公开(公告)号：CN110858564A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910782502.7

申请日：2019-08-23

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  长冈健辅

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及加工基板(W)的方法。基板(W)具有一个面(1)和与该面(1)相反的面(6)。基板(W)在所述面(1)上或者在与该面(1)相反的面(6)上具有至少一个凹部(7)。该方法包括：提供保护膜(4)，并将保护膜(4)施加至基板(W)的具有至少一个凹部(7)的面上，使得保护膜(4)的正表面(4a)的至少中央区域与基板(W)的具有至少一个凹部(7)的面直接接触。该方法还包括：向保护膜(4)施加压力，使得保护膜(4)沿所述至少一个凹部(7)的深度的至少一部分进入凹部(7)中；以及对基板(W)的所述面(1)和/或与该面(1)相反的面(6)进行加工。

公开(公告)号：CN106486408B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201610730785.7

申请日：2016-08-26

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种处理晶片的方法，晶片的一侧具有由多个分割线分隔的多个器件的器件区并具有外围边缘区，外围边缘区不具有器件并且围绕器件区形成，其中器件区形成有从晶片的平面突出的多个突起。该方法包括：将用于覆盖晶片上的器件的保护膜附接至晶片的这一侧，其中保护膜用粘合剂附着至晶片的这一侧的至少一部分；以及提供可固化树脂施加到其前表面的载子。该方法进一步包括：晶片的附接有保护膜的这一侧附接至载子的前表面，使得从晶片的平面突出的突起嵌入到可固化树脂中，并且载子的与其前表面相反的后表面大致平行于晶片的与这一侧相反的一面；以及磨削晶片的与这一侧相反的一面以调整晶片厚度。

公开(公告)号：CN109309047B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201810826147.4

申请日：2018-07-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志 ,  古田健次

IPC: H01L21/78

Abstract: 处理衬底的方法。本发明涉及一种处理衬底(2)的方法，该衬底具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，其中，衬底(2)在第一表面(2a)上具有器件区域(20)，该器件区域具有通过多条分割线(22)分隔开的多个器件(21)。方法包括以下步骤：从第一表面(2a)的一侧向具有100μm或更大的厚度的衬底(2)施加用脉冲激光束(LB)，其中，在脉冲激光束(LB)的焦点(P)被定位成沿从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向与第一表面(2a)隔开距离的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着各个分割线(22)的多个位置被施加于衬底(2)。

公开(公告)号：CN108231658B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201711336976.6

申请日：2017-12-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司 ,  卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  服部奈绪

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/02

Abstract: 基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，基板具有上面形成至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。方法包括从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)。基板(2)由对脉冲激光束(LB)透明的材料制成。在脉冲激光束(LB)的焦点(P)位于在从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向上离第一表面(2a)一距离处的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处被施加到基板，以在基板(2)内形成多个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着存在完全布置在基板(2)的本体内的改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。

公开(公告)号：CN110164820A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910110077.7

申请日：2019-02-11

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  R·齐默尔曼 ,  星野仁志

IPC: H01L21/78

Abstract: 本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，晶圆在一个侧面(1)上具有包括多个器件(27)的器件区域(2)。该方法包括：提供保护膜(4)；将保护膜施加到晶圆的一个侧面(1)或晶圆的与一个侧面相对的侧面(6)，使得至少保护膜的前表面(4a)的中央区域与晶圆的一个侧面或晶圆的与一个侧面相对的侧面直接接触。该方法还包括：将保护膜附接至晶圆的一个侧面或晶圆的与一个侧面相对的侧面，使得保护膜的周边部分的至少一部分沿着晶圆的整个圆周附接至晶圆的侧边缘(5)的至少一部分。晶圆的侧边缘从晶圆的一个侧面延伸到晶圆的与一个侧面相对的侧面。而且，该方法包括：处理晶圆的一个侧面/或晶圆的与一个侧面相对的侧面。

公开(公告)号：CN108335974A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810038835.4

申请日：2018-01-16

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司 ,  服部奈绪 ,  卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0876 ,  B23K26/38 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/54 ,  B23K2103/56 ,  B28D5/022 ,  H01L21/304 ,  H01L33/0095

Abstract: 基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，该基板具有其上形成有至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。该方法包括至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)，以在基板(2)中形成多个改性区域(23)，每个改性区域(23)至少从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)延伸。通过利用脉冲激光束(LB)熔化基板材料并允许熔融基板材料再固化来形成每个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着其中已经形成有多个改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。

公开(公告)号：CN106486408A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610730785.7

申请日：2016-08-26

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种处理晶片的方法，晶片的一侧具有由多个分割线分隔的多个器件的器件区并具有外围边缘区，外围边缘区不具有器件并且围绕器件区形成，其中器件区形成有从晶片的平面突出的多个突起。该方法包括：将用于覆盖晶片上的器件的保护膜附接至晶片的这一侧，其中保护膜用粘合剂附着至晶片的这一侧的至少一部分；以及提供可固化树脂施加到其前表面的载子。该方法进一步包括：晶片的附接有保护膜的这一侧附接至载子的前表面，使得从晶片的平面突出的突起嵌入到可固化树脂中，并且载子的与其前表面相反的后表面大致平行于晶片的与这一侧相反的一面；以及磨削晶片的与这一侧相反的一面以调整晶片厚度。

公开(公告)号：CN105931956A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610109044.7

申请日：2016-02-26

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: H01L21/301

Abstract: 晶片分割方法。本发明涉及将一侧具有器件区域的晶片分割成裸片的方法，该器件区域具有由多条分割线划分的多个器件。该方法包括：将保护晶片上的器件的胶带附接至晶片的一侧，通过附接装置将支承胶带的载体附接至胶带的与面向晶片的一侧相反的侧。此外，该方法包括：研磨晶片的与一侧相反的侧以调节晶片厚度；研磨后，将保护层应用到晶片的与一侧相反的侧；和沿分割线切割晶片。以第一切割宽度机械地不完全切割晶片的与一侧相反的侧，在已形成不完全切口或多个不完全切口的区域或多个区域中，以第二切割宽度从晶片的与一侧相反的侧在晶片厚度方向上机械切割和/或激光切割和/或等离子体切割晶片的剩余部分。第二切割宽度小于或等于第一切割宽度。

公开(公告)号：CN101468443A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810185059.7

申请日：2008-12-26

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: B24B7/22 ,  B24B57/02

CPC classification number: B24B7/228 ,  B24B55/03

Abstract: 本发明提供一种磨削装置，其能够降低因在晶片磨削时使用纯水作为磨削液而增大的生产成本。上述磨削装置具有：进行粗磨的第一磨削构件、和进行精磨的第二磨削构件，在第一磨削构件中，回收第二磨削构件中使用过的磨削液的废液来作为磨削液使用，在第二磨削构件中使用纯水作为磨削液。通过这样的结构，使纯水的使用量实质上变为以往的一半，另一方面，即使混入在废液中的磨削屑等混入在晶片上，由于能够在利用第二磨削构件的精磨中除去该磨削屑，所以不会给晶片的质量带来影响。

公开(公告)号：CN108140609B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201580084071.7

申请日：2015-08-31

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，该晶圆(W)在一侧(1)具有器件区域(2)和周边边缘区域(3)，器件区域(2)具有通过多条分割线(11)划分的多个器件，周边边缘区域(3)没有器件并且围绕器件区域(2)形成，其中，器件区域(2)形成有从晶圆(W)的平面表面突出的多个突起(14)。该方法包括：提供保护膜(4)；提供基片(7)，该基片(7)具有施加到其前表面(17)的缓冲层(13)；将用于覆盖晶圆(W)上的器件的保护膜(4)的前表面附接到晶圆(W)的所述一侧(1)，其中，保护膜(4)利用粘合剂(9)粘附到至少周边边缘区域(3)；以及将保护膜(4)的与其前表面相反的后表面附接到缓冲层(13)。从晶圆(W)的平面表面突出的突起(14)被埋入缓冲层(13)中，并且基片(7)的与其前表面(17)相反的后表面(18)基本上平行于晶圆(W)的与所述一侧(1)相反的侧(6)。该方法还包括：研磨晶圆(W)的与所述一侧(1)相反的所述侧(6)以调节晶圆厚度。本发明还涉及一种用在这种处理方法中的保护片材(5,5’)。