公开(公告)号：CN100433244C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200510071659.7

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明 ,  上坂奈己

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/04 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0853 ,  G02B27/0944 ,  H01L27/3244

Abstract: 制造半导体器件的方法。本发明的一个目的是提供一种与传统的照射方法相比能够精确控制激光束的照射位置的激光照射方法。本发明的另一目的是提供一种使用这种能够用激光束精确照射大衬底的激光照射方法来制造半导体器件的方法。激光束的照射位置是通过使用发出激光束的激光振荡器、使激光束在照射对象上形成为矩形的光学系统、相对于激光束在束斑的长边方向和短边方向上移动照射对象的机构、在长边方向上比在短边方向上更缓慢地移动照射对象的机构、以及激光定位机构来控制的。

公开(公告)号：CN1758417A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510071659.7

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  山本良明 ,  上坂奈己

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00

CPC classification number: B23K26/04 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/0853 ,  G02B27/0944 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种与传统的照射方法相比能够精确控制激光束的照射位置的激光照射方法。本发明的另一目的是提供一种使用这种能够用激光束精确照射大衬底的激光照射方法来制造半导体器件的方法。激光束的照射位置是通过使用发出激光束的激光振荡器、使激光束在照射对象上形成为矩形的光学系统、相对于激光束在束斑的长边方向和短边方向上移动照射对象的机构、在长边方向上比在短边方向上更缓慢地移动照射对象的机构、以及激光定位机构来控制的。