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公开(公告)号：CN110957135B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201910914294.1
申请日：2019-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 荒木启辅
Abstract: 一种层叠陶瓷电容器(10)，具备由电介质层(12)与内部电极(13a、13b)交替层叠多层而得的层叠体(11)及外部电极(14a、14b)。电介质层(12)包含配置在与层叠方向垂直的面的面方向上并含有Ba、Ti及稀土类元素的第一晶粒、和配置在面方向上并含有Ba、Ti及稀土类元素的第二晶粒。关于从第一晶粒的界面起50nm以内的范围的稀土类元素对Ti的摩尔比M1、及从界面起50nm以上100nm以下的范围内的稀土类元素对Ti的摩尔比M2，0.95≤M1/M2≤1.05的关系成立。第二晶粒内的稀土类元素对Ti的摩尔比是第一晶粒内的稀土类元素对Ti的摩尔比的一半以下，在第二晶粒之间包含的稀土类元素的浓度低于在第一晶粒之间包含的稀土类元素的浓度。由此能抑制高温环境下的绝缘电阻的劣化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110957135A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910914294.1
申请日：2019-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 荒木启辅
Abstract: 一种层叠陶瓷电容器(10)，具备由电介质层(12)与内部电极(13a、13b)交替层叠多层而得的层叠体(11)及外部电极(14a、14b)。电介质层(12)包含配置在与层叠方向垂直的面的面方向上并含有Ba、Ti及稀土类元素的第一晶粒、和配置在面方向上并含有Ba、Ti及稀土类元素的第二晶粒。关于从第一晶粒的界面起50nm以内的范围的稀土类元素对Ti的摩尔比M1、及从界面起50nm以上100nm以下的范围内的稀土类元素对Ti的摩尔比M2，0.95≤M1/M2≤1.05的关系成立。第二晶粒内的稀土类元素对Ti的摩尔比是第一晶粒内的稀土类元素对Ti的摩尔比的一半以下，在第二晶粒之间包含的稀土类元素的浓度低于在第一晶粒之间包含的稀土类元素的浓度。由此能抑制高温环境下的绝缘电阻的劣化。
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公开(公告)号：CN117597751A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280044832.6
申请日：2022-06-02
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/30
Abstract: 提供一种可靠性优异的层叠陶瓷电容器。该层叠陶瓷电容器具有在厚度方向上相对的第1主面以及第2主面、在宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面、和在长度方向上相对的第1端面以及第2端面，并具备包含在所述厚度方向上层叠的多个电介质陶瓷层以及多个内部电极层的本体部、以及分别设置在所述第1端面以及第2端面并与所述多个内部电极层电连接的一对外部电极。所述电介质陶瓷层包含由含有钡(Ba)以及钛(Ti)的钙钛矿型复合氧化物构成的晶粒作为主成分，并且还包含稀土类元素(Re)，在包含所述厚度方向的剖面中，所述电介质陶瓷层以50％以上的面积比率包含稀土类元素(Re)相对于钛(Ti)的摩尔比(Re/Ti比)为0.04以上且0.30以下的稀土类高浓度区域。
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公开(公告)号：CN103125006B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201280003009.7
申请日：2012-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/12 , C04B35/468 , C04B35/49 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1209 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/588 , H01G4/005 , H01G4/12 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供能够抑制因钒的添加而导致的绝缘电阻的劣化的层叠陶瓷电容器。在第一绝缘层(32、34、36、38)相互层叠的第一绝缘层组(30)的层叠方向两侧层叠有第二绝缘层(20、22)，在第一绝缘层(32、34、36、38)的主面配置有内部电极(14)。内部电极(14)中的至少一个(14x)被配置于第一绝缘层(32)与第二绝缘层(20)之间。第一绝缘层(32、34、36、38)和第二绝缘层(20、22)，在将Ba、Sr、Ca中的至少一个用“A”表示、将Ti、Zr、Hf中的至少一个用“B”表示、将氧用“O”表示时，以化学式″ABO3″所表示的钙钛矿系化合物作为主成分。第一绝缘层(32、34、36、38)和第二绝缘层(20、22)中，仅第一绝缘层(32、34、36、38)中添加有V。
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公开(公告)号：CN119365949A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380046740.6
申请日：2023-07-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 荒木启辅
IPC: H01G4/30
Abstract: 提供取得了可靠性的提高和温度特性的提高的平衡的层叠陶瓷电容器。在层叠陶瓷电容器中，电介质层至少包含Ti，在电介质层的宽度方向以及层叠方向的中央部，以一个单元的大小是宽度方向的长度为1nm、层叠方向的长度为1nm的单元，将宽度方向的长度为800nm、层叠方向的长度为1nm的区域分割为800个单元，在将相对于Ti100摩尔稀土类的摩尔比为5摩尔%以上的单元设为高浓度单元的情况下，所述区域内的800个单元之中高浓度单元存在75%以上且不足100%。
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公开(公告)号：CN103125006A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201280003009.7
申请日：2012-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/12 , C04B35/468 , C04B35/49 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1209 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6584 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/588 , H01G4/005 , H01G4/12 , H01G4/1218 , H01G4/1227 , H01G4/1236 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供能够抑制因钒的添加而导致的绝缘电阻的劣化的层叠陶瓷电容器。在第一绝缘层(32、34、36、38)相互层叠的第一绝缘层组(30)的层叠方向两侧层叠有第二绝缘层(20、22)，在第一绝缘层(32、34、36、38)的主面配置有内部电极(14)。内部电极(14)中的至少一个(14x)被配置于第一绝缘层(32)与第二绝缘层(20)之间。第一绝缘层(32、34、36、38)和第二绝缘层(20、22)，在将Ba、Sr、Ca中的至少一个用“A”表示、将Ti、Zr、Hf中的至少一个用“B”表示、将氧用“O”表示时，以化学式″ABO3″所表示的钙钛矿系化合物作为主成分。第一绝缘层(32、34、36、38)和第二绝缘层(20、22)中，仅第一绝缘层(32、34、36、38)中添加有V。
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