公开(公告)号：CN103125006A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201280003009.7

申请日：2012-02-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岛田康平 ,  和田博之 ,  荒木启辅 ,  吉冈宏幸 ,  石桥正人

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/49 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1209 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/588 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供能够抑制因钒的添加而导致的绝缘电阻的劣化的层叠陶瓷电容器。在第一绝缘层(32、34、36、38)相互层叠的第一绝缘层组(30)的层叠方向两侧层叠有第二绝缘层(20、22)，在第一绝缘层(32、34、36、38)的主面配置有内部电极(14)。内部电极(14)中的至少一个(14x)被配置于第一绝缘层(32)与第二绝缘层(20)之间。第一绝缘层(32、34、36、38)和第二绝缘层(20、22)，在将Ba、Sr、Ca中的至少一个用“A”表示、将Ti、Zr、Hf中的至少一个用“B”表示、将氧用“O”表示时，以化学式″ABO3″所表示的钙钛矿系化合物作为主成分。第一绝缘层(32、34、36、38)和第二绝缘层(20、22)中，仅第一绝缘层(32、34、36、38)中添加有V。

公开(公告)号：CN116469685A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202211742031.5

申请日：2022-12-29

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 吉冈宏幸

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005

Abstract: 本发明的层叠陶瓷电容器具有层叠体、第1外部电极和第2外部电极，层叠体具有内层部、第1主面侧外层部、第2主面侧外层部、第1侧面侧外层部和第2侧面侧外层部，第1主面侧外层部或第2主面侧外层部的层叠方向上的长度尺寸相对于层叠体的层叠方向上的长度尺寸之比为0.04以上且0.10以下，第1侧面侧外层部或第2侧面侧外层部的宽度方向上的宽度尺寸相对于层叠体的宽度方向上的宽度尺寸之比为0.02以上且0.05以下，在第1及第2侧面侧外层部存在多个第1空隙，层叠体的剖面中的第1侧面侧外层部或第2侧面侧外层部的第1空隙的面积的总和相对于第1侧面侧外层部或第2侧面侧外层部的面积之比为0.02％以上且0.2％以下。

公开(公告)号：CN103125006B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201280003009.7

申请日：2012-02-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 岛田康平 ,  和田博之 ,  荒木启辅 ,  吉冈宏幸 ,  石桥正人

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/49 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1209 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/588 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供能够抑制因钒的添加而导致的绝缘电阻的劣化的层叠陶瓷电容器。在第一绝缘层(32、34、36、38)相互层叠的第一绝缘层组(30)的层叠方向两侧层叠有第二绝缘层(20、22)，在第一绝缘层(32、34、36、38)的主面配置有内部电极(14)。内部电极(14)中的至少一个(14x)被配置于第一绝缘层(32)与第二绝缘层(20)之间。第一绝缘层(32、34、36、38)和第二绝缘层(20、22)，在将Ba、Sr、Ca中的至少一个用“A”表示、将Ti、Zr、Hf中的至少一个用“B”表示、将氧用“O”表示时，以化学式″ABO3″所表示的钙钛矿系化合物作为主成分。第一绝缘层(32、34、36、38)和第二绝缘层(20、22)中，仅第一绝缘层(32、34、36、38)中添加有V。