公开(公告)号：CN1661778A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510065628.0

申请日：2005-02-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之 ,  须黑恭一 ,  富家甘奈 ,  大内和也

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686 ,  H01L29/6659

Abstract: 以效率高的工序相互结合良好的方式提供具有浅的杂质区域的精细化的半导体器件的制造方法。该方法包括对于p阱层(2)、n阱层(3)进行杂质离子的注入的工序；以及对于p阱层(2)、n阱层(3)照射从上升开始到达峰值能量值的时间大于等于0.3毫秒的脉冲光的工序。此外，该方法包括在小于等于600℃的成膜温度下在形成了栅电极(6)的硅衬底(1)上形成氮化硅膜(10)的工序；对于氮化硅膜(10)边实施辅助加热边照射闪光灯光的工序；以及进行各向异性蚀刻使照射了闪光灯光的氮化硅膜(10)仅残留配置在栅侧壁上的工序。

公开(公告)号：CN1315179C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200410048162.9

申请日：2004-06-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/823814

Abstract: 本发明提供半导体衬底上不发生滑移和缺陷，而可以形成浅pn结的半导体器件的制造方法。硅衬底上形成元件区域和元件隔离区域，元件区域上形成栅绝缘膜和栅电极。以栅电极为掩模，形成注入源漏杂质的源漏杂质区域。进行不让源漏杂质扩散，恢复源漏杂质区域晶体性的热处理。在元件隔离区域、硅衬底和栅电极上形成层间绝缘膜。介以层间绝缘膜对硅衬底照射层间绝缘膜不吸收而由硅衬底吸收的光加热硅衬底，不让源漏杂质扩散，但激活源漏杂质。

公开(公告)号：CN1855496A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610076090.8

申请日：2004-06-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823814

Abstract: 本发明提供半导体衬底上不发生滑移和缺陷，而可以形成浅pn结的半导体器件。硅衬底上形成元件区域和元件隔离区域，元件区域上形成栅绝缘膜和栅电极。以栅电极为掩模，形成注入源漏杂质的源漏杂质区域。进行不让源漏杂质扩散，恢复源漏杂质区域晶体性的热处理。在元件隔离区域、硅衬底和栅电极上形成层间绝缘膜。介以层间绝缘膜对硅衬底照射层间绝缘膜不吸收而由硅衬底吸收的光加热硅衬底，不让源漏杂质扩散，但激活源漏杂质。

公开(公告)号：CN100353497C

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200510065628.0

申请日：2005-02-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之 ,  须黑恭一 ,  富家甘奈 ,  大内和也

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2686 ,  H01L29/6659

Abstract: 以效率高的工序相互结合良好的方式提供具有浅的杂质区域的精细化的半导体器件的制造方法。该方法包括对于p阱层(2)、n阱层(3)进行杂质离子的注入的工序；以及对于p阱层(2)、n阱层(3)照射从上升开始到达峰值能量值的时间大于等于0.3毫秒的脉冲光的工序。此外，该方法包括在小于等于600℃的成膜温度下在形成了栅电极(6)的硅衬底(1)上形成氮化硅膜(10)的工序；对于氮化硅膜(10)边实施辅助加热边照射闪光灯光的工序；以及进行各向异性蚀刻使照射了闪光灯光的氮化硅膜(10)仅残留配置在栅侧壁上的工序。

公开(公告)号：CN1191622C

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN01133163.1

申请日：2001-09-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中正幸 ,  中嶋一明 ,  綱岛祥隆 ,  伊藤贵之 ,  须黑恭一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76886 ,  H01L29/665

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，通过向半导体衬底短时间照射大量的光子，改进与半导体衬底和布线相连的接触层、硅化物层和氮化硅膜等的在半导体衬底上形成的膜。在形成微细接触层时，把在接触孔内部形成金属氮化膜的工序、在600℃以下的温区内实施第一加热处理的工序、和在实施第一加热处理时的以10毫秒以下的短时间且具有以比硅的光吸收端还短的波长侧为主的发光波长的第二加热处理相组合，使TiN膜与基板界面起反应，还原自然氧化膜。短时间的热处理不会影响扩散层的杂质分布。

公开(公告)号：CN1349253A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN01133163.1

申请日：2001-09-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中正幸 ,  中嶋一明 ,  綱岛祥隆 ,  伊藤贵之 ,  须黑恭一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76886 ,  H01L29/665

Abstract: 通过向半导体衬底短时间照射大量的光子,改进与半导体衬底和布线相连的接触层、硅化物层和氮化硅膜等的在半导体衬底上形成的膜。在形成微细接触层时,把在接触孔内部形成金属氮化膜的工序、在600℃以下的温区内实施第一加热处理的工序、和在实施第一加热处理时的以10毫秒以下的短时间且具有以比硅的光吸收端还短的波长侧为主的发光波长的第二加热处理相组合,使TiN膜与基板界面起反应,还原自然氧化膜。短时间的热处理不会影响扩散层的杂质分布。

公开(公告)号：CN100477223C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610076090.8

申请日：2004-06-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823814

Abstract: 本发明提供半导体衬底上不发生滑移和缺陷，而可以形成浅pn结的半导体器件。硅衬底上形成元件区域和元件隔离区域，元件区域上形成栅绝缘膜和栅电极。以栅电极为掩模，形成注入源漏杂质的源漏杂质区域。进行不让源漏杂质扩散，恢复源漏杂质区域晶体性的热处理。在元件隔离区域、硅衬底和栅电极上形成层间绝缘膜。介以层间绝缘膜对硅衬底照射层间绝缘膜不吸收而由硅衬底吸收的光加热硅衬底，不让源漏杂质扩散，但激活源漏杂质。

公开(公告)号：CN1244955C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN03146085.2

申请日：2003-07-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之 ,  须黑恭一

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/2686 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明的课题是提供防止因栅电极中的杂质扩散不充分引起的耗尽化且具有低电阻的和浅的杂质扩散层的MOS晶体管。解决方法是具有下述工序：在单晶的半导体衬底上形成栅绝缘膜的工序；在栅绝缘膜上形成由多晶导电膜构成的栅电极的工序；在栅电极中和与栅电极邻接或离开的半导体衬底的表面层中注入杂质的工序；在主要使在栅电极中已被注入的杂质扩散、同时抑制在半导体衬底的表面层中已被注入的杂质的扩散的的温度下进行热处理的第1热处理工序；以及在使半导体衬底中已被注入的杂质激活的温度下与第1热处理相比以高温短时间进行热处理的第2热处理工序。

公开(公告)号：CN1472780A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03146085.2

申请日：2003-07-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之 ,  须黑恭一

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/2686 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明的课题是提供防止因栅电极中的杂质扩散不充分引起的耗尽化且具有低电阻的和浅的杂质扩散层的MOS晶体管。解决方法是具有下述工序：在单晶的半导体衬底上形成栅绝缘膜的工序；在栅绝缘膜上形成由多晶导电膜构成的栅电极的工序；在栅电极中和与栅电极邻接或离开的半导体衬底的表面层中注入杂质的工序；在主要使在栅电极中已被注入的杂质扩散、同时抑制在半导体衬底的表面层中已被注入的杂质的扩散的温度下进行热处理的第1热处理工序；以及在使半导体衬底中已被注入的杂质激活的温度下与第1热处理相比以高温短时间进行热处理的第2热处理工序。

公开(公告)号：CN100373533C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200410056986.0

申请日：2004-08-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤贵之 ,  须黑恭一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/665 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。本发明实现在Si晶片中不发生损伤的闪光灯退火法。在Si晶片1的上方设置闪光灯光源，在由从闪光灯光源辐射出的光加热Si晶片(1)时，以由上述光在Si晶片(1)上形成的光强度分布形成在与Si晶片(1)晶体取向不同的方向上强度成为最大的分布的方式，加热Si晶片(1)。