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公开(公告)号：CN105706279A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480061048.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01M4/96 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/158 , C01B2202/36 , H01M4/8652 , H01M8/188 , Y02E60/528 , Y10S977/742 , Y10S977/783 , Y10S977/842 , Y10S977/90 , Y10S977/948
Abstract: 本发明的氧化还原液流电池，包含平均直径为100nm以上的第1碳纳米管和平均直径为30nm以下的第2碳纳米管，具有所述第2碳纳米管附着于所述第1碳纳米管的表面、且所述第2碳纳米管跨于多个所述第1碳纳米管间的结构。本发明的氧化还原液流电池，由于具有电极材料以及具有使用所述电极材料的电极，因此电动势高，充电容量大。
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公开(公告)号：CN102113140A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130253.8
申请日：2009-06-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02458 , C23C14/022 , C23C14/0617 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种生产率优异并且具有优异的发光特性的Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法和Ⅲ族氮化物半导体发光元件以及灯。本发明提供的制造方法是在基板(11)上层叠包含Ⅲ族氮化物化合物的缓冲层(12)，在该缓冲层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具备：对基板(11)进行等离子体处理的预处理工序；继预处理工序之后，在基板(11)上通过至少将金属Ga原料和含有V族元素的气体用等离子体活化而使其反应，以AlXGa1-XN(0≤X＜1)的组成形成缓冲层(12)的缓冲层形成工序；和在缓冲层(12)上形成基底层(14a)的基底层形成工序。
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公开(公告)号：CN101506946A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780030345.X
申请日：2007-08-15
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/203 , C23C14/34 , H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供生产率优异并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、III族氮化物化合物半导体发光元件以及灯。所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是包括在基板(11)上采用溅射法形成由含有作为III族元素的Ga的III族氮化物化合物半导体构成的半导体层的工序的制造方法，在将所述基板(11)和溅射靶对向地配置的同时，使基板(11)与溅射靶的间隔为20～100mm的范围。另外，在采用溅射法形成半导体层时，施加于基板(11)的偏压值为0.1W/cm2以上。而且，在形成所述半导体层时，向在溅射中使用的室内供给氮和氩从而进行溅射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101010408A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029024.9
申请日：2005-08-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1033 , C09K2211/1037 , C09K2211/1044 , C09K2211/1092 , C09K2211/185 , H01L33/502 , H01L51/0085 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00011 , H05B33/14 , Y10T428/10 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01048
Abstract: 本发明涉及包括主发光单元和副发光单元的发光体，该副发光单元由于该主发光单元射出的光而发光，其中该副发光单元包含铱化合物。作为铱化合物，可以列举由L1L2L3Ir(L1、L2和L3是与铱配位的有机二齿配体，并且这些配体中的至少一个与氮原子和碳原子配位)表示，优选由通式(2)表示的铱配合物(在该通式中，X表示与和铱键接的碳原子和氮原子一起形成芳族螯合配体的原子团，n是2或3的整数，和L表示其中除碳原子以外的原子与铱键接的二齿有机配体。)。本发明的发光体包含具有宽的颜色再现范围的红(R)、绿(G)和蓝(B)波长元件，可以用单个供电和控制系统驱动并且不会引起组件的光退化。
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公开(公告)号：CN110869417B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201880042885.8
申请日：2018-06-27
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C08G65/329 , C08F299/02 , C10M107/38 , G11B5/725 , G11B5/84 , C10N40/18
Abstract: 本发明的一形态的有机氟化合物的通式如下，(R‑π‑E‑CH2)2‑A (1A)(其中，A是2价的全氟聚醚基，π是亚芳基或单键，R是烯基或炔基，E是由化学式‑O‑CH2CH(OH)CH2O‑所示的基、醚键或酯键，2个由通式R‑π‑E‑CH2‑所示的基是相同或不同的基，2个π中的至少1个是亚芳基)。
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公开(公告)号：CN107848832A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680039602.5
申请日：2016-08-04
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C22B34/22 , C01G31/00 , C01G31/02 , C22B3/44 , C22B7/008 , C22B7/02 , H01M8/18 , H01M8/188 , H01M2300/0005 , Y02P10/234
Abstract: 一种钒化合物的制造方法，包括以下工序：碱浸出工序，将灰烬浸渍在碱性溶液中，使钒从所述灰烬浸出到所述碱性溶液中而获得浸出浆液；固液分离工序，将所述碱浸出工序中得到的浸出浆液进行固液分离，除去不溶物而获得浸出液；pH值调节工序，向固液分离后的所述浸出液添加酸，使其变为酸性；陈化工序，将pH值调节后的所述浸出液陈化、直至析出物析出；以及分离工序，从所述陈化工序后的所述浸出液分离出所述析出物。
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公开(公告)号：CN107531488A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680026889.8
申请日：2016-05-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01B32/168 , H01M8/18 , H01M4/1393 , H01M4/96
Abstract: 一种碳纳米管复合片的制造装置，具有：制造碳纳米管分散液的分散液制造部；涂敷所述分散液的涂敷部；将所涂敷的分散液进行脱水的脱水部；和将利用所述脱水部进行了脱水的片切断的加工部，所述分散液制造部包括混合槽，所述混合槽具备湿式喷射磨机，所述涂敷部采用涂敷装置构成，所述涂敷装置具备基体部、和向所述基体部供给利用分散液制造部制造出的分散液的分散液供给部，所述脱水部具备对利用所述涂敷部得到的湿碳纳米管复合片进行压榨的压榨部、和对被压榨了的湿碳纳米管复合片进行脱水的脱水装置。
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