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公开(公告)号：CN101800250B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201010116559.2
申请日：2010-01-29
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/24 , H01L27/12 , H01L21/34 , H01L21/84 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/156 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要： 发明的目的在于提供一种备有使用氧化物半导体层且电特性优良的薄膜晶体管的半导体装置。将含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层用作沟道形成区，并且为了降低其与由电阻值低的金属材料构成的布线层的接触电阻，在源电极层以及漏电极层与上述含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层之间设置源区或漏区。源区或漏区以及像素区使用同一层的不含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层。
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公开(公告)号：CN104617103A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201510001758.1
申请日：2010-08-04
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/385 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L33/0041 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及液晶显示装置和半导体装置。在液晶显示装置的像素部中，第一晶体管包括第一栅电极、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一源和漏电极；氧化物绝缘层在第一源和漏电极上；像素电极经第一接触孔与第一源或漏电极电连接。在同一衬底上的驱动电路部中，第二晶体管包括第二栅电极、栅极绝缘层、第二氧化物半导体层、第二源和漏电极；氧化物绝缘层在第二源和漏电极上；第三导电层在氧化物绝缘层上；第二氧化物半导体层夹在第二栅电极和第三导电层间；通过加工同一导电膜形成第一及第二栅电极和第一导电层；第二导电层包括第二和第三接触孔中的区域；第三接触孔包括重叠于第二接触孔的区域；第一导电层经第二导电层与第二源或漏电极电连接。
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公开(公告)号：CN1808722B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200510023023.5
申请日：2005-11-04
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/5052 , H01L51/5218 , H01L2251/5315
摘要： 本发明的目的是低成本、高产量制备高可靠性的显示器件。本发明的显示器件包括：其间插有电致发光层的第一反射电极层和第二透明电极层，其中电致发光层具有含有有机化合物和无机化合物的层，且第一电极层包含含有选自钼、钛和碳中至少一种的铝合金。
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公开(公告)号：CN1808722A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510023023.5
申请日：2005-11-04
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/5052 , H01L51/5218 , H01L2251/5315
摘要： 本发明的目的是低成本、高产量制备高可靠性的显示器件。本发明的显示器件包括：其间插有电致发光层的第一反射电极层和第二透明电极层，其中电致发光层具有含有有机化合物和无机化合物的层，且第一电极层包含含有选自钼、钛和碳中至少一种的铝合金。
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