公开(公告)号：CN101533801A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910008198.7

申请日：2009-03-13

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/64 ,  H01L2933/0075 ,  H01S5/0201

Abstract: 本发明提供光器件制造方法。该光器件制造方法沿着划分多个光器件的切割道来分割在基板表面上通过光器件层形成多个光器件的光器件晶片，并将散热片接合到各光器件上，该方法包括：散热材料槽形成工序，在散热材料表面上与划分多个光器件的切割道对应的位置处，形成深度相当于散热片完成厚度的槽；散热材料接合工序，使光器件晶片的光器件层的表面和散热材料的表面相对，并通过接合金属层来接合；光器件晶片分割工序，沿切割道切断光器件晶片，分割成各个光器件；保护部件贴附工序，在光器件晶片的基板的背面上，贴附保护部件；散热材料分割工序，磨削散热材料的背面，使背面露出槽，将散热材料分割成与各光器件对应的散热片。

公开(公告)号：CN100385630C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200410090132.4

申请日：2004-11-02

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/31 ,  H01L21/301 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/6834

Abstract: 一种半导体晶片的制造方法，包括：使该支持衬底和该半导体晶片成为整体的一体化工序；用研磨装置的研磨机构研磨半导体晶片背面使其薄型化的研磨加工工序；和用薄膜生成装置用的薄膜生成机构在半导体晶片背面生成薄膜的薄膜生成工序，在一体化工序中，在支持衬底背面，粘附可剥离的保护带实施上述研磨加工工序，在实施上述薄膜生成工序之前完成剥离除去该保护带的保护带剥离除去工序，即使是100μm以下极其之薄加工也不会使半导体晶片产生弯曲，在其半导体晶片背面能形成均匀不含有杂质的高精度薄膜，能使半导体晶片更加薄型化。

公开(公告)号：CN1991872A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610164093.7

申请日：2006-12-07

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 关家一马 ,  梶山启一 ,  荒井一尚

IPC: G06K19/077 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  B23K26/00 ,  B26F1/26

Abstract: 本发明的目的在于高效率地形成用于确定存储卡的插入方向的异形部，提高生产率。提供一种存储卡的制造方法，该存储卡的制造方法包括异形部形成工序和分割工序；该异形部形成工序对多个存储卡统一地形成异形部(9)，该异形部(9)用于确定存储卡相对卡槽的插入方向；该分割工序使分离预定线(5)分离，分割成一个个的存储卡。这样，可对多个存储卡一次形成多个异形部，所以，效率高，可提高生产率。

公开(公告)号：CN104282581A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410320031.5

申请日：2014-07-07

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/0092 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2457/14 ,  C09J5/02 ,  C09J2205/31 ,  C09J2400/226 ,  C09J2400/228 ,  H01L24/29 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供树脂片粘贴方法，能够以均匀的厚度在被加工物上粘贴树脂片。在将树脂片粘贴到被加工物的树脂片粘贴方法中，包括：低分子量化处理步骤，对树脂片的表面照射真空紫外线，在树脂片的表面起至几十nm的深度范围内切断分子间键合，实施低分子量化处理来生成粘接力；以及树脂片粘贴步骤，将实施低分子量化处理后的树脂片的表面粘贴到被加工物。

公开(公告)号：CN102969236A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210316434.3

申请日：2012-08-30

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B23K26/3568 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/00 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供晶片的分割方法，在通过照射激光光线而在晶片的内部形成改质层，以改质层为起点将晶片分割成各个器件时，不使器件的品质和抗折强度下降。将相对于晶片（W）具有透过性的波长的激光光线（31a）会聚到分割预定线（L）的内部来形成从晶片（W）的表面侧到背面侧的改质层（R2），将蚀刻气体或蚀刻液供给到晶片（W），使改质层（R2）侵蚀而将晶片（W）分割成各个器件。通过蚀刻使改质层侵蚀，从而由于改质层不会粉碎，因此能够不产生细粉末来分割成器件，由于不会使细粉末附着在器件的表面而使器件的品质下降，并且通过蚀刻来去除改质层，因此能够防止由改质层的残留引起的器件的抗折强度的下降。

公开(公告)号：CN1309059C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN03822905.6

申请日：2003-08-20

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚 ,  山铜英之

IPC: H01L23/32 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49149 ,  Y10T29/49204 ,  Y10T29/49222 ,  Y10T82/10

Abstract: 关于配置了形成多个球形电极的端子的基板，可在使多个端子(4)从被覆了抗蚀剂膜的基板(2)表面突出之后，在保留抗蚀剂膜的状态下，通过将基板(2)保持在可旋转的卡盘台(17)上边使卡盘台(17)旋转，边将车刀(19)抵在被覆了抗蚀剂膜的面上车削多个端子(4)，可使转接板(1)之类的多个端子以极其小的间隔突出的端子基板的头部高度一致的情况下，既不造成端子间短路，又可高效而又经济地进行加工。

公开(公告)号：CN1685503A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822905.6

申请日：2003-08-20

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚 ,  山铜英之

IPC: H01L23/32

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/15311 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49149 ,  Y10T29/49204 ,  Y10T29/49222 ,  Y10T82/10

Abstract: 关于配置了形成多个球形电极的端子的基板，可在使多个端子(4)从被覆了抗蚀剂膜的基板(2)表面突出之后，在保留抗蚀剂膜的状态下，通过将基板(2)保持在可旋转的卡盘台(17)上边使卡盘台(17)旋转，边将车刀(19)抵在被覆了抗蚀剂膜的面上车削多个端子，(4)可使转接板(1)之类的多个端子以极其小的间隔突出的端子基板的头部高度一致的情况下，既不造成端子间短路，又可高效而又经济地进行加工。

公开(公告)号：CN1677623A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510059595.9

申请日：2005-03-30

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  H01L21/301 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02043 ,  B24B7/228 ,  B24B41/068 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明即使对于薄的晶片加工时也可以容易地进行处理。在晶片(W)的表面之中的、不形成器件的外周剩余区域上接合环状保护构件(12)，在该状态下保持表面侧并研削背面(Wb)。由于环状保护构件(12)增强外周，所以在由研削而变薄后，处理变得容易。

公开(公告)号：CN1619779A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410090132.4

申请日：2004-11-02

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/31 ,  H01L21/301 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/6834

Abstract: 一种半导体晶片的制造方法，包括：使该支持衬底和该半导体晶片成为整体的一体化工序；用研磨装置的研磨手段研磨半导体晶片背面使其薄型化的研磨加工工序；和用薄膜生成装置用的薄膜生成手段在半导体晶片背面生成薄膜的薄膜生成工序，在一体化工序中，在支持衬底背面，粘附可剥离的保护带实施上述研磨加工工序，在实施上述薄膜生成工序之前完成剥离除去该保护带的保护带剥离除去工序，即使是100μm以下极其之薄加工也不会使半导体晶片产生弯曲，在其半导体晶片背面能形成均匀不含有杂质的高精度薄膜，能使半导体晶片更加薄型化。