-
公开(公告)号：CN112014983B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010947193.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及电光调制，高速光通信技术领域，更具体地，涉及一种基于铌酸锂波导的电光开关及其制作方法。用于解决传统电光开关消光比大、开关频率低、带宽受限的问题。此种电光开关自上而下的结构为：渐变阵列电极、缓冲层和基底；所述渐变阵列电极为一组底边呈规律性变化的等腰三角形微结构阵列电极单元；所述基底为块状铌酸锂或者铌酸锂薄膜集成波导，所述铌酸锂薄膜集成波导为单晶铌酸锂与衬底的结合，所述块状铌酸锂或单晶铌酸锂内部包裹有质子交换铌酸锂波导；所述质子交换铌酸锂波导形成波导区，所述波导区呈Y字形，所述波导区包括输入端、渐变区和输出端，所述波导区之外的区域为非波导区。通过上述技术方案，以实现低损耗、稳定性强、驱动电压低、调制带宽大的技术效果。
-
公开(公告)号：CN112014983A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010947193.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及电光调制，高速光通信技术领域，更具体地，涉及一种基于铌酸锂波导的电光开关及其制作方法。用于解决传统电光开关消光比大、开关频率低、带宽受限的问题。此种电光开关自上而下的结构为：渐变阵列电极、缓冲层和基底；所述渐变阵列电极为一组底边呈规律性变化的等腰三角形微结构阵列电极单元；所述基底为块状铌酸锂或者铌酸锂薄膜集成波导，所述铌酸锂薄膜集成波导为单晶铌酸锂与衬底的结合，所述块状铌酸锂或单晶铌酸锂内部包裹有质子交换铌酸锂波导；所述质子交换铌酸锂波导形成波导区，所述波导区呈Y字形，所述波导区包括输入端、渐变区和输出端，所述波导区之外的区域为非波导区。通过上述技术方案，以实现低损耗、稳定性强、驱动电压低、调制带宽大的技术效果。
-
公开(公告)号：CN213092051U
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202021973505.3
申请日：2020-09-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本实用新型涉及电光调制，高速光通信技术领域，更具体地，涉及一种基于铌酸锂波导的电光开关。用于解决传统电光开关消光比大、开关频率低、带宽受限的问题。此种电光开关自上而下的结构为：渐变阵列电极、缓冲层、基底，所述基底设置有输入端和输出端；所述渐变阵列电极为一组底边呈规律性变化的等腰三角形微结构阵列电极单元；所述基底包括波导区和非波导区，所述基底为块状铌酸锂或者铌酸锂薄膜集成波导，所述铌酸锂薄膜集成波导为单晶铌酸锂与衬底的结合，所述块状铌酸锂或单晶铌酸锂包裹有质子交换铌酸锂波导。通过上述技术方案，以实现低损耗、稳定性强、驱动电压低、调制带宽大的技术效果。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.017 seconds)
