-
公开(公告)号：CN102893349B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180024697.0
申请日：2011-05-02
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/12 , H01C7/008 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01G4/005 , H01G4/30 , H01L41/0472 , H01L41/083 , H01L41/273 , H05K1/0306
Abstract: 本发明提供在内部包含导电体的陶瓷体中能够更有效地防止水分向导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入的陶瓷体及其制造方法。在内部电极层(11)与陶瓷层叠体(10)之间的空隙中浸入包含单体的超临界流体。之后，通过使单体聚合，在内部电极层(11)与陶瓷层叠体(10)之间的空隙中填充聚合物。
-
公开(公告)号：CN1428457A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02157445.6
申请日：2002-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 为能廉价并且只在所希望的部位容易地生成所希望的镀膜，使平均直径为1mm并且电化学上浸渍电位低于Ni的析出电位的许多Zn片在镀浴中与上述被敷镀物体混合，Zn溶解而放出电子，使与Zn接触的Cu的电极电位往低的方向偏移，由此Ni析出到电极上，在电极表面生成Ni镀膜3。按照同样的方法把Zn浸渍在锡镀浴中，Zn溶解而放出电子，使与Zn接触的Ni镀膜3的电位往低的方向偏移，由此在Ni镀膜3上析出Sn而形成Sn镀膜4。
-
公开(公告)号：CN103077825A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310005882.6
申请日：2011-04-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子元件的制造方法，以克服如果水分浸入到了陶瓷电子元件所具有的空隙部分中的话，则电绝缘性及寿命特性即陶瓷电子元件的可靠性降低这样的课题。为了防止水分浸入到空隙部分，使用疏水处理剂至少对陶瓷电子元件1的元件主体2赋予疏水性。此时，使用以超临界CO2流体这样的超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂，至少对元件主体2赋予疏水性。优选在赋予疏水性之后，去除元件主体2的外表面上的疏水处理剂。作为疏水处理剂，适宜使用硅烷偶联剂。
-
公开(公告)号：CN1139676C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN00102218.0
申请日：2000-02-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C25D3/60
CPC classification number: C25D3/60
Abstract: 一种pH约为2.0-9.0的Sn-Bi镀浴，它包含Bi3+离子；Sn2+离子；配位剂(I)和配位剂(II)。配位剂(I)可以是(a)有1-3个碳原子烷基的脂族二羧酸，(b)有1-3个碳原子烷基的脂族羟基单羧酸，(c)有1-4个碳原子烷基的脂族羟基多羧酸，(d)单糖类、通过部分氧化单糖制得的多羟基羧酸、及其环酯化合物，或(e)稠合磷酸。配位剂(II)可以是(s)乙二胺四乙酸(EDTA)，(t)氨三乙酸(NTA)，或(u)反式-1，2-环己二胺四乙酸(CyDTA)。
-
公开(公告)号：CN105164052A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480024520.4
申请日：2014-03-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C01G23/00
CPC classification number: C01G23/006 , C04B35/4682 , C04B2235/5409 , C04B2235/761 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , Y02P20/544
Abstract: 提供一种可以应对层叠陶瓷电容器等的元件厚度的薄层化、即使粒径微细至80～150nm也能够制造正方晶性高的钛酸钡粉末的钛酸钡的制造方法。通过将比最终制造的钛酸钡粉末更微粒的钛酸钡粉末分散在例如乙醇等溶剂中，从而制作浆料。然后，在制造装置10的高压容器20中，将浆料中的溶剂置换为例如由二氧化碳气体构成的超临界流体。之后，通过将超临界流体气化而分离钛酸钡粉末。然后，对分离后的钛酸钡粉末进行热处理。由此，制造钛酸钡粉末。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102265359B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980152484.9
申请日：2009-10-28
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/105 , H01G4/1209 , H01G4/30 , H01L41/273 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供在内部含导电体的陶瓷体中，可更有效地防止水分对导电体与陶瓷体之间的空隙的浸入的陶瓷体的制造方法。使含氧化物溶胶前体的超临界流体浸入至内部电极层(11)和陶瓷层叠体(10)之间的空隙中。随后，通过使氧化物溶胶凝胶化、热处理，在内部电极层11和陶瓷层叠体(10)之间的空隙中填充氧化物。
-
公开(公告)号：CN102893349A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180024697.0
申请日：2011-05-02
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/12 , H01C7/008 , H01F17/0013 , H01F27/292 , H01G4/005 , H01G4/30 , H01L41/0472 , H01L41/083 , H01L41/273 , H05K1/0306
Abstract: 本发明提供在内部包含导电体的陶瓷体中能够更有效地防止水分向导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入的陶瓷体及其制造方法。在内部电极层(11)与陶瓷层叠体(10)之间的空隙中浸入包含单体的超临界流体。之后，通过使单体聚合，在内部电极层(11)与陶瓷层叠体(10)之间的空隙中填充聚合物。
-
公开(公告)号：CN102265359A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152484.9
申请日：2009-10-28
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/105 , H01G4/1209 , H01G4/30 , H01L41/273 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供在内部含导电体的陶瓷体中，可更有效地防止水分对导电体与陶瓷体之间的空隙的浸入的陶瓷体的制造方法。使含氧化物溶胶前体的超临界流体浸入至内部电极层(11)和陶瓷层叠体(10)之间的空隙中。随后，通过使氧化物溶胶凝胶化、热处理，在内部电极层11和陶瓷层叠体(10)之间的空隙中填充氧化物。
-
公开(公告)号：CN1428458A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02157490.1
申请日：2002-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K3/244 , C23C18/1607 , C23C18/1651 , C23C18/1669 , C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/44 , C23C18/54
Abstract: 为能以低成本仅在所要求的部位形成所希望的镀膜，在加入了次磷酸钠(NaH2PO2)作为还原剂的含有Ni盐的镀浴中，将被敷镀物与对上述还原剂的氧化反应显现催化活性的平均粒径1mm的Ni片混合而进行自催化型无电敷镀，在由Cu、Ag或Ag－Pd形成的电极2上形成Ni－P镀膜3，然后在含Au盐的镀浴中浸渍该被敷镀物而进行置换型无电敷镀，在Ni－P镀膜3的表面形成Au镀膜。
-
公开(公告)号：CN102290239B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201110114209.7
申请日：2011-04-29
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种陶瓷电子元件的制造方法，以克服如果水分浸入到了陶瓷电子元件所具有的空隙部分中的话，则电绝缘性及寿命特性即陶瓷电子元件的可靠性降低这样的课题。为了防止水分浸入到空隙部分，使用疏水处理剂至少对陶瓷电子元件(1)的元件主体(2)赋予疏水性。此时，使用以超临界CO2流体这样的超临界流体为溶剂溶解后的疏水处理剂，至少对元件主体(2)赋予疏水性。优选在赋予疏水性之后，去除元件主体(2)的外表面上的疏水处理剂。作为疏水处理剂，适宜使用硅烷偶联剂。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.033 seconds)
