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公开(公告)号：CN112014983A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010947193.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及电光调制，高速光通信技术领域，更具体地，涉及一种基于铌酸锂波导的电光开关及其制作方法。用于解决传统电光开关消光比大、开关频率低、带宽受限的问题。此种电光开关自上而下的结构为：渐变阵列电极、缓冲层和基底；所述渐变阵列电极为一组底边呈规律性变化的等腰三角形微结构阵列电极单元；所述基底为块状铌酸锂或者铌酸锂薄膜集成波导，所述铌酸锂薄膜集成波导为单晶铌酸锂与衬底的结合，所述块状铌酸锂或单晶铌酸锂内部包裹有质子交换铌酸锂波导；所述质子交换铌酸锂波导形成波导区，所述波导区呈Y字形，所述波导区包括输入端、渐变区和输出端，所述波导区之外的区域为非波导区。通过上述技术方案，以实现低损耗、稳定性强、驱动电压低、调制带宽大的技术效果。
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公开(公告)号：CN107505735B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201710751379.3
申请日：2017-08-28
Applicant: 暨南大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及光通讯器件技术领域，具体是一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统。一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统，包括纳米光纤和玻璃衬底，纳米光纤输入端连接波分复用器，波分复用器的输入端同时连接两个激光器，两个激光器分别输入泵浦光和探测光，纳米光纤下方放置玻璃衬底，玻璃衬底与纳米位移装置连接，纳米位移装置用于实现玻璃衬底以纳米量级移动，纳米光纤和玻璃衬底间的初始安装间距使探测光的消逝场与玻璃衬底耦合。本发明不需依赖电学技术，能快速响应，高效率地实现光功率控制。
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公开(公告)号：CN106896084B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201710136299.7
申请日：2017-03-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及光纤传感技术领域，公开了一种基于二硒化钼的光纤湿度传感器，包括侧边抛磨光纤、二硒化钼膜层，所述侧边抛磨光纤包括包层和纤芯，所述包层经部分抛磨处理成一抛磨面，所述二硒化钼膜层沉积在所述侧边抛磨光纤的抛磨面上。本发明通过二硒化钼与光纤的结合制成的湿度传感器，不仅制备简单、成本低廉，而且与传统湿度传感器相比，具有兼容性高、响应灵敏、线性好、重复性高、测湿范围大的优点。
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公开(公告)号：CN104197863B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410380952.0
申请日：2014-08-05
Applicant: 暨南大学
IPC: G01B11/26
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体光纤方位角的确定方法，用激光垂直照射在光子晶体光纤的侧面并在前方的成像屏上成像，用数码相机拍摄散射条纹图案，其特征在于：对散射条纹图案的处理方式为：将散射条纹图案分割成上下两个区域，两个区域光强度之和分别为第一特征值和第二特征值，逐步旋转光子晶体光纤，得到与旋转角度一一对应的第一特征值组和第二特征值组，求得第一旋转角度极值组及第二旋转角度极值组，并分别从中选出第一角度θ1及第二角度θ2，该两角度差值的绝对值小于20°，光子晶体光纤ГК方位角θГК由公式θГК=（θ1+θ2）/2确定。本发明可用于光子晶体光纤器件的制作加工过程，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN106019468A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610580334.X
申请日：2016-07-21
Applicant: 暨南大学
IPC: G02B6/02
CPC classification number: G02B6/02142
Abstract: 本发明公开一种基于激光还原氧化石墨烯微结构包层滤波器及其制作方法，运用紫光照射法来还原氧化石墨烯，把处理好的氧化石墨烯沉积在封装好的侧边抛磨光纤的抛磨面上，之后，可通过光学显微镜和扫描电镜对抛磨面进行观察，验证氧化石墨烯已经覆盖在抛磨面上，最后，使用振幅掩膜在抛磨面上的氧化石墨烯写下光栅结构，形成包层折射率调制的光纤光栅，从而制备得到氧化石墨烯‑石墨烯周期结构的包层折射率调制光纤光栅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103335741B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310242766.6
申请日：2013-06-19
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的光纤温度传感器，其特征在于：在一段圆形普通光纤上，其中一段长度为1～3cm的区域设为光纤传感区，光纤传感区的部分包层被去除，光纤包层与纤芯界面的最短距离为1～3μm，在光纤传感区上沉积了还原氧化石墨烯薄膜，还原氧化石墨烯薄膜的厚度为10～30μm。本发明利用石墨烯的热致光吸收效应制作温度传感器，具有响应速度快、灵敏度高、寿命长、抗电磁干扰能力强等优点。
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公开(公告)号：CN118738168A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410759246.0
申请日：2024-06-13
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种多场调控的矢量光电逻辑器件及其制备方法，属于矢量光电逻辑器件技术领域，通过在LNOI衬底上集成二维硒化铋材料，利用二维硒化铋材料光热电响应对激光位置、功率以及外部偏压的敏感特性，制备了一种多场调控的矢量光电逻辑器件，矢量光电逻辑器件可通过调控激光光源位置、激光功率大小以及外部偏压实现不同的逻辑输入值，从而实现不同大小和矢量方向的光电流输出值。
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公开(公告)号：CN118738154A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410714660.X
申请日：2024-06-04
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种非线性上转换光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，光电转换器中包括透明石英，Cr/Au交叉电极以及MoS2/BaTiO3异质结构，异质结构是通过低成本的剥离和转移方法结合旋涂技术构建而成，实现MoS2的高导电性和BaTiO3的铁电性能相辅相成，光电探测器具有优异的非线性效应，可用于解决光探测中饱和吸收所导致的致盲问题，非线性上转换光电探测器是通过BaTiO3的非线性效应将强近红外光转换到可见光带，随后被MoS2吸收并贡献到光电流中，为解决光电探测中的饱和吸收问题提供了一种解决方案，本发明标志着二维材料与铁电材料异质一体化可通过非线性上转换实现近红外探测，具有拓宽响应带范围、满足强光照射下可靠运行要求。
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公开(公告)号：CN116581177A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310665431.9
申请日：2023-06-07
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了基于Bi2O2Se的多功能器件及其制备方法，该器件包括：衬底、层状二维材料Bi2O2Se、第一金电极层和第二金电极层，所述衬底上方集成有第一金电极层，所述第一金电极层上表面设置有层状二维材料Bi2O2Se，所述层状二维材料Bi2O2Se的上表面设置有第二金电极层。本发明通过研究对比新型半导体层状二维材料Bi2O2Se的上水平、下水平和垂直三种不同沟道的电流输运特性，构建同时具有光电探测功能和突触功能的多功能器件。本发明作为基于Bi2O2Se的多功能器件及其制备方法，可广泛应用于多功能器件技术领域。
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公开(公告)号：CN113721376B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202110863050.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 暨南大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光控太赫兹光纤调制器及其光振幅调制方法，该光控太赫兹光纤调制器包括：用来传输太赫兹波的太赫兹光纤，太赫兹光纤的侧边设置抛磨区域，侧边设置有抛磨区域的太赫兹光纤端面呈“D”型；抛磨区域上设置具有微纳结构的超材料，超材料上设置石墨烯，形成作为光调制结构的石墨烯‑超材料结构。本发明采用侧边抛磨太赫兹光纤结构，能有效降低太赫兹波在自由空间中的损耗，增大石墨烯与太赫兹波倏逝场的接触面积，提高了调制效率。本发明采用石墨烯作为调制媒介物质可有效提高太赫兹调制器的调制特性。在太赫兹波段，采用超材料制备的纳米周期性结构具有高谐振因子。谐振增强使得超材料与太赫兹光的相互作用得到有效加强。
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