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公开(公告)号：CN114497706A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111233015.9
申请日：2021-10-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/056 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种二次电池及电子设备。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的变化影响较少且即使充电深度较高也较稳定的正极活性物质。
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公开(公告)号：CN103178240B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201210553567.2
申请日：2012-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/70
CPC classification number: H01M4/70 , B82Y40/00 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/661
Abstract: 本发明涉及非水二次电池用负极、非水二次电池及其制造方法。本发明的一个方式提供一种非水二次电池，在该非水二次电池中，充放电容量大，能够进行急速充放电，且充放电所导致的电池特性的劣化少。一种负极，该负极包括集电体及活性物质层，其中，集电体具有在实质上垂直的方向延伸的多个突起部及与多个突起部连接的基础部，突起部及基础部包括含有钛的共同材料，突起部的顶面、侧面及基础部的顶面被活性物质层覆盖，并且，活性物质层具有多个晶须。另外，活性物质也可以被石墨烯覆盖。
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公开(公告)号：CN119753828A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411921844.X
申请日：2019-06-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及金属氧氮化物膜的制造方法。提供一种在低温下通过外延生长形成金属氧氮化物膜的方法。金属氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：在单晶的衬底上，导入含有氮气体的气体，通过使用氧化物靶材利用溅射法对金属氧氮化物膜进行外延生长，其中，氧化物靶材包含锌，形成金属氧氮化物膜时的衬底为80℃以上且400℃以下，氮气体的流量为气体的总流量中的50％以上且100％以下。
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公开(公告)号：CN119054108A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202380035488.9
申请日：2023-04-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种充放电循环中的放电容量下降得到抑制的正极活性物质及使用该正极活性物质的二次电池。一种包括正极活性物质的二次电池，该正极活性物质包含钴酸锂，通过对正极活性物质的粉末X射线衍射得到的图案进行里特沃尔德分析估算出的氧化镁和四氧化三钴的总质量为钴酸锂的质量的3％以下，正极活性物质的粉体体积电阻率在64Mpa的压力下为1.0E+8Ω·cm以上1.0E+10Ω·cm以下二次电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117597795A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202280046632.4
申请日：2022-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种即使以高电压及/或高温进行充电和放电也不容易产生缺陷的正极活性物质。另外，提供一种即使反复充放电也不容易导致晶体结构崩塌的正极活性物质。正极活性物质包含锂、钴、氧及添加元素，正极活性物质具有表层部及内部，正极活性物质在表层部包含添加元素，表层部是从正极活性物质的表面向内部10nm以下的区域，表层部及内部处于拓扑衍生，添加元素的扩散程度根据表层部的结晶面而不同，添加元素是选自镍、铝和镁中的至少一个或两个以上。
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公开(公告)号：CN115362590A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180023804.1
申请日：2021-03-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种功耗低的蓄电装置等。另外，提供一种集成度高的蓄电装置等。在蓄电装置中，第一电池单元包括第一衬底上的第一电极、第一电极上的正极活性物质层、正极活性物质层上的电解质层、电解质层上的负极活性物质层及负极活性物质层上的第二电极，比较电路包括第一输入端子、第二输入端子、输出端子及第一晶体管，第一晶体管包括第一衬底上的氧化物半导体、氧化物半导体上的第一绝缘体及第一绝缘体上的栅电极，第一电极与第一晶体管的栅极及所述第一输入端子电连接，比较电路具有将对应于第一电极的电位和所希望的基准电位的比较结果的第一信号从输出端子输出到控制电路的功能，并且，所述控制电路具有根据第一信号控制第一电池单元的充电的功能。
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公开(公告)号：CN115312756A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210485669.9
申请日：2022-05-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M10/0525 , C01G51/00
Abstract: 本发明提供一种正极活性物质、二次电池、电子设备及车辆。提供一种由充放电循环引起的放电容量的下降得到抑制的正极活性物质及使用该正极活性物质的二次电池。提供一种正极活性物质，其中放电状态和以较高电压进行充电的状态之间的晶体结构的变化少，例如CoO2层的偏离较少。例如，提供一种正极活性物质，其中在放电状态下具有属于空间群R‑3m的层状岩盐型晶体结构且在LixCoO2中的x超过0.1且为0.24以下的充电状态下具有属于空间群P2/m的晶体结构，并且在通过粉末X射线衍射进行分析时，衍射图案至少在2θ为19.47±0.10°及2θ为45.62±0.05°处具有峰。
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公开(公告)号：CN114762132A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080082911.7
申请日：2020-12-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L33/32 , H01L33/40 , H01L29/786 , C23C14/06
Abstract: 提供一种包括无机发光元件的半导体装置。半导体装置包括无机发光元件、晶体管及电容器。无机发光元件包括第一膜及第二膜，第一膜包含铟、氧及氮，第二膜包含镓及氮。第一膜具有纤锌矿型结构或立方晶结构，第二膜具有纤锌矿型结构并生长在第一膜上。第一膜被用作无机发光元件的阴极电极。另外，无机发光元件所包括的第二膜的上方形成有电容器的一个电极，电容器的另一个电极的上方形成有在半导体层中包含金属氧化物的晶体管。电容器的一个电极具有反射无机发光元件所发射的光的功能。无机发光元件经过第一膜发射光。
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公开(公告)号：CN102969529B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201210312716.6
申请日：2012-08-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/134 , H01G9/042
CPC classification number: H01M4/134 , H01G11/06 , H01G11/30 , H01G11/50 , H01M10/0525 , H01M2220/20 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022 , Y10T428/23943
Abstract: 本发明提供一种在将硅用于负极活性物质时能够提高放电容量等蓄电装置的性能的蓄电装置及其制造方法。本发明提供一种蓄电装置，包括：集电体；以及集电体上的用作活性物质层的硅层，其中，硅层包括：与集电体接触的薄膜状部分；多个根块；以及从多个根块的每一个延伸出的多个须状突起物，并且，从多个根块中的一个根块延伸出的须状突起物的一部分与从多个根块中的其他根块延伸出的须状突起物的一部分结合。
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