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公开(公告)号：CN101248499A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200680031226.1
申请日：2006-10-10
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C25D3/12 , C25D5/02 , C25D7/00 , C25D21/10 , H01G4/2325 , H01G4/30 , Y10T29/435 , Y10T29/49126 , Y10T29/49147 , Y10T29/49163 , Y10T29/49204
Abstract: 本发明提供一种层叠型电子部件及其制造方法，通过在层叠型电子部件所具备的层叠体的规定的面上，且多个内部电极的各端部露出的部位，直接实施电解镀敷，能够以良好的品质形成使多个内部电极的各端部相互电连接的外部电极。作为层叠体(5)，准备如下结构：在内部电极(3a、3b)露出的端面(6)上相邻内部电极(3a、3b)相互电绝缘，并且沿绝缘体层(2)的厚度方向测定的相邻内部电极(3a、3b)间的间隔(s)为10μm以下，且内部电极(3a、3b)相对于端面(6)的缩入长度(d)为1μm以下。在电解镀敷工序中，使在多个内部电极(3a、3b)的端部析出的电解镀敷析出物相互连接地使该电解镀敷析出物成长。
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公开(公告)号：CN1842615A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000819.7
申请日：2005-08-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 国司多通夫
IPC: C23C18/31
CPC classification number: C23C18/1637 , C23C18/31
Abstract: 使得不需要事先的催化剂赋予工序，而在非导电性被镀物上通过无电镀经济地形成粘合力高的镀膜。在添加形成镀膜(5)的金属离子(M+)和使金属离子析出的还原剂(R)的镀浴(1)中投入对还原剂(R)的氧化反应表现出催化活性的导电性介质(2)。金属离子接受由还原剂的氧化反应产生的电子而被还原，在介质(2)的表面析出，由此产生的析出金属(3)附着在介质(2)的表面。析出金属(3)通过在介质(2)撞击被镀物(4)时压附在被镀物(4)的表面而转移到被镀物(4)的表面，以该析出金属(3)作为核，形成镀膜(5)。
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公开(公告)号：CN1428457A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02157445.6
申请日：2002-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 为能廉价并且只在所希望的部位容易地生成所希望的镀膜，使平均直径为1mm并且电化学上浸渍电位低于Ni的析出电位的许多Zn片在镀浴中与上述被敷镀物体混合，Zn溶解而放出电子，使与Zn接触的Cu的电极电位往低的方向偏移，由此Ni析出到电极上，在电极表面生成Ni镀膜3。按照同样的方法把Zn浸渍在锡镀浴中，Zn溶解而放出电子，使与Zn接触的Ni镀膜3的电位往低的方向偏移，由此在Ni镀膜3上析出Sn而形成Sn镀膜4。
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公开(公告)号：CN110268489B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201880010637.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种陶瓷电子部件的制造方法以及陶瓷电子部件，能够在由包含钛的金属氧化物构成的陶瓷坯体的表面的任意的部位形成电镀电极。陶瓷电子部件的制造方法具备如下的工序：准备含有包含钛的金属氧化物的陶瓷坯体(10)；向陶瓷坯体的表层部的一部分照射峰值功率密度1×106W/cm2～1×109W/cm2、频率500kHz以下的脉冲激光，对金属氧化物进行改质来形成低电阻部；以及在低电阻部上通过电解电镀处理而形成电极。BaTiO3这样的包含钛的金属氧化物通过基于激光照射的加热而生成O缺陷，形成n型半导体。该半导体部分的电阻值比金属氧化物低，因此能够通过电解电镀而使电镀金属选择性地析出。
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公开(公告)号：CN102265359B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980152484.9
申请日：2009-10-28
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/105 , H01G4/1209 , H01G4/30 , H01L41/273 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供在内部含导电体的陶瓷体中，可更有效地防止水分对导电体与陶瓷体之间的空隙的浸入的陶瓷体的制造方法。使含氧化物溶胶前体的超临界流体浸入至内部电极层(11)和陶瓷层叠体(10)之间的空隙中。随后，通过使氧化物溶胶凝胶化、热处理，在内部电极层11和陶瓷层叠体(10)之间的空隙中填充氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102893349A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180024697.0
申请日：2011-05-02
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/12 , H01C7/008 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01G4/005 , H01G4/30 , H01L41/0472 , H01L41/083 , H01L41/273 , H05K1/0306
Abstract: 本发明提供在内部包含导电体的陶瓷体中能够更有效地防止水分向导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入的陶瓷体及其制造方法。在内部电极层(11)与陶瓷层叠体(10)之间的空隙中浸入包含单体的超临界流体。之后，通过使单体聚合，在内部电极层(11)与陶瓷层叠体(10)之间的空隙中填充聚合物。
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公开(公告)号：CN101604574B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200910004653.6
申请日：2009-03-02
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/005 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/30 , Y10T29/435
Abstract: 层叠陶瓷电子部件，外部电极包含多个电镀层，外部电极的至少与内部电极直接连接的部分，由电镀层构成，而且在与内部电极直接连接的电镀层的外侧，具备玻璃粒子分散的电镀层。在不形成糊电极等地直接在内部电极的露出面上形成层叠陶瓷电容器的外部电极时，防止水分从电镀层的端缘部浸入层叠体的内部，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN102265359A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152484.9
申请日：2009-10-28
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/105 , H01G4/1209 , H01G4/30 , H01L41/273 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供在内部含导电体的陶瓷体中，可更有效地防止水分对导电体与陶瓷体之间的空隙的浸入的陶瓷体的制造方法。使含氧化物溶胶前体的超临界流体浸入至内部电极层(11)和陶瓷层叠体(10)之间的空隙中。随后，通过使氧化物溶胶凝胶化、热处理，在内部电极层11和陶瓷层叠体(10)之间的空隙中填充氧化物。
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公开(公告)号：CN101248499B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200680031226.1
申请日：2006-10-10
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C25D3/12 , C25D5/02 , C25D7/00 , C25D21/10 , H01G4/2325 , H01G4/30 , Y10T29/435 , Y10T29/49126 , Y10T29/49147 , Y10T29/49163 , Y10T29/49204
Abstract: 本发明提供一种层叠型电子部件及其制造方法，通过在层叠型电子部件所具备的层叠体的规定的面上，且多个内部电极的各端部露出的部位，直接实施电解镀敷，能够以良好的品质形成使多个内部电极的各端部相互电连接的外部电极。作为层叠体(5)，准备如下结构：在内部电极(3a、3b)露出的端面(6)上相邻内部电极(3a、3b)相互电绝缘，并且沿绝缘体层(2)的厚度方向测定的相邻内部电极(3a、3b)间的间隔(s)为10μm以下，且内部电极(3a、3b)相对于端面(6)的缩入长度(d)为1μm以下。在电解镀敷工序中，使在多个内部电极(3a、3b)的端部析出的电解镀敷析出物相互连接地使该电解镀敷析出物成长。
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公开(公告)号：CN101128623B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200680006393.0
申请日：2006-02-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C25D5/54 , C25D3/30 , C25D11/34 , H01G4/005 , H01G4/1227 , H01G13/00 , Y10T29/42 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/4902
Abstract: 一种陶瓷电子部件的制造方法，包括：准备使用含Ba的陶瓷而构成的电子部件形成体的工序；在所述电子部件形成体的外表面形成电极的工序，并且该电极具有通过电镀所形成的Sn镀膜，其特征在于，作为在形成所述Sn镀膜时所使用的镀浴，使用Sn离子浓度A为0.03～0.51摩尔/L、硫酸根离子浓度B为0.005～0.31摩尔/L、摩尔比B/A低于1、pH在6.1～10.5的范围内的镀浴。根据本发明，能够提供在Sn镀膜的形成之际，Ba从电子部件形成体的溶出难以发生，不仅由Sn镀膜造成的电子部件形成体彼此间的粘合难以发生，并且可钎焊性良好的陶瓷电子部件的制造方法。
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