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公开(公告)号:CN102232242A
公开(公告)日:2011-11-02
申请号:CN200980148395.7
申请日:2009-12-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明的CMP研磨液,含有研磨粒、添加剂和水,并且配合了满足规定条件的有机化合物作为添加剂。本发明的研磨方法,以表面上具有氧化硅膜的基板作为对象,并且具有一边向氧化硅膜和研磨垫之间供给上述CMP研磨液,一边通过研磨垫进行氧化硅膜的研磨的工序。
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公开(公告)号:CN1769349B
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN200510117095.6
申请日:2003-02-26
Applicant: 日立化成工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物,含有作为(a)组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂,作为(b)组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂,作为(c)组分的铵盐等以及作为(d)组分的受热分解挥发性化合物,具有如下固化性能,在150℃/3分的加热处理下得到的涂膜的应力为10MPa,而且通过最终固化得到的二氧化硅涂膜的比电容率小于3.0。本发明的二氧化硅涂膜形成用组合物,在形成具有低电容率、粘结性的同时可以形成具有很好机械强度的二氧化硅涂膜。
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公开(公告)号:CN101689494A
公开(公告)日:2010-03-31
申请号:CN200880023332.4
申请日:2008-07-04
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/76819
Abstract: 本发明提供一种抑制侵蚀和裂缝的发生、被研磨面的平坦性高的金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液以及使用该金属膜用研磨液的研磨方法,其特征在于,该金属膜用研磨液包含磨粒、甲基丙烯酸系聚合物和水。
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公开(公告)号:CN101283441A
公开(公告)日:2008-10-08
申请号:CN200680037661.5
申请日:2006-10-10
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C23F3/04 , H01L21/30625 , H01L21/31055 , H01L21/3212 , H01L21/32125 , H01L21/7684 , H01L21/76865
Abstract: 本发明提供CMP研磨液,该CMP研磨液通过抑制阻挡导体与铜等导电性物质的界面部附近的电子移动,抑制导电性物质配线腐蚀,即,抑制阻挡导体与导电性物质的异种金属接触腐蚀。本发明涉及的CMP研磨液为,至少研磨导体层以及与上述导体层接触的导电性物质层,在电位计的正极与上述导电性物质连接、负极与上述导体连接的该研磨液中的导电性物质和导体在50±5℃时的电位差绝对值为0.25V以下。优选其中包含杂环化合物,所述杂环化合物含有羟基、羰基、羧基、氨基、酰胺基和亚磺酰基中的任1种,且含有氮和硫原子中的至少1种。
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公开(公告)号:CN1320073C
公开(公告)日:2007-06-06
申请号:CN200410097089.4
申请日:2003-02-26
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/316
CPC classification number: H01L23/5329 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种二氧化硅涂膜形成用组合物,含有作为(a)组分的烷氧基硅烷等硅氧烷树脂,作为(b)组分的可以溶解该硅氧烷树脂的醇等溶剂,作为(c)组分的铵盐等以及作为(d)组分的受热分解挥发性化合物,具有如下固化性能,在150℃/3分的加热处理下得到的涂膜的应力为10MPa,而且通过最终固化得到的二氧化硅涂膜的比电容率小于3.0。本发明的二氧化硅涂膜形成用组合物,在形成具有低电容率、粘结性的同时可以形成具有很好机械强度的二氧化硅涂膜。
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