公开(公告)号：CN1139294A

公开(公告)日：1997-01-01

申请号：CN96103918.3

申请日：1996-03-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 三浦英生 ,  池田修二 ,  铃木范夫 ,  萩原康秀 ,  太田裕之 ,  西村朝雄

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76202 ,  H01L29/518

Abstract: 通过在衬底上形成氧化膜，以800℃或以上的温度在惰性气氛中热处理氧化膜，接下来是形成晶体管的普通步骤，以此方法制作的半导体器件由于在氧化膜内或在衬底表面中产生的应力的减弱而在电学可靠性方而得到改善。

公开(公告)号：CN104350366A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201280073469.7

申请日：2012-05-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 芦田喜章 ,  太田裕之 ,  岛津博美 ,  笠井宪一

IPC: G01L1/18 ,  G01L1/22

CPC classification number: G01L1/2293 ,  G01L1/18 ,  G01L1/2243

Abstract: 在由单晶硅构成的半导体基板的表面侧具备测压元件，该测压元件包括形成了俯视时为四角形状的多个电阻元件的传感器芯片(1)和部件(2)。部件(2)包括负荷部(3)、固定底座部(4)和分别与负荷部(3)和固定底座部(4)相分离而配置在负荷部(3)与固定底座部(4)之间的起变形部(5)。并且，以半导体基板的单晶硅的 方向与载重方向平行的方式将传感器芯片(1)贴合到部件(2)的起变形部(5)的前侧面(2a)，并且多个电阻元件的长边方向相对于载重方向具有45度的角度。

公开(公告)号：CN100511682C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200610059879.2

申请日：2003-06-24

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 石塚典男 ,  岩崎富生 ,  太田裕之 ,  三浦英生 ,  高橋正人 ,  鈴木範夫 ,  池田修二 ,  田中英樹 ,  美馬宏行

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，其特征在于具有：半导体衬底；含形成在所述衬底中的沟槽和埋入在沟槽内的绝缘膜的元件隔离区；形成在所述衬底中的有源区，该有源区包括其上形成有栅绝缘膜的阱区，该栅绝缘膜上形成有栅电极，阱区包括与栅电极相对应地设置的源和漏扩散区，其中，沟槽中的埋入绝缘膜具有平面延伸到衬底中的底表面，且该埋入绝缘膜包围着有源区，该底表面延伸的深度比扩散区深；埋入绝缘膜有至少包围源和漏扩散区的凹陷的上部平表面，以防止元件隔离区所引起的晶体缺陷，所述凹陷的上部平表面的深度从衬底的平表面算起大于等于所述源和漏扩散区的杂质分布的峰值浓度的深度；沿沟槽中的埋入绝缘膜的侧面和底面形成有氮氧化物膜，该氮氧化物膜与衬底相接触。

公开(公告)号：CN100382315C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN01820204.7

申请日：2001-12-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 熊谷幸博 ,  太田裕之 ,  三浦英生 ,  大塚文雄 ,  一濑胜彦 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  尾内亨裕

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件，具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，其中该两个晶体管都具有优异的漏电流特性。具有n沟道型场效应晶体管(10)和p沟道型场效应晶体管(30)的半导体器件包括用作涂敷n沟道型场效应晶体管(10)的栅电极(15)的应力控制膜(19)的膜，其膜应力偏移到拉应力。该器件还包括用作涂敷p沟道型场效应晶体管(30)的栅电极(35)的应力控制膜(39)的膜，其膜应力更多的是压应力而不是n沟道型场效应晶体管(10)的膜(19)那样的应力。这样，期望n沟道型和p沟道型晶体管来改善漏电流。因此，整体的特性得到改善。

公开(公告)号：CN1592969A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN02823476.6

申请日：2002-11-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石塚典男 ,  熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  太田裕之

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7846 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/7842

Abstract: 本发明的目的在于提供半导体器件及制造方法，半导体器件具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，漏极电流特性优良、可靠性高。用于实现该目的的本发明的核心在于，在形成了n沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上设置氮化硅膜，而且在p沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上仅在与沟道方向垂直的方向上设置氮化硅膜。根据本发明，可以提供电流特性优良的具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管的半导体器件。

公开(公告)号：CN1471173A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03148711.4

申请日：2003-06-24

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  联晶半导体股份有限公司

Inventor： 石塚典男 ,  岩崎富生 ,  太田裕之 ,  三浦英生 ,  高橋正人 ,  鈴木範夫 ,  池田修二 ,  田中英樹 ,  美馬宏行

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11546

Abstract: 本发明的目的在于提供可以有效地抑制在衬底上产生的晶体缺陷，性能良好的半导体器件和制造方法。其特征在于包括：半导体衬底，具有上述半导体衬底上形成的沟和埋入到上述沟内的埋入绝缘膜的元件隔离区，和与上述元件隔离区相邻接且形成有栅极绝缘膜和栅极绝缘膜上边的栅极电极的有源区域，上述栅极电极的至少一部分位于上述元件隔离区上边，且存在有上述栅极电极的第1元件隔离区的上述埋入绝缘膜的上侧的第1端面，位于比不存在上述栅极电极膜的第2元件隔离区的上述埋入绝缘膜的第2端面更往上边的区域。

公开(公告)号：CN1248792A

公开(公告)日：2000-03-29

申请号：CN99120217.1

申请日：1999-09-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野龙治 ,  有贺昭彦 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  金丸昌敏 ,  细金敦 ,  田中伸司 ,  伴直人 ,  青木英之

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/66 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L22/20 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件的制造方法、有效检查由切割分离的分立LSI芯片的半导体器件的检查方法以及在所述方法中使用的夹具。从半导体晶片上切割大量的LSI芯片之后,在检查步骤中,使用由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成的所述夹具重新排列和集成预定数量的芯片,在随后的检查步骤中,对集成的预定数量的芯片进行预定的检查工艺,由此可以提高检查效率并减少检查成本。