叠层陶瓷电容器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1076510C

    公开(公告)日:2001-12-19

    申请号:CN96116727.0

    申请日:1996-12-20

    CPC classification number: H01G4/1227

    Abstract: 本发明揭示了一种叠层陶瓷电容器,包括由下列组成式为主要组分的陶瓷组合物的介电陶瓷层:(1-α-β){BaO}m·TiO2+α{(1-x)M2O3+xRe2O3}+β(Mn1-y-zNiyCoz)0(0.0025≤α≤0.025;0.0025≤β≤0.05;β/α≤4;0.1≤x≤0.50;0≤y≤0.8;0≤z≤0.8;0≤y+z≤0-8;;1.005≤m≤1.035;它以所述主要组分为基准,还含有0.5至5.0摩尔的次要组分氧化镁,以及0.2至3.0份(重量)Li2O-(Si,Ti)O2-Al2O3-ZrO2类氧化物。

    多层陶瓷电子部件
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101185147A

    公开(公告)日:2008-05-21

    申请号:CN200680018473.8

    申请日:2006-05-24

    CPC classification number: H01G4/30 H01G4/008 H01G4/012 Y10T29/435

    Abstract: 一种高度可靠的多层陶瓷电子部件,其中在组装处理等中可消除因热冲击引起的多层陶瓷本体的缺陷性裂缝。所述多层陶瓷电子部件中,把分别位于层叠方向的最顶部和最底部处的内电极(12)之间的距离(d)的上10%和下10%的区域(f)中内电极(12)连续性的平均值,设定成比位于层叠方向的其它内电极(12)连续性的平均值小5-20%。以(X-Y)/X定义所述连续性,其中(X)表示内电极(12)横截面在一个方向上的长度,(Y)表示由内电极横截面中的孔形成的间隙(g)之和。

    独石瓷介电容器和它的制作方法

    公开(公告)号:CN1175069A

    公开(公告)日:1998-03-04

    申请号:CN97115561.5

    申请日:1997-07-25

    CPC classification number: H01G4/30

    Abstract: 揭示了一种独石瓷介电容器及其制作方法。此独石瓷介电容器包含多个介电陶瓷层,多个形成于介电陶瓷层之间的内部电极,每个内部电极的一端暴露在介电陶瓷层一端之外,还有与露出的内部电极电气连接的外部电极;此电容器中每个内部电极都由一种非贵重金属制成,在紧靠内部电极处形成Si氧化物层或包含Si氧化物和至少一种组成所述介电陶瓷层和所述内部电极的成分的复合层。此电容器具有良好的耐热冲击和耐湿负荷特性。

    独石瓷介电容器和它的制作方法

    公开(公告)号:CN1097834C

    公开(公告)日:2003-01-01

    申请号:CN97115561.5

    申请日:1997-07-25

    CPC classification number: H01G4/30

    Abstract: 揭示了一种独石瓷介电容器及其制作方法。此独石瓷介电容器包含多个介电陶瓷层,多个形成于介电陶瓷层之间的内部电极,每个内部电极的一端暴露在介电陶瓷层一端之外,还有与露出的内部电极电气连接的外部电极;此电容器中每个内部电极都由一种非贵重金属制成,在紧靠内部电极处形成Si氧化物层或包含Si氧化物和至少一种组成所述介电陶瓷层和所述内部电极的成分的复合层。此电容器具有良好的耐热冲击和耐湿负荷特性。

    多层陶瓷电子部件
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101185147B

    公开(公告)日:2010-05-19

    申请号:CN200680018473.8

    申请日:2006-05-24

    CPC classification number: H01G4/30 H01G4/008 H01G4/012 Y10T29/435

    Abstract: 一种高度可靠的多层陶瓷电子部件,其中在组装处理等中可消除因热冲击引起的多层陶瓷本体的缺陷性裂缝。所述多层陶瓷电子部件中,把分别位于层叠方向的最顶部和最底部处的内电极(12)之间的距离(d)的上10%和下10%的区域(f)中内电极(12)连续性的平均值,设定成比位于层叠方向的其它内电极(12)连续性的平均值小5-20%。以(X-Y)/X定义所述连续性,其中(X)表示内电极(12)横截面在一个方向上的长度,(Y)表示由内电极横截面中的孔形成的间隙(g)之和。

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