公开(公告)号：CN101604627B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910164535.1

申请日：2005-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  B23K26/073

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/04 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02689 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种激光辐射方法，用于即使被辐射物的厚度不均匀也能够对被辐射物进行均匀的激光辐射。在对具有不均匀厚度的被辐射物进行辐射的情况下，通过使用自动聚焦机构，可以在执行激光辐射的同时使被辐射物和透镜之间的距离保持不变，其中该透镜用于使激光束在被辐射物的表面上聚光。特别是，在用激光束对被辐射物进行辐射时，通过沿被辐射物上形成的光斑的第一方向和第二方向相对于激光束移动该被辐射物，在被辐射物沿第一和第二方向移动被辐射物之前，由自动聚焦机构控制被辐射物和透镜之间的距离。

公开(公告)号：CN101346800B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200680048612.1

申请日：2006-12-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明

IPC: H01L21/268 ,  B23K26/08 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0652 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0838 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/0892 ,  B23K26/1438 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 提供一种激光辐射设备，其具有激光振荡器，铰接的光束传播器，其中多个管道在铰接部分中互相连接，以及在该铰接部分中的激光束的线路改变装置。该多个管道中的至少一个管道包括用于抑制激光束在每个管道中的传播方向上的摆动的传递透镜。该铰接部分产生激光振荡器的设置的自由度，并且该传递透镜能够抑制光束轮廓的变化。

公开(公告)号：CN100557771C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200410081684.9

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  G02F1/37 ,  G02B27/00 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0736 ,  C30B1/00 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757

Abstract: 即使适当地对光束点自身的能源分布进行整形以在相同条件下执行激光照射，然而供应给被照射物面中的能源也会产生(激光照射的)不均匀。另外，如果在这种照射能源不均匀的情况下晶化半导体膜以形成晶质半导体膜，就会在该膜内产生结晶性的不均匀，从而使利用该膜制成的半导体元件产生特性的不均匀。在本发明中，当对设置或形成在衬底上的被照射物照射激光束时，将该激光束的脉宽设定为psec(10-12sec)左右，或者照射短于此的极短脉冲的激光束。

公开(公告)号：CN100479116C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510066914.9

申请日：2005-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/00 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0821 ,  B23K26/0853 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5253

Abstract: 本发明的目的在于提供一种激光照射设备，其能够用具有均匀能量密度的激光束照射照射物体，而不使光学系统变复杂。本发明的激光照射设备，包括：激光振荡器；光学系统，用于在照射物体的表面之上在单轴方向上重复地扫描自激光振荡器发出的激光束的束斑；以及定位控制装置，用于在与单轴方向垂直的方向上相对于激光束移动照射物体的位置。

公开(公告)号：CN100433244C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200510071659.7

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明 ,  上坂奈己

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/04 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0853 ,  G02B27/0944 ,  H01L27/3244

Abstract: 制造半导体器件的方法。本发明的一个目的是提供一种与传统的照射方法相比能够精确控制激光束的照射位置的激光照射方法。本发明的另一目的是提供一种使用这种能够用激光束精确照射大衬底的激光照射方法来制造半导体器件的方法。激光束的照射位置是通过使用发出激光束的激光振荡器、使激光束在照射对象上形成为矩形的光学系统、相对于激光束在束斑的长边方向和短边方向上移动照射对象的机构、在长边方向上比在短边方向上更缓慢地移动照射对象的机构、以及激光定位机构来控制的。

公开(公告)号：CN101088144A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200580044198.2

申请日：2005-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  G03F7/70383 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  Y10T29/41

Abstract: 当用多个激光器进行半导体膜的退火时，各个激光辐照区域之间的距离是不同的。在该步骤之后，当根据预先在基板上所形成的标记进行光刻步骤时，并没有对用激光使之结晶的那部分进行适当的曝光。通过将激光辐照步骤中所获得的激光辐照区域作为标记，便可通过步进电机使曝光位置与激光辐照区域中的大晶粒尺寸区域相一致进行曝光。通过利用在大晶粒尺寸区域和弱结晶区域之间散射光强是不同的这一事实，便可检测出大晶粒尺寸区域和弱结晶区域，由此确定曝光的位置。

公开(公告)号：CN101044597A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580036125.9

申请日：2005-10-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0853 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78648 ,  Y10T117/1076

Abstract: 在使用CW激光器或准CW激光器进行激光退火时，与准分子激光器相比，生产率不高，因此有必要进一步提高生产率。根据本发明，使用基波而不将激光引入非线性光学元件，并且通过用具有高重复频率的脉冲激光照射半导体薄膜来进行激光退火。因为不使用非线性光学元件，并因此光不被转换成谐波，所以可以使用具有高输出功率的激光振荡器来进行激光退火。因此，可以增加通过一次扫描形成的具有大颗粒晶体的区域的宽度，从而可以大大提高生产率。

公开(公告)号：CN1969377A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200580020022.3

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02691 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明的目的是提供一种激光照射设备，它能通过改变向前和向后方向照射中照射光束的能量强度来制造均匀结晶的薄膜。本发明的激光照射设备包括激光振荡器和改变光束强度的装置，其中激光束斜着入射到照射表面，相对于照射表面扫描激光束，且光束强度根据扫描方向变化。而且，激光振荡器是连续波固体激光器、气体激光器或金属激光器。也可使用重复频率大于或等于10MHz的脉冲激光器。

公开(公告)号：CN1758417A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510071659.7

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明 ,  上坂奈己

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/04 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0853 ,  G02B27/0944 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种与传统的照射方法相比能够精确控制激光束的照射位置的激光照射方法。本发明的另一目的是提供一种使用这种能够用激光束精确照射大衬底的激光照射方法来制造半导体器件的方法。激光束的照射位置是通过使用发出激光束的激光振荡器、使激光束在照射对象上形成为矩形的光学系统、相对于激光束在束斑的长边方向和短边方向上移动照射对象的机构、在长边方向上比在短边方向上更缓慢地移动照射对象的机构、以及激光定位机构来控制的。

公开(公告)号：CN1624868A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410100134.7

申请日：2004-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  G02F1/35 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/0853 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026

Abstract: 本发明的目的是提供一种激光照射装置，该装置与使用连续振荡的激光器的装置相比，能够大幅度地扩展光束点的面积，并抑制对玻璃衬底的热损伤，且能够使结晶面向扫描方向连续地长大，形成由沿该扫描方向延长的单结晶构成的晶粒群。本发明的激光照射装置的特征是包括激光振荡器；用于改变从所述激光振荡器发射出来的脉冲振荡激光束的波长的非线形光学元件；以及用于将其波长被改变了的所述激光束聚光到半导体膜上的光学系统，其中，所述脉冲重复频率在10MHz至100GHz的范围。