公开(公告)号：CN1224064C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN01121003.6

申请日：1997-07-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/008 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有：钛酸钡，其中杂质，至少一种碱金属氧化物的含量低于0.02重量%；氧化钪、氧化钇中的至少一种、氧化锰和非必要的氧化镍；并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分，含有0.5至3.0摩尔氧化镁，以MgO计，和0.2至5.0摩尔氧化硅作为次要组分，以SiO2计：(1-α-β){BaO}m·TiO2+αM2O3+β(Mn1-xNix)O，其中M2O3是选自Sc2O3和Y2O3中的至少一种；α、β、m和x如下所述：0.0025≤α≤0.020；0.0025≤β≤0.04；β/α≤4；0≤x＜1.0；1.000＜m≤1.035。

公开(公告)号：CN1085635C

公开(公告)日：2002-05-29

申请号：CN97113744.7

申请日：1997-07-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有：钛酸钡；氧化钪、氧化钇、氧化锰和氧化镍；并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分，含有0.5至3.0摩尔(以MgO计)氧化镁，和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分：(1-α-β){BaO}Mm·TiO2+αM2O3+β(Mn1-xNix)O其中M2O3是选自Sc2O3和Y2O3中的至少一种；α、β、m和x如下所述：0.0025≤α≤0.020 0.0025≤β≤0.04 β/α≤4 0≤x＜1.0 1.000＜nm≤1.035。

公开(公告)号：CN1285334A

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：CN00122765.3

申请日：2000-08-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 平松隆 ,  池田润 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: C04B35/01 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 一种含BaTiO3主要组分和稀土元素附加组分的介电陶瓷材料,它满足0.7≤M/N使晶粒中稀土元素有均匀的密度;满足0.8≤L/N使一颗晶粒中稀土元素有均匀的密度。式中M是满足0.5≤Di/D的晶粒数,N是构成陶瓷材料的晶粒数,L是满足0.5≤Di/D和Si/D≤0.3的晶粒数;DI是任意一颗晶粒i中稀土元素平均密度,D是整个陶瓷材料中稀土元素的平均密度,SI是晶粒i中稀土元素平均密度的标准偏差。

公开(公告)号：CN1173725A

公开(公告)日：1998-02-18

申请号：CN97115401.5

申请日：1997-07-17

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 和田博之 ,  佐野晴信 ,  坂本德彦

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/468 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种带有介电陶瓷层的叠层陶瓷电容器,该介电陶瓷层的材料包括钛酸钡(其中碱金属氧化物杂质的含量不大于约0.02%(重量)),氧化锰,氧化钴和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有约0.5至5.0摩尔(以MgO计)的氧化镁,(1－α－β－γ){BaO}m·TiO2+αM2O3+βRe2O3+γ(Mn1-x-yNixCoy)O，其中M2O3为Sc2O3和Y2O3中的至少一种;Re2O3是Sm2O3和Eu2O3中的至少一种;α、β、γ、m、x、和y为:0.0025≤α+β≤0.025，0≤β≤0.0075,0.0015≤γ≤0.05,γ/(α+β)≤4,0≤x

公开(公告)号：CN1154562A

公开(公告)日：1997-07-16

申请号：CN96116727.0

申请日：1996-12-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 坂本宪彦 ,  佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种叠层陶瓷电容器，包括由下列组成式为主要组分的陶瓷组合物制成的介电陶瓷层：(1-α-β){BaO}m·TiO2+α{(1-x)M2O3+xRe2O3}+β(Mn1-y-zNiyCoz)O(0.0025≤α≤0.025；0.0025≤β≤0.05；β/α≤4；0

公开(公告)号：CN104335306A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380026431.9

申请日：2013-04-30

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 和田博之 ,  平田阳介 ,  平松隆 ,  齐藤义人 ,  辻英昭 ,  鹈饲洋行

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232

CPC classification number: H01G4/258 ,  H01C7/1006 ,  H01C7/102 ,  H01C7/18 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 提供一种不会因内部电极层的间断而引起性能降低、耐热冲击性良好且可靠性较高的层叠陶瓷电子部件。层叠部(10)之中，将包含与外层部(20)相接的区域的外层部附近区域形成为热冲击缓和部(11)，该热冲击缓和部(11)包括弯曲的陶瓷层(1(1a))、及厚度根据位置而平滑地变化的内部电极层(2(2a))；将较热冲击缓和部更靠内侧的区域形成为通常层叠部(12)，该通常层叠部(12)包括弯曲的程度小于热冲击缓和部(11)的陶瓷层(1(1a))的陶瓷层(1(1b))、及根据沿外层部(20)的主面的方向上的位置而产生的厚度的变化程度小于热冲击缓和部(11)的内部电极层(2(2b))小的内部电极层(2(2b))；热冲击缓和部中，将陶瓷层的厚度的CV值设为15％以下，将至少1层的内部电极层的厚度的CV值设为40％以上，将对相互相邻的一组陶瓷层观察时中点间距离的CV值设为40％以上。

公开(公告)号：CN103125006A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201280003009.7

申请日：2012-02-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岛田康平 ,  和田博之 ,  荒木启辅 ,  吉冈宏幸 ,  石桥正人

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/49 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1209 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/588 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供能够抑制因钒的添加而导致的绝缘电阻的劣化的层叠陶瓷电容器。在第一绝缘层(32、34、36、38)相互层叠的第一绝缘层组(30)的层叠方向两侧层叠有第二绝缘层(20、22)，在第一绝缘层(32、34、36、38)的主面配置有内部电极(14)。内部电极(14)中的至少一个(14x)被配置于第一绝缘层(32)与第二绝缘层(20)之间。第一绝缘层(32、34、36、38)和第二绝缘层(20、22)，在将Ba、Sr、Ca中的至少一个用“A”表示、将Ti、Zr、Hf中的至少一个用“B”表示、将氧用“O”表示时，以化学式″ABO3″所表示的钙钛矿系化合物作为主成分。第一绝缘层(32、34、36、38)和第二绝缘层(20、22)中，仅第一绝缘层(32、34、36、38)中添加有V。

公开(公告)号：CN1326204A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN01121006.0

申请日：1997-06-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡;至少一种选自氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒和氧化镱的稀土氧化物;氧化锰和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔(以MgO计)氧化镁,和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分:(1－α－β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-xNix)O,其中Re2O3是选自Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述:0.0025≤α≤0.020,0.0025≤β≤0.04,β/α≤4 ,0≤x

公开(公告)号：CN1326203A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN01121003.6

申请日：1997-07-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/008

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡;氧化钪、氧化钇、氧化锰和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔(以MgO计)氧化镁,和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分:(1－α－β){BaO}m·TiO2+αM2O3+β(Mn1-xNix)O,其中M2O3是选自Sc2O3和Y2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述: 0.0025≤α≤0.020,0.0025≤β≤0.04,β/α≤4,0≤x

公开(公告)号：CN1156318A

公开(公告)日：1997-08-06

申请号：CN96116728.9

申请日：1996-12-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005

CPC classification number: C04B35/468

Abstract: 本发明揭示了一种叠层陶瓷电容器，包括由下列组成式为主要组分的陶瓷组合物制成的介电陶瓷层：(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-x-yNixCoY)O(0.0025≤α≤0.025；0.0025≤β≤0.05；β/α≤4；0≤x＜1.0；0≤y＜1.0；0≤x+y＜1.0；1.000＜m≤1.035；它以所述主要组分为基准，还含有0.5至5.0％(摩尔)的次要组分氧化镁，和0.2至3.0％(重量)SiO2-TiO2-MO类氧化物。