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公开(公告)号：CN118974805A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380030737.5
申请日：2023-04-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/00 , H05B44/00 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , H05B33/10 , H10K50/00
Abstract: 提供一种能够实现集成度高的半导体装置。该半导体装置包括彼此电连接的第一及第二晶体管以及第一绝缘层，其中第一晶体管包括第一半导体层、第二绝缘层以及第一至第三导电层，第二晶体管包括第二半导体层、第三绝缘层以及第四至第六导电层，第一绝缘层位于第一导电层上且包括到达第一导电层的开口，第二导电层位于第一绝缘层上，第一半导体层接触于第一导电层的顶面、开口的内壁以及第二导电层，第三导电层以在第二绝缘层上重叠于开口的内壁的方式设置，第三绝缘层位于第四导电层上，第五及第六导电层隔着第三绝缘层在第四导电层上设置，第二半导体层接触于第五及第六导电层的顶面、彼此相对的侧面以及夹在第五导电层与第六导电层之间的第三绝缘层的顶面。
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公开(公告)号：CN112805838B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201980065656.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H10K59/121 , H10K50/10
Abstract: 提供一种电特性的良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、金属氧化物层以及导电层，其中第一绝缘层、金属氧化物层及导电层依次层叠在半导体层上，第一绝缘层的端部位于半导体层的端部的内侧，金属氧化物层的端部位于第一绝缘层的端部的内侧，导电层的端部位于金属氧化物层的端部的内侧。第二绝缘层优选以覆盖半导体层、第一绝缘层、金属氧化物层及导电层的方式设置。半导体层优选具有第一区域、一对第二区域以及一对第三区域，第一区域优选与第一绝缘层及金属氧化物层重叠，第二区域优选夹持第一区域与第一绝缘层重叠且不与金属氧化物层重叠，第三区域优选夹持第一区域及一对第二区域且不与第一绝缘层重叠，第三区域优选与第二绝缘层接触。
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公开(公告)号：CN118235191A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280075633.1
申请日：2022-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , H01L27/146 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管、发光器件、第一绝缘层、第二绝缘层及第一导电层的显示装置。晶体管包括半导体层以及与半导体层电连接的第二导电层。发光器件包括像素电极。第一绝缘层设置在晶体管上并包括到达第二导电层的第一开口。第一导电层覆盖第一开口。第二绝缘层设置在第一绝缘层上并在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。像素电极覆盖第二绝缘层的顶面及第二开口。像素电极通过第一导电层与第二导电层电连接。第一绝缘层的端部位于第二导电层上。第二绝缘层的端部位于第一导电层上。第二绝缘层的端部位于第一绝缘层的端部的外侧。
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公开(公告)号：CN108780617A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780014086.5
申请日：2017-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L51/5253 , H01L2251/301 , H01L2251/5338
Abstract: 提供一种高成品率的显示装置及/或相邻像素之间的混色得到抑制的显示装置。一种显示装置，包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及粘合层。第一绝缘层具有第一开口，第二绝缘层具有第二开口，第一开口及第二开口形成在第一像素电极与第二像素电极之间，在俯视图中第二开口的外周位于比第一开口的外周更靠内侧的位置，并且粘合层具有在第二绝缘层下与第二绝缘层重叠的区域。
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