公开(公告)号：CN101047191A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710092135.5

申请日：2007-04-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  高野圭惠 ,  古野诚

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/1237 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/7885

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在写入特性及电荷保持特性上优良的非易失性半导体存储装置。在本发明中，设置在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在其上层部分设置第一绝缘层、浮动栅极、第二绝缘层、以及控制栅极。浮动栅具有至少两层结构，并且接触到第一绝缘层的第一层的带隙优选小于半导体层的带隙。而且，通过使用金属、合金或金属化合物材料形成浮动栅极的第二层，提高上述第一层的稳定性。根据上述浮动栅极的结构，可以提高在写入时的载流子注入性且提高电荷保持特性。

公开(公告)号：CN101043039A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710087895.7

申请日：2007-03-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  浅见良信 ,  高野圭惠 ,  古野诚

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/1237 ,  G11C16/349 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/84 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7881

Abstract: 提供在彼此相离而形成的一对杂质区域之间具有沟道形成区域的半导体层，并且在所述半导体层上提供第一绝缘层、浮动栅、第二绝缘层、以及控制栅。形成浮动栅的半导体材料的带隙优选小于半导体层的带隙。形成浮动栅的半导体材料中的沟道形成区域的带隙和半导体层的带隙之间优选有0.1eV或更大的差距，并且前者小于后者。

公开(公告)号：CN1992351A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610167595.5

申请日：2006-12-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见良信

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13 ,  H01L29/66825 ,  H01L2029/7863

Abstract: 提供了这样一种半导体器件及其制造方法，它在不导致形成控制栅电极过程中的未对准问题并且不产生控制栅电极与浮动栅电极之间的泄漏的情况下以自对准方式形成。该半导体器件包括半导体膜、该半导体膜上的第一栅绝缘膜、该第一栅绝缘膜上的浮动栅电极、覆盖该浮动栅电极的第二栅绝缘膜、以及该第二栅绝缘膜上的控制栅电极。该控制栅电极被形成为覆盖该浮动栅电极，并且它们之间插入第二栅绝缘膜，该控制栅电极设有侧壁，且该侧壁形成于控制栅电极中由于浮动栅电极而产生的阶梯部分上。

公开(公告)号：CN117480862A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280042416.2

申请日：2022-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  浅见良信 ,  藤江贵博 ,  田头龙

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。显示装置包括第一像素、与第一像素相邻地配置的第二像素、第一绝缘层以及第一绝缘层上的第二绝缘层，第一像素包括第一像素电极、覆盖第一像素电极的第一EL层、第一EL层上的第三绝缘层以及第一EL层及第三绝缘层上的公共电极，第二像素包括第二像素电极、覆盖第二像素电极的第二EL层、第二EL层上的第四绝缘层以及第二EL层及第四绝缘层上的公共电极，第二绝缘层的一部分与第一像素电极重叠，第二绝缘层的另外一部分与第二像素电极重叠，第二绝缘层在从显示装置的截面看时在侧面具有锥形形状且在顶面具有凸曲面形状。

公开(公告)号：CN102683595B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201210080386.2

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见良信 ,  山崎舜平

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/4213 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种开路电压高且转换效率高的光电转换装置。在一对电极之间层叠具有p型导电型的第一半导体层、具有p型导电型的第二半导体层以及具有n型导电型的第三半导体层，来形成具有pn结的光电转换装置。第一半导体层为化合物半导体层，第二半导体层使用有机化合物及无机化合物形成，作为该有机化合物使用空穴传输性高的材料，并且作为该无机化合物使用具有电子接受性的过渡金属氧化物。

公开(公告)号：CN102332471B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201110320976.3

申请日：2007-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 挂端哲弥 ,  田中哲弘 ,  浅见良信

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7881

Abstract: 目的在于提供一种制造具有优良膜特性的绝缘膜的技术。具体来说，目的在于提供一种制造具有高耐受电压的致密绝缘膜的技术。此外，目的在于提供一种制造具有极少电子陷阱的绝缘膜的技术。在包含氧的气氛中、电子密度为1×1011cm-3或以上以及电子温度为1.5eV或以下的条件下，使含氧绝缘膜经过使用高频的等离子体处理。

公开(公告)号：CN102027589B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN200980118496.X

申请日：2009-05-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见良信

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7881 ,  G11C16/0441 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明目的是即使在写入和擦除重复进行的情况下抑制读取错误。此外，另一个目的是降低写入电压和擦除电压同时抑制存储晶体管的面积增加。在衬底上提供的用于写入操作和擦除操作的第一半导体层和用于读取操作的第二半导体层上，提供浮栅和控制栅且绝缘膜介于其间；使用该第一半导体层进行电子到浮栅的注入和从浮栅的释放；并且使用该第二半导体层进行读取。

公开(公告)号：CN103000745A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210328042.9

申请日：2012-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浅见良信 ,  坚石李甫

IPC: H01L31/105

CPC classification number: H01L31/02167 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明的一个方式提供一种窗口层中的光吸收损失少的光电转换装置。本发明的一个方式是一种光电转换装置，包括：第一电极；形成在第一电极上的第一半导体层；形成在第一半导体层上的第二半导体层；形成在第二半导体层上的第三半导体层；以及形成在第三半导体层上的第二电极，其中第一半导体层是包含有机化合物及无机化合物的透光半导体层，并且第二半导体层及第三半导体层是包含有机化合物的半导体层。

公开(公告)号：CN102332471A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110320976.3

申请日：2007-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 挂端哲弥 ,  田中哲弘 ,  浅见良信

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7881

Abstract: 目的在于提供一种制造具有优良膜特性的绝缘膜的技术。具体来说，目的在于提供一种制造具有高耐受电压的致密绝缘膜的技术。此外，目的在于提供一种制造具有极少电子陷阱的绝缘膜的技术。在包含氧的气氛中、电子密度为1×1011cm-3或以上以及电子温度为1.5eV或以下的条件下，使含氧绝缘膜经过使用高频的等离子体处理。

公开(公告)号：CN101454892B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200780019310.6

申请日：2007-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 挂端哲弥 ,  田中哲弘 ,  浅见良信

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明目的在于提供一种制造具有优良膜特性的绝缘膜的技术。具体来说，提供一种制造具有高耐受电压的致密绝缘膜的技术。此外，提供一种制造具有极少电子陷阱的绝缘膜的技术。在包含氧的气氛中、电子密度为1×1011cm-3或以上以及电子温度为1.5eV或以下的条件下，使含氧绝缘膜经过使用高频的等离子体处理。