片型热管
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107407531B

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201580076896.4

    申请日:2015-10-23

    Abstract: 本发明提供一种片型热管和利用了该片型热管的薄型散热板,片型热管构成为具有片状容器、封入至容器内的芯、以及封入至容器内的工作液,片状容器由第一金属片和第二金属片构成,第一金属片和第二金属片在重叠的状态下使周边部紧贴,片状容器的厚度为0.5mm以下。

    温度检测装置以及电子设备

    公开(公告)号:CN106574875A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201580041388.2

    申请日:2015-06-08

    Abstract: 本发明中,温度检测部与壳体接触,检测壳体的温度,弹簧销与温度检测部以可隔离的方式接触。由此,将温度检测装置搭载于电子设备时,将温度检测部固定于壳体,能使弹簧销固定于电子设备的电路基板。并且,分解电子设备时,若将弹簧销连同电路基板从壳体取下,则能容易地使弹簧销与温度检测部分离。组装电子设备时,若将弹簧销连同电路基板安装于壳体,则能容易地使弹簧销接触温度检测部。

    NTC热敏电阻元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104335295B

    公开(公告)日:2017-03-29

    申请号:CN201380026452.0

    申请日:2013-04-08

    CPC classification number: H01C1/1413 H01C7/04 H01C7/042 H01C17/06 Y10T29/49085

    Abstract: 为了提升耐热性,NTC热敏电阻元件(1)具备:包括含有Mn、Ni、Fe以及Ti的陶瓷材料的基体(4a、4b)。在将基体(2)中的Mn的摩尔量设为a[mol%]、将Ni的摩尔量设为b[mol%]时,a+b=100、44.90≤a≤65.27、且34.73≤b≤55.10。此外,在将Fe的摩尔量设为c[mol%]、将Ti的摩尔量设为d[mol%]时,相对于a+b=100,24.22≤c≤39.57、且5.04≤d≤10.18。(2);和形成于基体(2)的成对的两个外部电极

    电子元器件的安装结构
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103380467B

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201280009668.1

    申请日:2012-02-08

    Inventor: 三浦忠将

    Abstract: 本发明提供一种能够用焊料进行安装,并且即使用固相法形成也能够获得优异的接合强度的热敏电阻及其制造方法。该热敏电阻包括金属基材、通过固相法在金属基材上形成的半导体陶瓷层、以及形成在半导体层上的一对分割电极,金属基材中含有陶瓷粒子,利用陶瓷粒子或陶瓷粒子连续形成的柱状结构,使得金属基材不会在厚度方向上断开。热敏电阻的所述金属基材的厚度优选为10~80μm,陶瓷层的厚度优选为1~10μm。

    电子元器件
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105210162A

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:CN201480027185.3

    申请日:2014-04-30

    CPC classification number: H01C7/006 H01C7/021 H01C7/041 H01C7/1013

    Abstract: 为了提供金属层不容易从基板上剥离的电子元器件,电子元器件(1a)包括:由绝缘性陶瓷材料所制成的基板(7);由陶瓷材料所制成且与基板(7)进行扩散接合的陶瓷层(8);金属层(9),该金属层(9)具有第一主面(91)和与该第一主面(91)相对的第二主面(92),该金属层(9)在该第一主面(91)侧与陶瓷层(8)进行扩散接合;以及特性层(10),该特性层(10)与金属层(9)的第二主面(92)侧进行扩散接合,该特性层(10)由陶瓷材料制成,其电阻值根据周围温度或施加电压而变化。

    半导体陶瓷元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN103098149B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201180043926.3

    申请日:2011-08-24

    Inventor: 三浦忠将

    Abstract: 本发明提供一种半导体陶瓷元件,包括元件主体,该元件主体的由具有PTC特性的半导体陶瓷组成的PTC部分、和由具有NTC特性的半导体陶瓷组成的NTC部分对相互的扩散进行抑制,并且该元件主体通过对PTC部分及NTC部分进行一体烧成并一体化后形成。首先在规定的温度下对应当成为PTC部分的半导体陶瓷材料进行烧成,由此得到PTC基板(2),之后将含有应当成为NTC部分的半导体陶瓷材料在内的糊料涂布或印刷到上述PTC基板(2)上,接着,在低于上述规定温度的温度下进行一体烧成,由此得到半导体陶瓷元件(1)所用的元件主体(4)。

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