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公开(公告)号:CN1224065C
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN01121006.0
申请日:1997-06-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , H01G4/008 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡,其中杂质,碱金属氧化物的含量低于0.02重量%;至少一种选自氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒和氧化镱的稀土氧化物;氧化锰和非必要的氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔氧化镁,以MgO计,和0.2至5.0摩尔氧化硅作为次要组分,以SiO2计:(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-xNix)O,其中Re2O3是选自Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述:0.0025≤α≤0.020;0.0025≤β≤0.04;β/α≤4;0≤x<1.0;1.000<m≤1.035。
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公开(公告)号:CN1090371C
公开(公告)日:2002-09-04
申请号:CN97102285.2
申请日:1997-01-16
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/468 , C04B35/495 , H01G4/1227 , H01G4/1254
Abstract: 本发明揭示了一种绝缘陶瓷组合物,包括摩尔比为100/0.5至100/5.0的主要组分和次要组分,以及相对于100份重量的所述主要组分和次要组分的总量为0.2至3.0份重量的辅助组分,本发明也揭示了由该陶瓷组合物制造的叠层陶瓷电容器。该绝缘陶瓷组合物即使在低氧分压的气氛中烧结,也不可能成为半导体,其介电常数高于3000,绝缘电阻与静电量的乘积(CR)大于6000Ω·F。
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公开(公告)号:CN1224064C
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN01121003.6
申请日:1997-07-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , H01G4/008 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡,其中杂质,至少一种碱金属氧化物的含量低于0.02重量%;氧化钪、氧化钇中的至少一种、氧化锰和非必要的氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔氧化镁,以MgO计,和0.2至5.0摩尔氧化硅作为次要组分,以SiO2计:(1-α-β){BaO}m·TiO2+αM2O3+β(Mn1-xNix)O,其中M2O3是选自Sc2O3和Y2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述:0.0025≤α≤0.020;0.0025≤β≤0.04;β/α≤4;0≤x<1.0;1.000<m≤1.035。
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公开(公告)号:CN1093103C
公开(公告)日:2002-10-23
申请号:CN99117792.4
申请日:1999-08-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/465 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种包含镍内电极的高可靠性叠层陶瓷电容器,它在高电场下介电常数下降较小并满足B/X7R级特性标准。对于100重量份(Ba1-xCaxO)mTiO2+αRe2O3+βMgO+γMnO主要组分,介电材料含有0.2-5.0重量份Li2O-(Si,Ti)O2-MO系氧化物,MO是选自Al2O3和ZrO2中的至少一种化合物,或SiO2-TiO2-XO系氧化物,XO是选自BaO、CaO、SrO、MgO、ZnO和MnO中的至少一种化合物,其中Re2O3是选自Y2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3的至少一种化合物。
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公开(公告)号:CN1085635C
公开(公告)日:2002-05-29
申请号:CN97113744.7
申请日:1997-07-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡;氧化钪、氧化钇、氧化锰和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔(以MgO计)氧化镁,和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分:(1-α-β){BaO}Mm·TiO2+αM2O3+β(Mn1-xNix)O其中M2O3是选自Sc2O3和Y2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述:0.0025≤α≤0.020 0.0025≤β≤0.04 β/α≤4 0≤x<1.0 1.000<nm≤1.035。
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公开(公告)号:CN1285334A
公开(公告)日:2001-02-28
申请号:CN00122765.3
申请日:2000-08-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 一种含BaTiO3主要组分和稀土元素附加组分的介电陶瓷材料,它满足0.7≤M/N使晶粒中稀土元素有均匀的密度;满足0.8≤L/N使一颗晶粒中稀土元素有均匀的密度。式中M是满足0.5≤Di/D的晶粒数,N是构成陶瓷材料的晶粒数,L是满足0.5≤Di/D和Si/D≤0.3的晶粒数;DI是任意一颗晶粒i中稀土元素平均密度,D是整个陶瓷材料中稀土元素的平均密度,SI是晶粒i中稀土元素平均密度的标准偏差。
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公开(公告)号:CN1154562A
公开(公告)日:1997-07-16
申请号:CN96116727.0
申请日:1996-12-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 本发明揭示了一种叠层陶瓷电容器,包括由下列组成式为主要组分的陶瓷组合物制成的介电陶瓷层:(1-α-β){BaO}m·TiO2+α{(1-x)M2O3+xRe2O3}+β(Mn1-y-zNiyCoz)O(0.0025≤α≤0.025;0.0025≤β≤0.05;β/α≤4;0
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公开(公告)号:CN1396607A
公开(公告)日:2003-02-12
申请号:CN02105152.6
申请日:1999-02-23
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供的介电陶瓷组合物具有极低的温度依赖性;该组合物可以在还原气氛下焙烧,有利于在由非贵重金属,如镍或镍合金形成的内电极的层叠的陶瓷电容器上使用。该介电陶瓷组合物可由{Ba1-xCaxO}mTiO2+αMgO+βMnO表示,其中0.001≤α≤0.05;0.001≤β≤0.025;1.000<m≤1.035;0.02≤x≤0.15。还公开了由该介电陶瓷组合物形成的电容器及其制备方法。
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公开(公告)号:CN1085636C
公开(公告)日:2002-05-29
申请号:CN97113832.X
申请日:1997-06-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡;至少一种选自氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒和氧化镱的稀土氧化物;氧化锰和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔(以MgO计)氧化镁,和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分:(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-xNix)O其中Re2O3是选自Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述:0.0025≤α≤0.020 0.0025≤β≤0.04 β/α≤4 0≤x<1.0 1.000<m≤1.035。
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