公开(公告)号：CN103155154A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048961.4

申请日：2011-10-11

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 西村麻美 ,  川岛绘美 ,  笠见雅司 ,  松浦正英 ,  糸濑将之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及一种含有1种以上的无定形的金属氧化物、且在上述金属氧化物的至少一部分的金属原子上键合有OH基的半导体薄膜。

公开(公告)号：CN119234317A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380041325.1

申请日：2023-05-25

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 霍间勇辉 ,  川岛绘美 ,  岩濑信博 ,  山口幸士 ,  三和宽之

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

Abstract: 一种层叠结构，具有以I n为主成分的晶体氧化物半导体膜(11)和与所述晶体氧化物半导体膜(11)相接地层叠的第一绝缘膜(12)，所述晶体氧化物半导体膜(11)的平均硅浓度为1.5～10at％。

公开(公告)号：CN118103963A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068555.2

申请日：2022-10-12

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 山口幸士 ,  霍间勇辉 ,  川岛绘美 ,  井上一吉

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L29/786

Abstract: 一种晶体氧化物薄膜，是以I n为主成分的晶体氧化物薄膜，对从所述晶体氧化物薄膜的截面的透射电子显微镜(TEM)图像中提取的多个图像区域的晶格像分别进行二维傅里叶变换(FFT)处理而得到的傅里叶变换像的50％以上示出从(100)、(110)、(111)、(211)、(411)、(125)、(210)、(310)及(320)中选择的任一种面取向。

公开(公告)号：CN111668315B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202010532733.5

申请日：2014-08-08

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  柴田雅敏 ,  川岛绘美 ,  矢野公规 ,  早坂紘美

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/47 ,  H01L29/26 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN113614276B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202080023273.1

申请日：2020-03-26

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 川岛绘美 ,  井上一吉 ,  大山正嗣 ,  柴田雅敏

IPC: C23C14/08 ,  C30B29/22 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及一种晶体氧化物薄膜，其包含In元素、Ga元素以及Ln元素，In元素为主成分，Ln元素是从La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中选择的一种以上的元素，平均晶体粒径D1为0.05μm以上、0.5μm以下。

公开(公告)号：CN108431963B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201680074791.X

申请日：2016-12-21

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 霍间勇辉 ,  关谷隆司 ,  笘井重和 ,  川岛绘美 ,  上冈义弘

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47

Abstract: 一种半导体元件1，其特征在于，其具有：分隔开的一对欧姆电极20和肖特基电极10；以及，与上述欧姆电极20和上述肖特基电极10接触的半导体层30，所述半导体元件满足下述式(I)(式中，n为上述半导体层的载流子浓度(cm‑3)、ε为上述半导体层的介电常数(F/cm)、Ve为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间的正向有效电压(V)、q为基本电荷(C)、L为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间的距离(cm))。

公开(公告)号：CN105453272B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201480045490.5

申请日：2014-08-08

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  柴田雅敏 ,  川岛绘美 ,  矢野公规 ,  早坂紘美

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L29/22 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN105474397B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480045491.X

申请日：2014-08-08

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  柴田雅敏 ,  川岛绘美 ,  矢野公规 ,  早坂紘美

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其包含n型或p型硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含以镓(Ga)为主成分的多晶氧化物及非晶质氧化物中的任一者或两者。

公开(公告)号：CN109863607A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201780062422.3

申请日：2017-10-11

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 霍间勇辉 ,  川岛绘美 ,  长崎义和 ,  关谷隆司 ,  上冈义弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L27/146 ,  H01L31/07 ,  H01L31/10 ,  H01L29/812

Abstract: 一种结构物，包含金属氧化物半导体层与贵金属氧化物层，所述金属氧化物半导体层与所述贵金属氧化物层邻接，所述贵金属氧化物层的膜厚超过10nm。

公开(公告)号：CN113195434B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201980085191.7

申请日：2019-12-26

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 川岛绘美 ,  井上一吉 ,  大山正嗣 ,  柴田雅敏

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明涉及一种烧结体，是含有In元素、Ga元素以及Ln元素的烧结体，包含：由In2O3表示的方铁锰矿结构的第1氧化物；含有In元素、Ga元素以及Ln元素的石榴石结构的第2氧化物；和满足由下述(1)、(2)以及(3)表示的原子组成比的范围的第3氧化物，Ln元素是选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu构成的组中的一种以上的元素。0.3≤In/(In+Ga+Ln)≤0.7…(1)0.3≤Ga/(In+Ga+Ln)≤0.7…(2)0≤Ln/(In+Ga+Ln)＜0.05…(3)。