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公开(公告)号：CN1191622C
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN01133163.1
申请日：2001-09-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/283 , H01L21/30 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/28518 , H01L21/32053 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76864 , H01L21/76886 , H01L29/665
Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，通过向半导体衬底短时间照射大量的光子，改进与半导体衬底和布线相连的接触层、硅化物层和氮化硅膜等的在半导体衬底上形成的膜。在形成微细接触层时，把在接触孔内部形成金属氮化膜的工序、在600℃以下的温区内实施第一加热处理的工序、和在实施第一加热处理时的以10毫秒以下的短时间且具有以比硅的光吸收端还短的波长侧为主的发光波长的第二加热处理相组合，使TiN膜与基板界面起反应，还原自然氧化膜。短时间的热处理不会影响扩散层的杂质分布。
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公开(公告)号：CN1431715A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03100297.8
申请日：2003-01-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L29/41783 , H01L29/6656
Abstract: 本发明提供具有可以减小栅极电极与源极/漏极扩散区域(包括其布线)之间的寄生电容、可以进行高速动作的栅极结构的半导体器件及其制造方法。作为在半导体衬底11上形成的栅极电极13或被栅极保护绝缘膜14被覆起来的栅极电极13的侧面上形成的侧壁绝缘膜15，使用含氯的硅氧化物。可以减小栅极电极和包括布线的源极/漏极区域之间的寄生电容，器件的高速动作成为可能。在栅极电极侧壁部分上设置含氯的硅氮化膜以形成晶体管元件，然后把该硅氮化膜变换成含氯的硅氧化膜，作为栅极侧壁绝缘膜使用。可以无元件特性的不均一或短路地形成低寄生电容的晶体管元件。
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公开(公告)号：CN1349253A
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN01133163.1
申请日：2001-09-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/283 , H01L21/30 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/28518 , H01L21/32053 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76864 , H01L21/76886 , H01L29/665
Abstract: 通过向半导体衬底短时间照射大量的光子,改进与半导体衬底和布线相连的接触层、硅化物层和氮化硅膜等的在半导体衬底上形成的膜。在形成微细接触层时,把在接触孔内部形成金属氮化膜的工序、在600℃以下的温区内实施第一加热处理的工序、和在实施第一加热处理时的以10毫秒以下的短时间且具有以比硅的光吸收端还短的波长侧为主的发光波长的第二加热处理相组合,使TiN膜与基板界面起反应,还原自然氧化膜。短时间的热处理不会影响扩散层的杂质分布。
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公开(公告)号：CN107430986B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201580077808.2
申请日：2015-09-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , B05C5/00 , B05C11/08
Abstract: 本文描述的实施方式总体上涉及喷嘴和液体供应装置。实施方式要解决的问题是提供具有防止滴液的新颖结构的喷嘴和液体供应装置。根据实施方式，喷嘴包括本体。本体设置有：供应口，液体被供应至供应口；排出口，液体从排出口向下排出；以及流道，其在供应口与排出口之间延伸。流道包括存储部和排气部。存储部包括：第一部分，液体通过第一部分向下流到排出口；以及第二部分，其设置在第一部分的下游，液体通过第二部分向上流到排出口。排气部能够在液体没有从排出口排出而被存储在存储部中时将第二部分的上游的气体排出。存储部包括连接第一部分和第二部分的第三部分。排气部包括通向流道中的第三部分的上游侧的部分和下游侧的部分的旁路通道。
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公开(公告)号：CN107075669A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580048993.2
申请日：2015-11-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 一种处理装置包括发生器安装件、第一对象安装件以及第一准直器。能够发射粒子的粒子发生器放置在发生器安装件上。第一对象放置在第一对象安装件上。第一准直器放置在发生器安装件和第一对象安装件之间，并且具有第一壁和第二壁。在第一准直器中，第一壁和第二壁形成在从发生器安装件到第一对象安装件的第一方向中延伸的第一通孔。第二壁中的每一个设置有至少一个第一通道。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106029263A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201480076272.8
申请日：2014-09-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B22F3/105
CPC classification number: B23K26/1476 , B22F3/1055 , B22F2003/1056 , B22F2003/1059 , B23K26/083 , B23K26/0869 , B23K26/142 , B23K26/144 , B23K26/147 , B23K26/16 , B23K26/342 , B29C64/153 , B29C64/35 , B33Y30/00 , B33Y40/00 , Y02P10/295
Abstract: 本发明实施方式的层叠造型装置的喷嘴具备供气部和排气部。在供气部设有被供给气体的供气口。在排气部设有将气体排出的排气口。供气口和排气口隔开间隔而对置。
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公开(公告)号：CN1301343C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN02141417.3
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4412
Abstract: 本发明提供一种可以延长寿命、提高生产效率的真空排气系统。包括：具有多个监视区域的排气泵系统2；分别设在监视区域上的分别独立地检测监视区域中的排气泵系统2的状态的传感器101、102、103、……、104；分别设在监视区域中加热器201、202、203、……、204；分别接收来自传感器101、102、103、……、104的数据信号D1、D2、D3、……、Dm，比较该数据信号与阈值，当来自特定的传感器的数据信号超过了阈值时，只向配置了特定的传感器的监视区域的加热器选择性地供给加热用电力的监视·控制装置1。
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公开(公告)号：CN1211864C
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03100297.8
申请日：2003-01-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L29/41783 , H01L29/6656
Abstract: 本发明提供具有可以减小栅极电极与源极/漏极扩散区域(包括其布线)之间的寄生电容、可以进行高速动作的栅极结构的半导体器件的制造方法。作为在半导体衬底11上形成的栅极电极13或被栅极保护绝缘膜14被覆起来的栅极电极13的侧面上形成的侧壁绝缘膜15，使用含氯的硅氧化物。可以减小栅极电极和包括布线的源极/漏极区域之间的寄生电容，器件的高速动作成为可能。在栅极电极侧壁部分上设置含氯的硅氮化膜以形成晶体管元件，然后把该硅氮化膜变换成含氯的硅氧化膜，作为栅极侧壁绝缘膜使用。可以无元件特性的不均一或短路地形成低寄生电容的晶体管元件。
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公开(公告)号：CN1497737A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310100341.8
申请日：2003-10-14
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 田中正幸
IPC: H01L29/78 , H01L27/085 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/3185 , H01L21/76801 , H01L21/76828 , H01L29/665 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有含有不使金属硅化物构成的导电层劣化的硅氮化膜的绝缘膜。在硅化镍等金属硅化物的导电层9上均匀形成有以含碳的硅氮化膜为主成分的绝缘膜10。含碳的硅氮化膜通过氮化源和硅源的反应而成膜。作为硅源使用的六甲基乙硅烷具有甲基，所以在通过反应而形成的硅氮化膜中含有碳和氢。因此，如果含有甲基则膜本体变得稀疏，从而比介电常数下降，抑制了被称为RC延迟的晶体管的速度下降。通过使用含碳的硅氮化膜，在工序中金属硅化物的导电层不劣化。作为硅源，举出具有氨基、在自由基中具有碳化物的氨基等的物质。
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公开(公告)号：CN1404150A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02132217.1
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , G11C11/34 , G11C17/00
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L27/105 , H01L27/11573 , H01L29/792
Abstract: 本发明具有包含第1绝缘层，电荷积蓄层和第2绝缘层三层的栅极绝缘膜，和在这个栅极绝缘膜上形成的栅极，包含可以电写入/擦除信息的存储单元，电荷积蓄层由硅氮化膜或硅氧氮化膜构成，第1绝缘层和第2绝缘层分别由硅氧化膜或有比上述电荷积蓄层多的氧组成的硅氧化膜构成，第2绝缘层的厚度比5(nm)大，栅极由包含p型杂质的p型半导体构成。
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