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公开(公告)号：CN1267916A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN00102992.4
申请日：2000-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L27/24 , H01L21/328 , H01L21/70
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L21/763 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/7378
Abstract: 在硅基板100内,由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102,在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上,使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112,而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118;在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子,以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样,使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。
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公开(公告)号：CN1294414A
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN00130023.7
申请日：2000-10-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L29/735 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L29/737
Abstract: 一种横型异质结双极三极管及其制造方法是由积层Si基板、BOX层以及半导体层形成所谓的SOI构造。然后,在半导体层中,具有由硅构成的集电极、围绕集电极的SiGeC/Si层、n型多晶硅构成的发射极和外部基极层。内部基极层由Si1－x－yGexCy层构成。利用异质结构造,可以将内部基极层低阻抗化,并且可以抑制通过外延生长形成由Si1－x－yGexCy层构成内部基极层中的杂质的扩散。该二极管具有寄生电容和寄生阻抗小、可以将内部基极层低阻抗化。
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公开(公告)号：CN1344033A
公开(公告)日：2002-04-10
申请号：CN01123693.0
申请日：2001-09-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L29/739 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7378
Abstract: 提供一种在实现低驱动电压化的同时,可以抑制发射极、基极之间的再结合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质结场效应晶体管。在Si基板10上积层Si集电极埋入层11、C含有率高的SiGeC层构成的第1基极区域12、C含有率低的SiGeC层或者SiGe层构成的第2基极区域13、包含发射极区域14a的Si空隙层14。第2基极区域的至少发射极区域侧端部,C含有率不到0.8%。因此,在发射极、基极结合部的耗尽层中,可以抑制由C引起的再结合中心的形成,维持低驱动电压性,通过降低再结合电流,实现对电流放大倍率等电特性的改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1205674C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN01123693.0
申请日：2001-09-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L29/739 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7378
Abstract: 提供一种在实现低驱动电压化的同时，可以抑制发射极、基极之间的再结合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质结场效应晶体管。在Si基板10上积层Si集电极埋入层11、C含有率高的SiGeC层构成的第1基极区域12、C含有率低的SiGeC层或者SiGe层构成的第2基极区域13、包含发射极区域14a的Si空隙层14。第2基极区域的至少发射极区域侧端部，C含有率不到0.8%。因此，在发射极、基极结合部的耗尽层中，可以抑制由C引起的再结合中心的形成，维持低驱动电压性，通过降低再结合电流，实现对电流放大倍率等电特性的改善。
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公开(公告)号：CN1184694C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN00100291.0
申请日：2000-01-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/02 , H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/167
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法是在半导体基片上设置含C的下部Si间隙层118、i-Si1-yGey层119(0＜y＜1)、i-Si间隙层142、SiO2层117和栅极116。因为使下部Si间隙层118含有了C原子，抑制Si1-yGey层中的Ge的漂移·扩散·分离，所以能抑制Si/Si1-yGey层异质界面136的构造紊乱，从而保持明确、平滑的界面。因此，提高了沿异质界面流动的沟道中载流子的传导度等特性。即改善了热处理时半导体器件耐热性。并且，通过使其具有倾斜的C浓度分布来抑制C原子向栅极绝缘膜的扩散，并防止可靠性的下降。
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公开(公告)号：CN1215569C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN00102992.4
申请日：2000-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/203
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L21/763 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/7378
Abstract: 在硅基板100内，由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102，在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上，使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112，而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118；在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子，以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样，使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。
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公开(公告)号：CN1159768C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN00130023.7
申请日：2000-10-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L29/735 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L29/737
Abstract: 一种横型异质结双极三极管及其制造方法是由积层Si基板、BOX层以及半导体层形成所谓的SOI构造。然后，在半导体层中，具有由硅构成的集电极、围绕集电极的SiGeC/Si层、n型多晶硅构成的发射极和外部基极层。内部基极层由Si1-x-yGexCy层构成。利用异质结构造，可以将内部基极层低阻抗化，并且可以抑制通过外延生长形成由Si1-x-yGexCy层构成内部基极层中的杂质的扩散。该二极管具有寄生电容和寄生阻抗小、可以将内部基极层低阻抗化。
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公开(公告)号：CN1260595A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN00100291.0
申请日：2000-01-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/02 , H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/167
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法是在半导体基片上设置含C的下部Si间隙层118、i－Si1－yGey层119(0
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