独石陶瓷电容器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1135578C

    公开(公告)日:2004-01-21

    申请号:CN99105739.2

    申请日:1999-03-03

    CPC classification number: H01G4/0085 H01G4/30

    Abstract: 每个内电极都是薄的,即厚度为0.2-0.7μm,因而即使陶瓷层是薄的,即厚度不超过3μm,也可以抑制裂层。陶瓷层的陶瓷颗粒的平均粒子尺寸不超过0.5μm,所以减小了在内电极和陶瓷层之间的介面处凹凸的尺寸。在形成内电极的软膏中,金属粉的平均粒子尺寸最好是10nm-200nm,因而可以提高内电极的金属粉的填充率和平整度,从而提高覆盖率。

    独石瓷介电容器和它的制作方法

    公开(公告)号:CN1175069A

    公开(公告)日:1998-03-04

    申请号:CN97115561.5

    申请日:1997-07-25

    CPC classification number: H01G4/30

    Abstract: 揭示了一种独石瓷介电容器及其制作方法。此独石瓷介电容器包含多个介电陶瓷层,多个形成于介电陶瓷层之间的内部电极,每个内部电极的一端暴露在介电陶瓷层一端之外,还有与露出的内部电极电气连接的外部电极;此电容器中每个内部电极都由一种非贵重金属制成,在紧靠内部电极处形成Si氧化物层或包含Si氧化物和至少一种组成所述介电陶瓷层和所述内部电极的成分的复合层。此电容器具有良好的耐热冲击和耐湿负荷特性。

    整块陶瓷电子元件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1227957A

    公开(公告)日:1999-09-08

    申请号:CN99105739.2

    申请日:1999-03-03

    CPC classification number: H01G4/0085 H01G4/30

    Abstract: 每个内电极都是薄的,即厚度为0.2—0.7μm,因而即使陶瓷层是薄的,即厚度不超过3μm,也可以抑制裂层。陶瓷层的陶瓷颗粒的平均粒子尺寸不超过0.5μm,所以减小了在内电极和陶瓷层之间的介面处凹凸的尺寸。在形成内电极的软膏中,金属粉的平均粒子尺寸最好是10nm-200nm,因而可以提高内电极的金属粉的填充率和平整度,从而提高覆盖率。

    导电浆料和采用该浆料的层压的陶瓷电子部件

    公开(公告)号:CN1171243C

    公开(公告)日:2004-10-13

    申请号:CN01122370.7

    申请日:2001-07-02

    CPC classification number: H01G4/0085 H05K1/092

    Abstract: 本发明提供了一种导电浆料,它包含:含镍导电粉末;有机载体;化合物A,它含镁、钙和钡中至少一种,选自有机酸金属盐、有机金属配盐和醇盐的物质;粘附在导电粉末表面上的水解化合物B,它含有铝和硅中的至少一种,其中化合物B的粘附量以SiO2和Al2O3计量为100%重量导电粉末的0.1-5.0%重量;化合物B含有Si,Si作为SiO2与化合物A中作为MgO、CaO和BaO的Mg、Ca和Ba总量的摩尔比在0.5-10.0的范围内;化合物B含有Al,Al作为Al2O3与化合物A中作为MgO、CaO和BaO的Mg、Ca和Ba总量的摩尔比在0.5-4.0的范围内。本发明还提供了采用该导电浆料的层压陶瓷电子部件。

    独石瓷介电容器和它的制作方法

    公开(公告)号:CN1097834C

    公开(公告)日:2003-01-01

    申请号:CN97115561.5

    申请日:1997-07-25

    CPC classification number: H01G4/30

    Abstract: 揭示了一种独石瓷介电容器及其制作方法。此独石瓷介电容器包含多个介电陶瓷层,多个形成于介电陶瓷层之间的内部电极,每个内部电极的一端暴露在介电陶瓷层一端之外,还有与露出的内部电极电气连接的外部电极;此电容器中每个内部电极都由一种非贵重金属制成,在紧靠内部电极处形成Si氧化物层或包含Si氧化物和至少一种组成所述介电陶瓷层和所述内部电极的成分的复合层。此电容器具有良好的耐热冲击和耐湿负荷特性。

    单片陶瓷电子部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1307665C

    公开(公告)日:2007-03-28

    申请号:CN00133014.4

    申请日:2000-10-27

    Abstract: 本发明的一种单片陶瓷电子部件,它包括含多个陶瓷层和多个各自设置在两相邻陶瓷层间的内电极层的陶瓷元件,各内电极层和陶瓷层间界面的粗糙度的范围为65nm至200nm,所述陶瓷层中气孔发生率按研磨后切割剖面中的面积计算是0.2%至1%。本发明的单片陶瓷电子部件的制造方法,它包括下述步骤:层叠表面粗糙度均为40nm至100nm且备有电极膏层的多块生陶瓷片或层叠各备有表面粗糙度为46nm至100nm的电极膏层的多块生陶瓷片从而形成生组合件;压紧所述生组合件;烧结所述生组合件以形成陶瓷元件。该单片陶瓷电子部件可是单片陶瓷电容器、单片陶瓷可变电阻、单片陶瓷压电部件或单块基片。

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