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公开(公告)号：CN1833367A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200480022804.6
申请日：2004-07-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供了具有较好功率效率与发送输出功率的宽控制范围的发送装置以及发送功率控制方法、以及利用该发送装置的无线电通信装置。在高功率输出期间，将高频功率放大器(5)操作为非线性放大器，由此提高发送信号的功率放大期间的功率效率。另外，在低功率输出期间，将高频功率放大器(5)操作为线性放大器，由此获得发送输出功率的宽控制范围。另外，当高频功率放大器(5)操作为非线性放大器时，由可变增益放大器(7)根据发送信号的平均输出功率而改变高频功率放大器(5)的输入电平，由此减少泄漏功率，并且获得发送输出功率的宽控制范围。
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公开(公告)号：CN1267916A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN00102992.4
申请日：2000-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L27/24 , H01L21/328 , H01L21/70
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L21/763 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/7378
Abstract: 在硅基板100内,由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102,在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上,使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112,而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118;在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子,以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样,使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。
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公开(公告)号：CN1864325B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200480029232.4
申请日：2004-08-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/0222 , H03F1/02 , H03F3/189 , H03F3/24 , H03G3/004 , H03G3/3042 , H03G2201/103 , H03G2201/307 , H03G2201/40 , H04B2001/045
Abstract: 可提供一种发送装置，它能够呈现高效率和优选的线性，并且覆盖宽范围的输出电平。按照工作模式指定信号(107)，高频率功率放大器(15)的工作模式被指定为线性工作模式或饱和工作模式。被布置在高频功率放大器(15)前级的可变增益放大器(14)的增益、从电源电压/偏置电流控制电路(17)向高频功率放大器(15)提供的输出电压(109)和偏置电流值被从一个向另一个转换。在饱和工作模式的情况下，使得可变增益放大器(14)的增益比在线性工作模式下大预定量。因此，高频功率放大器(15)工作在指定的工作模式中，并且可以获得宽范围的输出发送功率。
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公开(公告)号：CN1533609A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN02808393.8
申请日：2002-04-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/783 , H01L29/78606 , H01L29/78687 , H01L29/802
Abstract: 一种半导体装置，倾斜SiGe－HDTMOS的半导体层(30)，由上部Si膜(12)、Si缓冲层(13)、Si1－xGex膜(14)以及Si罩层(15)所构成。在半导体层(30)中的源区域(20a)和漏区域(20b)之间的区域设置高浓度的n型本体区域(22)、n－－Si区域(23)、Si罩区域(25)、SiGe沟道区域(24)。Si1－xGex膜(14)的Ge组成比x，成为从Si缓冲层(13)向Si罩层(15)增大的组成。在p型HDTMOS中，可以减少衬底电流中的电子电流成分。
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公开(公告)号：CN102273068A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153245.5
申请日：2009-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 原义博
CPC classification number: H03F1/0222 , H03F3/24
Abstract: 本发明提供一种对功率放大器的输出特性进行补偿的极化调制装置。数据生成器(11)从基带信号生成振幅分量信号和相位分量信号；相位调制器(12)生成对相位分量信号实施了相位调制的相位调制信号；加法器(16)将振幅偏移电压加到振幅分量信号；功率放大器(13)包括第1异质结双极晶体管，并通过振幅分量信号来放大相位调制信号；监视部(14)监视功率放大器(13)，并输出监视电压；控制部(15)计算与监视电压相应的振幅偏移电压，并输出到加法器(16)；监视部(14)包括第2异质结双极晶体管，并将该第2异质结双极晶体管的集电极-发射极间电压作为监视电压输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100593912C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200680000153.X
申请日：2006-02-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/24 , H03F1/02 , H03F1/0205 , H03F1/0227 , H03F3/72 , H03F2200/324 , H03F2200/451
Abstract: 在发送输出信号(S6)的功率电平为高的第一模式中，倍乘器(2)的输出被输入至振幅调制信号放大器(4)，且射频功率放大器(5)在来自振幅调制信号放大器(4)的电源电压下用非线性区对射频相位已调制信号(S4)执行振幅调制。在发送输出信号(S6)的功率电平为低的第二模式中，倍乘器(2)的输出被输入至可变增益放大器(7)，且可变增益放大器(7)对射频相位已调制信号(S4)执行振幅调制。振幅已调制信号不通过射频功率放大器(5)而被输出。
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公开(公告)号：CN1312778C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN02808393.8
申请日：2002-04-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/783 , H01L29/78606 , H01L29/78687 , H01L29/802
Abstract: 一种半导体装置，倾斜SiGe-HDTMOS的半导体层(30)，由上部Si膜(12)、Si缓冲层(13)、Si1-xGex膜(14)以及Si罩层(15)所构成。在半导体层(30)中的源区域(20a)和漏区域(20b)之间的区域设置高浓度的n型本体区域(22)、n-Si区域(23)、Si罩区域(25)、SiGe沟道区域(24)。Si1-xGex膜(14)的Ge组成比x，成为从Si缓冲层(13)向Si罩层(15)增大的组成。在p型HDTMOS中，可以减少衬底电流中的电子电流成分。
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公开(公告)号：CN1215569C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN00102992.4
申请日：2000-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L21/203
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L21/763 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/7378
Abstract: 在硅基板100内，由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102，在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上，使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112，而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118；在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子，以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样，使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。
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公开(公告)号：CN101119120B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200710143718.6
申请日：2007-08-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H04L27/368 , H03C5/00 , H04L27/361
Abstract: 提供了一种发送电路1，其能够精确地补偿幅度调制部分15的偏移特性，并且能够在较宽的输出电功率范围上低失真且高效率地工作。信号生成部分11输出幅度信号和角度调制信号。幅度放大部分14将与已输入的幅度信号的幅值相对应的信号输入到幅度调制部分15。幅度调制部分15利用从幅度放大部分14输入的信号来对角度调制信号进行幅度调制，并且将所产生的信号输出作为调制信号。功率测量部分18测量幅度调制部分15的输出功率。偏移补偿部分12根据幅度调制部分15的输出功率，从存储器13中读取偏移补偿值，并且将所读取的偏移补偿值累加到所述幅度信号。
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公开(公告)号：CN1943121A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200680000153.X
申请日：2006-02-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F3/24 , H03F1/02 , H03F1/0205 , H03F1/0227 , H03F3/72 , H03F2200/324 , H03F2200/451
Abstract: 在发送输出信号(S6)的功率电平为高的第一模式中，倍乘器(2)的输出被输入至振幅调制信号放大器(4)，且射频功率放大器(5)在来自振幅调制信号放大器(4)的电源电压下用非线性区对射频相位已调制信号(S4)执行振幅调制。在发送输出信号(S6)的功率电平为低的第二模式中，倍乘器(2)的输出被输入至可变增益放大器(7)，且可变增益放大器(7)对射频相位已调制信号(S4)执行振幅调制。振幅已调制信号不通过射频功率放大器(5)而被输出。
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