日：2012-09-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 樋口安史 ,  深津重光 ,  住友正清

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66348

Abstract: 在半导体器件中，沟槽栅极（18）具有在漂移层（13）中的底部（18b）和从基极层（14）的表面延伸以与底部连通的连通部（18a）。在x方向上相邻底部之间的距离小于相邻连通部之间的距离。将相邻的沟槽栅极之间的区域在y方向上分割为作为电子注入源的有效区（P）和不用作电子注入源的无效区（Q）。无效区在y方向上的间隔L（1 >0）、连通部在z方向上的长度D1、以及底部在z方向上的长度D2满足L1≤2（D1+D2）。z方向正交于由彼此正交的x方向和y方向所定义的x-y平面。

公开(公告)号：CN104285300A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380024277.1

申请日：2013-04-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小山和博 ,  住友正清 ,  樋口安史

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0722 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861

Abstract: 半导体装置具备：第1导电型的漂移层(2)、在所述漂移层(2)上形成的第2导电型的基极层(3)、在所述基极层(3)的表层部形成的第1导电型的发射极层(7)、所述漂移层(2)之中的与所述基极层(3)相离的第1导电型的缓冲层(11)、在所述缓冲层(11)中选择性地形成的第2导电型的集电极层(12)、与所述基极层(3)之中的所述漂移层(2)和所述发射极层(7)之间的沟道区域接触的栅极绝缘膜(5)、在所述栅极绝缘膜(5)上形成的栅极电极(6)、与所述基极层(3)以及所述发射极层(7)电连接的第1电极(10)、以及与所述缓冲层(11)以及所述集电极层(12)电连接的第2电极(13)。在所述缓冲层(11)中，载流子密度比空间电荷密度小。

公开(公告)号：CN100530653C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200710147106.4

申请日：2007-08-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高桥茂树 ,  中野敬志 ,  赤木望 ,  樋口安史 ,  藤井哲夫 ,  服部佳晋 ,  桑原诚 ,  冈田京子

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7821

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1-3)；设置在衬底(1-3)中的横向MOS晶体管(LTa-LTd)；设置在衬底(1-3)中的齐纳二极管(ZDa-ZDd)；以及设置在衬底(1-3)中的电容器(Ca-Ce)。所述晶体管(LTa-LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa-ZDd)和电容器(Ca-Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。

公开(公告)号：CN101136406A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147106.4

申请日：2007-08-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高桥茂树 ,  中野敬志 ,  赤木望 ,  樋口安史 ,  藤井哲夫 ,  服部佳晋 ,  桑原诚 ,  冈田京子

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7821

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1－3)；设置在衬底(1－3)中的横向MOS晶体管(LTa－LTd)；设置在衬底(1－3)中的齐纳二极管(ZDa－ZDd)；以及设置在衬底(1－3)中的电容器(Ca－Ce)。所述晶体管(LTa－LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa－ZDd)和电容器(Ca－Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。