公开(公告)号：CN113721376B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202110863050.2

申请日：2021-07-29

Applicant: 暨南大学

Inventor： 关贺元 ,  卢惠辉 ,  陈立均 ,  吴岱 ,  李鹏 ,  丘文涛 ,  陈哲 ,  王建新 ,  韩鑫洋 ,  明经渊 ,  梁爱杰

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明公开了一种光控太赫兹光纤调制器及其光振幅调制方法，该光控太赫兹光纤调制器包括：用来传输太赫兹波的太赫兹光纤，太赫兹光纤的侧边设置抛磨区域，侧边设置有抛磨区域的太赫兹光纤端面呈“D”型；抛磨区域上设置具有微纳结构的超材料，超材料上设置石墨烯，形成作为光调制结构的石墨烯‑超材料结构。本发明采用侧边抛磨太赫兹光纤结构，能有效降低太赫兹波在自由空间中的损耗，增大石墨烯与太赫兹波倏逝场的接触面积，提高了调制效率。本发明采用石墨烯作为调制媒介物质可有效提高太赫兹调制器的调制特性。在太赫兹波段，采用超材料制备的纳米周期性结构具有高谐振因子。谐振增强使得超材料与太赫兹光的相互作用得到有效加强。

公开(公告)号：CN113721376A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110863050.2

申请日：2021-07-29

Applicant: 暨南大学

Inventor： 关贺元 ,  卢惠辉 ,  陈立均 ,  吴岱 ,  李鹏 ,  丘文涛 ,  陈哲 ,  王建新 ,  韩鑫洋 ,  明经渊 ,  梁爱杰

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明公开了一种光控太赫兹光纤调制器及其光振幅调制方法，该光控太赫兹光纤调制器包括：用来传输太赫兹波的太赫兹光纤，太赫兹光纤的侧边设置抛磨区域，侧边设置有抛磨区域的太赫兹光纤端面呈“D”型；抛磨区域上设置具有微纳结构的超材料，超材料上设置石墨烯，形成作为光调制结构的石墨烯‑超材料结构。本发明采用侧边抛磨太赫兹光纤结构，能有效降低太赫兹波在自由空间中的损耗，增大石墨烯与太赫兹波倏逝场的接触面积，提高了调制效率。本发明采用石墨烯作为调制媒介物质可有效提高太赫兹调制器的调制特性。在太赫兹波段，采用超材料制备的纳米周期性结构具有高谐振因子。谐振增强使得超材料与太赫兹光的相互作用得到有效加强。

公开(公告)号：CN115437166A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211015760.0

申请日：2022-08-24

Applicant: 暨南大学

Inventor： 关贺元 ,  韩鑫洋 ,  陈立均 ,  吴岱 ,  李鹏 ,  卢惠辉 ,  丘文涛 ,  陈哲 ,  徐成 ,  骆震阳 ,  梁爱杰

IPC: G02F1/01 ,  H01P1/20

Abstract: 本发明公开了一种基于谐振结构的太赫兹光纤滤波器，包括：侧边抛磨太赫兹光纤、谐振结构，其中谐振结构是一种微纳长方体柱，该结构集成于侧边抛磨太赫兹光纤的侧边抛磨平坦区。微纳长方体柱起到类谐振腔效果，使得符合微纳长方体柱谐振频率的太赫兹波被有效耦合进入谐振腔与微纳长方体柱相互作用产生电磁谐振，电磁谐振频率也被称为该滤波器的中心频率，位于中心频率处的太赫兹电磁能量用于维持电磁振荡，由此形成滤波阻带。随着微纳长方体柱结构尺寸的改变，该滤波器能实现0.1～3THz范围内任一特定窄带内实现较高Q值，较大最大阻带衰减深度和较小的插入损耗的滤波。

公开(公告)号：CN215910748U

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202121770694.9

申请日：2021-07-29

Applicant: 暨南大学

Inventor： 关贺元 ,  卢惠辉 ,  陈立均 ,  吴岱 ,  李鹏 ,  丘文涛 ,  陈哲 ,  王建新 ,  韩鑫洋 ,  明经渊 ,  梁爱杰

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/00

Abstract: 本实用新型公开了一种光控太赫兹光纤调制器，该光控太赫兹光纤调制器包括：用来传输太赫兹波的太赫兹光纤，太赫兹光纤的侧边设置抛磨区域，侧边设置有抛磨区域的太赫兹光纤端面呈“D”型；抛磨区域上设置具有微纳结构的超材料，超材料上设置石墨烯，形成作为光调制结构的石墨烯‑超材料结构。本实用新型采用侧边抛磨太赫兹光纤结构，能有效降低太赫兹波在自由空间中的损耗，增大石墨烯与太赫兹波倏逝场的接触面积，提高了调制效率。