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公开(公告)号：CN1158692C
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN99801585.7
申请日：1999-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B29/06 , C23C16/481 , C23C16/52 , C30B25/14 , C30B25/165 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 晶体生长装置由真空容器(10)、加热灯(12)、对加热灯(12)进行控制的灯控制器(13)、气体通入口(14)、调节气体流量的流量调节器(15)、测量衬底温度的高温计(19)、将乙硅烷等气体供到真空容器(10)的供气单元(30)组成。椭圆偏振光谱测量装置由光源(20)、起偏器(21)、调制器(22)、分析器(24)、分光仪/检测单元(25)以及计算Ψ、Δ的分析控制装置(26)组成。在去除衬底上的化学氧化膜时，通过现场椭圆偏振光谱测量，来识别氧化膜覆盖衬底面的phase 1和衬底的一部分已经露出来的phase 2，从而向各phase适当地提供和停供气体。
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公开(公告)号：CN1365522A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01800687.6
申请日：2001-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/161 , H01L21/205 , H01L21/26 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/161 , C30B25/02 , C30B29/52 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02507 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , Y10T428/12674 , Y10T428/265
Abstract: 在Si衬底101上,利用UHV－CVD法,使B掺杂Si1－x－yGexCy层102(0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100580877C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200780003085.7
申请日：2007-01-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法。在用于制造半导体小片的本发明的方法中，首先，通过将牺牲层(11)和半导体层(12)以该顺序反复层叠在基板(10)上，在基板(10)上形成两层以上的半导体层(12)。接着，通过对牺牲层(11)和半导体层(12)的一部分进行蚀刻，将半导体层(12)分割成多个小片。接着，通过除去牺牲层(11)，将该小片从基板分离。
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公开(公告)号：CN100490180C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200580001762.2
申请日：2005-09-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/7781 , H01L29/78642 , Y10S977/938
Abstract: 本发明提供一种纵向场效应晶体管，具备：由使带电粒子移动的多个纳米线的束构成的活性区域(110)；与活性区域(110)的下端连接且作为源极区域和漏极区域的其中一方发挥功能的下部电极(120)；与活性区域(110)的上端连接且作为源极区域和漏极区域的另一方发挥功能的上部电极(130)；控制活性区域(110)的至少一部分的导电性的栅极(150)；以及，使栅极(150)与纳米线电绝缘的栅极绝缘膜。上部电极(130)，隔着电介质部(140)位于下部电极(120)之上，并具有从电介质部(140)的上面横向突出的突出部分(130a、130b)。由纳米线的束构成的活性区域(110)，配置在上部电极(130)的突出部分(130a、130b)的正下方。
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公开(公告)号：CN1168147C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN00100243.0
申请日：2000-01-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/02 , H01L27/04 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/324 , C30B29/02
CPC classification number: H01L29/165 , C30B23/02 , C30B29/68 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02507 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L29/1054 , H01L29/155
Abstract: 交替地将不产生离散的量化能级的厚度薄的Si1-xGex层(0＜x＜1)和Si1-yCy层(0＜y＜1)层叠成多层，以形成能起到单一的SiGeC层的作用的Si1-xGex/Si1-yCy短周期超晶格体。这样，可获得排除Ge-C键的SiGeC三元混晶体。在形成Si1-xGex/Si1-yCy短周期超晶格体的方法中，有交替地使Si1-xGex层和Si1-yCy层外延生长的方法以及在形成Si/Si1-xGex短周期超晶格体之后，注入C离子，再通过热处理，以使C原子移到Si层中的方法。
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公开(公告)号：CN1277735A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN99801585.7
申请日：1999-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B29/06 , C23C16/481 , C23C16/52 , C30B25/14 , C30B25/165 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 晶体生长装置由真空容器(10)、加热灯(12)、对加热灯(12)进行控制的灯控制器(13)、气体通入口(14)、调节气体流量的流量调节器(15)、测量衬底温度的高温计(19)、将乙硅烷等气体供到真空容器(10)的供气单元(30)组成。椭圆偏振光谱测量装置由光源(20)、起偏器(21)、调制器(22)、分析器(24)、分光仪/检测单元(25)以及计算Ψ、△的分析控制装置(26)组成。在去除衬底上的化学氧化膜时,通过现场椭圆偏振光谱测量,来识别氧化膜覆盖衬底面的phase 1和衬底的一部分已经露出来的phase 2,从而向各phase适当地提供和停供气体。
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公开(公告)号：CN1267916A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN00102992.4
申请日：2000-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L27/24 , H01L21/328 , H01L21/70
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L21/763 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/7378
Abstract: 在硅基板100内,由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102,在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上,使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112,而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118;在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子,以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样,使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。
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