一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统

    公开(公告)号:CN107505735A

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:CN201710751379.3

    申请日:2017-08-28

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及光通讯器件技术领域,具体是一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统。一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统,包括纳米光纤和玻璃衬底,纳米光纤输入端连接波分复用器,波分复用器的输入端同时连接两个激光器,两个激光器分别输入泵浦光和探测光,纳米光纤下方放置玻璃衬底,玻璃衬底与纳米位移装置连接,纳米位移装置用于实现玻璃衬底以纳米量级移动,纳米光纤和玻璃衬底间的初始安装间距使探测光的消逝场与玻璃衬底耦合。本发明不需依赖电学技术,能快速响应,高效率地实现光功率控制。

    一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统

    公开(公告)号:CN107505735B

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201710751379.3

    申请日:2017-08-28

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及光通讯器件技术领域,具体是一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统。一种基于消逝场耦合光力实现的全光光功率控制系统,包括纳米光纤和玻璃衬底,纳米光纤输入端连接波分复用器,波分复用器的输入端同时连接两个激光器,两个激光器分别输入泵浦光和探测光,纳米光纤下方放置玻璃衬底,玻璃衬底与纳米位移装置连接,纳米位移装置用于实现玻璃衬底以纳米量级移动,纳米光纤和玻璃衬底间的初始安装间距使探测光的消逝场与玻璃衬底耦合。本发明不需依赖电学技术,能快速响应,高效率地实现光功率控制。

Patent Agency Ranking